Kim, Jong-Won;Ahn, Young-Chull;Yi, Byeong-Kwon;Jeong, Hyeon-Jae
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.22
no.1
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pp.13-20
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2010
Airborne particulate matters have two modes of size distributions of coarse mode and fine mode. The coarse mode which is formed by break down mechanism of large particles has a peak around the $100\;{\mu}m$, and the fine mode formed by condensation and build up mechanism of evaporated vapors has a peak at several ${\mu}m$. The coarse mode particles can be removed easily by conventional collecting equipments such as a cyclone, an electrostatic precipitator, and a filter, however the fine mode particles can not be collected easily. Usually the fine mode particles are generated in the high temperature conditions especially through boilers and incinerators, so the high efficient and temperature filter is essential for the filtration. In this study, a nano ceramic filter for the removal of fine particles in the high temperature is developed and tested for several characteristics. The nano ceramic filter has double layer of micro and nano structure and the pressure drop and the filtration efficiency for $0.31\;{\mu}m$ at 3 cm/s are 15.45 mmAq, and 96.75%, respectively. The thermal conductivity is $0.038\;W/m{\cdot}K$, and the coefficient of water vapor permeability is $3.63\;g/m^2{\cdot}h{\cdot}mmHg$. It is considered that the sensible heat exchange rate is very poor because the low thermal conductivity but it has high potential to exchange latent heat.
We have investigated the formation techniques of copper thin films which would be useful for sub-quarter-micron integrated circuits. A chemical vapor deposition technology has been tried for the better side wall formation of the thin films, and a metal organic compound, named (hface)Cu(VTMS) (hexafluoroacetylacetonate vinyltrimethylsilane copper(I)) was used as the precursors. We have deposited the copper thin films on TiN and $SiO_2$substrates. The film resistivity and deposition selectivity have been measured as functions of substrate temperature and chamber pressure. Best electrical properties were obtained at $180^{\circ}C$ of substrate temperature and 0.6 Torr of chamber pressure. Under the optimum deposition conditions, polycrystalline copper structures were observed to be grown, and the deposition rate of 120 nm/min was measured. The electrical resistivity as low as 0.25$mu \Omega$.cm, and the surface roughness of 15.5 nm were also measured. These are the suitable electrical and material properties required in the sub-quarter-micron device fabrication. Also, in the substrate temperature range of 140-$250^{\circ}C$, high deposition selectivity was observed between TiN and $SiO_2$.
Changes in milk quality during storage of extended shelf life milk (ESL milk) and non-ESL milk were evaluated. No significant differences were observed between ESL and typical ultra high temperature-treated (UHT) milk in physicochemical properties including non-casein nitrogen (NCN) content, whey protein nitrogen index (WPNI), and L-ascorbic acid content. Low temperature and long time-treated milk (LTLT milk) had significantly higher NCN content and WPNI than those of UHT milk. In terms of microbial quality, yeast, molds, coliforms, and other bacteria were not detected in ESL milk during entire storage (21 days after expiration date) period at 4 and $25^{\circ}C$, while LTLT milk was more susceptible to microbial infection. Rats fed ESL milk resulted in significantly higher body weight, average daily gain, and feed efficiency than those given UHT milk. These results suggest ESL milk maintains better microbial quality than typical UHT milk, particularly during storage under extended refrigeration and at high temperature.
