An experimental method is presented to maximize the replication quality of UV-molded micro-optical components. It is important to maximize the replication quality, because one can obtain the replicated micro-optical components with desired properties by accurate control of the shape. In the present study, a simple technique to avoid micro-air bubbles was first suggested. The effects of the UV-curing dose and the compression pressure on the replication quality of UV-molded structure were examined experimentally. Finally, as a practical application of the process design method, microlens arrays with diameters between 8 ${\mu}m$ and 96 ${\mu}m$ were fabricated by the present method, and the replication quality and the optical properties of the replicated microlens were measured and analyzed.
This study investigated disinfection effect by general water purifier and water purifier with UV light disinfection. The results are as follows : (i) The general bacteria existed plentifully in a storage tank before treatment (ii) Water treated in water purifier did not meet the water treatment regulation standard since the presence of bacteria, whereas with UV light application the regulation standard is totally satisfied. (iii) Photocatalytic disinfection process with UV light in the presence of $TiO_2$ more effectively killed general bacteria than UV light only.
A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector (PD) is proposed as an effective UV sensing device for integration with a GaN n-channel MISFET on auto-doped p-type GaN grown on a silicon substrate. Due to the high hole barrier of the metal-p-GaN contact, the dark current density of the fabricated MSM PD was less than $3\;nA/cm^2$ at a bias of up to 5 V. Meanwhile, the UV/visible rejection ratio was 400 and the cutoff wavelength of the spectral responsivity was 365 nm. However, the UV/visible ratio was limited by the sub-bandgap response, which was attributed to defectrelated deep traps in the p-GaN layer of the MSM PD. In conclusion, an MSM PD has a high process compatibility with the n-channel GaN Schottky barrier MISFET fabrication process and epitaxy on a silicon substrate.
Epitaxially grown GaN layers have a high surface state density, which typically results in a surface leakage current and a photoresponse in undesirable wavelengths in GaN optoelectronic devices. Surface passivation is, therefore, an important process necessary to prevent performance degradation of GaN UV photodetectors. In this study, we propose oxygen-enhanced thermal treatment as a simple surface passivation process without capping layers. The GaN UV photodetector fabricated using a thermal annealing process exhibits improved electrical and photoresponsive characteristics such as a reduced dark current and an enhanced photoresponsive current and UV-to-visible rejection ratio. The results of this study show that the proposed surface passivation method would be useful to enhance the reliability of GaN-based optoelectronic devices.
This study is focused on the resin layer formation of UV imprinting process by changing imprinting pressure and period. The mold shape is made for the process of window open over the pattern transfer area and the imprinting period is assigned as the time just before the UV light curing. The residual layer is measured by changing the imprinting period and pressure magnitude, and the measured data of residual layer provides useful information for the design of the process conditions of imprinting processes.
A microlens array has been required to improve light conversion efficiency in image sensors. A microlens array can be usually fabricated by photoresist reflow, hot-embossing, micro injection molding, and UV-imprinting. Among these processes, a UV-imprinting, which is operated at room temperature with relatively low applied pressure, can be a desirable process to integrate microlens array on image sensors, because this process provides the components with low thermal expansion, enhanced stability, and low birefringence, furthermore, it is more suitable for mass production of high quality microlens array. In this study, to analyze the optical properties of the wafer scale microlens array integrated image sensor, another wafer scale simulated image sensor chip array was designed and fabricated. An aspherical square microlens was designed and integrated on a simulated image sensor chip array using a UV-imprinting process. Finally, the optical performances were measured and analyzed.
본 연구는 기존의 광촉매 산화 기술에서 주로 사용된 자외선램프의 단점을 보완할 수 있는 대체 광원인 자외선 LED를 사용하여 자유 시안을 폐수로부터 제거하는 공정을 평가하고자 수행되었다. 특히 광촉매 산화 공정의 다양한 영향 인자들에 대해 살펴보았다. 연구 결과, 자외선 LED는 기존의 광원인 자외선램프를 대체할 수 있는 적용성을 확인할 수 있었다. 뿐만 아니라 LED 개수를 증가할수록 광촉매 산화 반응의 효율은 증가하였으나, 공정의 경제성과 효율성을 동시에 만족시키기 위해서는 최적의 LED의 개수를 선정할 필요가 있다는 것을 확인하였다. 광촉매로 이용된 아나타제(anatase), 루틸(rutile), Degussa P25 등 세 종류의 $TiO_2$ 중 Degussa P25가 가장 높은 성능을 보였으며, 아나타제(anatase)와 루틸(rutile)을 특별한 전처리 과정없이 단순하게 혼합하였을 때는 Degussa P25 만큼의 공정의 효율은 얻지 못했다. 또한 $TiO_2$의 입자 크기가 작을수록 광촉매 산화 반응이 더욱 활발하게 이루어졌다. 그리고 광촉매 산화 반응에 있어 주로 전자 수용체 역할을 수행하는 산소를 주입함으로써 공정의 효율이 증진되는 효과를 얻을 수 있었다.
본 연구에서는 유기오염물질 유출수 처리를 위한 UV/H2O2 산화 공정을 조사하였다. 유통량과 특성을 고려하여 벤젠, 톨루엔, 페놀, 메틸에틸케톤 4종의 대표 오염물질을 선정하였다. 선정된 물질은 전처리를 고려하여 자연휘발과 가압부상조를 모사한 폭기 실험으로 제거되었다. 이후 다양한 과산화수소 농도 조건에서 UV/H2O2 산화 실험을 수행하였다. 벤젠, 톨루엔은 높은 휘발성으로 인해 산화 공정에 도달하기 전에 대부분 휘발되었다. 벤젠과 톨루엔의 휘발을 고려하여 5mg/L의 초기농도에서 산화 실험을 수행하였다. 벤젠과 톨루엔은 모든 과산화수소 농도 조건에서 20분 후 100%의 제거를 달성하였다. 페놀은 휘발 실험에서 거의 제거되지 않았으며, 50mg/L의 초기농도로 산화 실험을 수행한 결과 0.12v/v%의 과산화수소 투입 조건에서 30분 후 100%의 제거를 나타냈다. 메틸에틸케톤은 휘발성 실험 결과 2시간 후 58%가 제거되었다. 메틸에틸케톤 초기농도 50mg/L의 UV/H2O2 산화 실험에서 0.08v/v%의 과산화수소 조건에서 99.7%의 메틸에틸케톤이 제거되었다. 선정된 4종의 물질에 대하여 UV/H2O2 공정이 높은 분해 효율을 보이는 것을 확인하였으며, 물질 별 과산화수소 투입량을 파악하였다.
본 연구는 지표수에서 휴믹산을 포함한 중금속을 제거하기 위해 $UV/TiO_2/H_2O_2$ 공정을 적용하여 각 실험인자에 대한 처리효율을 실험적으로 검토하였다. 휴믹산과 중금속을 제거하는데 있어 $UV/TiO_2/H_2O_2$ 공정은 $UV/TiO_2$ 공정보다 훨씬 더 높은 제거효율을 보여 주었다. $TiO_2$ 주입량과 UV 세기를 증가시킴에 따라 휴믹산과 중금속 제거율은 증가했다. 그러나 0.3 g/L 이상의 $TiO_2$ 주입량에서는 제거율이 감소했다. 산화제로 사용된 과산화수소의 첨가는 휴믹산과 중금속 제거에 있어 긍정적인 효과를 보여주었으며 특히 50 mg/L의 과산화수소 농도에서 가장 좋은 제거효율을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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