Among milk proteins, caseins are not subjected to chemical changes during heat treatment of milk; however, whey proteins are partially denatured following heat treatment. The degree of whey protein denaturation by heat treatment is decreased in the order of high temperature short time (HTST) > low temperature long time (LTLT) > direct-ultra-high temperature (UHT) > indirect-UHT. As a result of heat treatment, several changes, including variations in milk nitrogen, interactions between beta-lactoglobulin and k-casein, variations in calcium sulfate and casein micelle size, and delay of milk coagulation by chymosin action, were observed. Lysine, an important essential amino acid found in milk, was partially inactivated during heat treatment. Therefore, the available amount of lysine decreased slightly (1~4% decrease) after heat treatment, However, the influence of heat treatment on the nutritional value of milk was negligible. Nutritional value and nitrogen balance did not differ significantly between UHT and LTLT in milk. In conclusion, our results showed that heat treatment of milk did not alter protein quality. Whey proteins denatured to a limited extent during the heat treatment process, and the nutritional value and protein quality were unaffected by heat treatment.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.486-487
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2007
$Bi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_x$(n=0, 1, 2) thin films have been fabricated by co-deposition at an ultra-low growth rate using ion beam sputtering(IBS) method. The growth rates of the films was set in the region from 0.17 to 0.27 nm/min. MgO(100) was used as a substrate. In order to appreciate stable existing region of Bi 2212 phase with temperature and ozone pressure, the substrate temperature was between 655 and $820^{\circ}C$ and the highly condensed ozone gas pressure in vacuum chamber was varied between $2{\times}10^{-6}{\sim}4{\times}10^{-5}$ Torr. Bi 2212 phase appeared in the temperature range of 750 and $795^{\circ}C$ and single phase of Bi 2201 existed in the lower region than $785^{\circ}C$. Whereas, $PO_3$ dependance on structural formation was scarcely observed regardless of the pressure variation.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.13-13
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2010
Switching an elementary excitation by injecting a single carrier would offer the exciting opportunity for the ultra-high data storage technologies. However, there has been no methodology available to investigate the interaction of low energy discrete carriers with nano-structures. In order to map out the spatial dependency of such single carrier level interactions, we developed a pulse-and-probe algorithm, combining with low temperature scanning tunneling microscopy. The new tool, which we call single carrier spectroscopy, allows us to track the interaction with the target macrostructure with tunneling carriers on a single carrier basis. Using this tool, we demonstrate that it is possible not only to locally write and erase individual bi-solitons, reliably and reversibly, but also to track of creation yields of single and multiple bi-solitons. Bi-solitons are pairs of solitons that are elementary out-of-phase excitations on anti-ferromagnetically ordered pseudo-spin system of Si dimers on Si(001)-c(42) surfaces. We found that at low energy tunneling the single bisoliton creation mechanism is not correlated with the number of carriers tunneling, but with the production of a potential hole under the tip. An electric field at the surface determines the density of the local charge density under the tip, and band-bending. However a rapid, dynamic change of a field produces a potential hole that can be filled by energetic carriers, and the amount of energy released during filling process is responsible for the creation of bi-solitons. Our model based on the field-induced local hole gives excellent explanation for bi-soliton yield behaviors. Scanning tunneling spectroscopy data supports the existence of such a potential hole. The mechanism also explains the site-dependency of bi-soliton yields, which is highest at the trough, not on the dimer rows. Our study demonstrates that we can manipulate not just single atoms and molecules, but also single pseudo-spin excitations as well.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.28
no.4
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pp.11-18
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2021
A novel microwave dielectric composite material for ultra-low temperature co-fired ceramics (ULTCC) with (1-x)BaWO4-xBaV2O6 (x=0.54~0.85) composition was prepared by firing a mixture of BaWO4 and BaV2O6. Shrinkage tests showed that the ceramic composite begins to densify at a temperature as low as 550℃ and can be sintered at 650℃ with 98% of relative density under the influence of BaV2O6. X-ray diffraction analysis showed that BaWO4 and BaV2O6 coexisted and no secondary phase was detected in the sintered bodies, implying good chemical compatibility between the two phases. Near-zero temperature coefficients of the resonant frequency (𝛕f) could be achieved by controlling the relative content of the two phases, due to their positive and negative 𝛕f values, respectively. With increasing BaV2O6 (x from 0.53 to 0.85), the 𝛕f value of the composites increased from -7.54 to 14.49 ppm/℃, εr increased from 10.08 to 11.17 and the quality factor (Q×f value) decreased from 47,661 to 37,131 GHz. The best microwave dielectric properties were obtained for x=0.6 samples with εr=10.4, Q×f=44,090 GHz, and 𝛕f=-2.38 ppm/℃. Chemical compatibility experiments showed the developed composites are compatible with aluminum electrode during co-firing process.
Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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v.22
no.5
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pp.20-28
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2014
The high velocity oxygen fuel spraying (HVOF) is a kind of surface modification process technology to form the sprayed coating layer after spraying the powder to molten or semi-molten state by the ultra-high speed at the high-temperature heat source and conflicting with a substrate. It is desirable to melt completely the thermal spray powder in order to produce the coating layer with an optimal adhesion, however, because a semi-molten powder in a spray process has the low efficiency and become a factor that degrades the mechanical property by the inducement of pore-forming within the coating layer. To improve the wear resistance, corrosion resistance and heat resistance, in this study, the plungers of high-speed and ultra-high pressure reciprocating hydraulic pumps for oil and water used in ironwork are produced with $420J_2$ and the coating layers of plungers are formed by the powders of WC-Co-Cr and WC-Cr-Ni including the high hardness WC. The surface of these plungers is modified by the super-mirror face grinding machine using variable air pressure developed in this laboratory, and then the characteristics of cross-sectional microstructure, and surface roughness and hardness values between no operation and 100 days-operation are examined and made a comparison. The fine tops and bottoms on surface roughness curve of oil-hydraulic pump plunger sprayed by WC-Cr-Ni are molded more and higher than those of water-hydraulic pump sprayed by WC-Co-Cr because the plunger diameter of oil-hydraulic pump is 0.4 times smaller than that of water-hydraulic pump and the pressure of oil-hydraulic pump exerted on the plunger is operated with the 70 bars higher than that of water-hydraulic pump. As a result, it is found that the values of centerline average surface roughness and maximum height for oil-hydraulic pump plunger are bigger than those of water-hydraulic pump plunger.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.5
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pp.613-623
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2012
In this paper, we present an ultra miniaturized voltage tuned oscillator, with HMIC-type amplifier and phase shifter, using LTCC artificial dielectric resonator. ADR which consists of periodic conductor patterns and stacked layers has a smaller size than a dielectric resonator. The design specification of ADR is obtained from the design goal of oscillator. The structure of the ADR with a stacked circular disk type is chosen. The resonance characteristic, physical dimension and stack number are analyzed. For miniaturization of ADRO, the ADR is internally implemented at the upper part of the LTCC substrate and the other circuits, which are amplifier and phase shifter are integrated at the bottom side respectively. The fabricated ADRO has ultra small size of $13{\times}13{\times}3mm^3$ and is a SMT type. The designed ADRO satisfies the open-loop oscillation condition at the design frequency. As a results, the oscillation frequency range is 2.025~2.108 GHz at a tuning voltage of 0~5 V. The phase noise is $-109{\pm}4$ dBc/Hz at 100 kHz offset frequency and the power is $6.8{\pm}0.2$ dBm. The power frequency tuning normalized figure of merit is -30.88 dB.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.11
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pp.35-43
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1995
To obtain high quality of $Ta_{2}O_{5}$ film, two dielectric layers of $Si_{3}N_{4}$ and $Ta_{2}O_{5}$ were subsequently formed on Si wafer. Silicon nitride films were thermally grown in 10 Torr ammonia ambient by R.F induced heating system. The thickness of thermally grown $Si_{3}N_{4}$ film was able to be controlled in the range of tens $\AA$ due to the self-limited growth property. $Ta_{2}O_{5}$ film of 200$\AA$ thickness was then deposited on the as-grown $Si_{3}N_{4}$ film about 25$\AA$ thickness by sputtering method and annealed at $900^{\circ}C$in $O_{2}$ ambient for 1hr. Stoichiometry film was prepared by the annealing in oxygen ambient. Despite the high temperature anneal process, silicon oxide layer was not grown at the interface of the layered films because of the oxidation barrier effect of Si$_{3}$N$_{4}$ film. The fabricated $Ta_{2}O_{5}$/$Si_{3}N_{4}$ film showed low leakage current less than several nA and high dielectric breakdown strength.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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