• 제목/요약/키워드: Time-resolved spectroscopy

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순간흡수 분광학 측정장치 구성 및 DDI의 순간흡수율 변화 측정 (Fabrication of Transient Absorption Spectroscopic System and Measurement of Transient Absorption Changes of DDI)

  • 서정철;이민영;김동호;정홍식;박승한;김웅
    • 한국광학회지
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    • 제2권4호
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    • pp.209-213
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    • 1991
  • 최근들어 극초단 광학펄스를 생성하고 증폭하는 기술의 발달로 인하여 시분해 레이저 분광학에 많은 영향을 끼치게 되었다. 그 중에서도 응용성이 넓은 순간흡수분광학장치를 본 연구실에서 개발하였다. 이 기술은 고출력 레이저 펄스를 이용하여 white light continuum pulse를 생성시켜 이를 조사빔으로 이용하고, pump pulse는 원래 상태의 레이저를 이용하는 것이다. 순간흡수율 변화를 여러 파장에서 측정가능하도록 photodiode array를 이용하였으며, pump와 probe pulse의 시간차이에 의한 순간흡수율 변화를 색소의 일종인 DDI를 이용하여 측정하였다.

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Excitation Wavelength Dependence of Laser Ablation Mechanism of Urethane-Urea Copolymer Film Studied by Time-Resolved Absorbance Measurements

  • Tada, Takuji;Asahi, Tsuyoshi;Masuhara, Hiroshi;Tsuchimori, Masaaki;Watanabe, Osamu
    • Journal of Photoscience
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    • 제10권1호
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    • pp.97-104
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    • 2003
  • The excitation wavelength dependence of laser ablation dynamics of an azobenzene-containing urethane-urea copolymer film was investigated by measuring the laser fluence dependence of etch depth, transient absorbance change at each excitation wavelength, and transient absorption spectra. Moreover expansion/contraction dynamics was studied by applying nanosecond time-resolved interferometry. The threshold was determined at several excitation wavelengths from etch depth measurement, while time-integrated absorbance was obtained under excitation conditions. The photon energy required to remove the topmost of surface layer of the film did not .depend on excitation wavelength, and the penetration depth of excitation pulse dominated the etch depth. When the excitation wavelength was longer than 500 nm, permanent swelling was clearly observed but not for shorter wavelength excitation. In the latter case, photoisomerization occurred during excitation and the following photoreduction may play an important role. On the basis of the observations made in this study, a photochemical and photothermal mechanisms can explain mostly the short and long wavelength excitation results, respectively.

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시분해 반스톡스 라만 분광 신호의 스톡스광과 펌프광의 상관관계에 대한 의존성 계산 (Dependence of the time resolved anti-Stokes Raman signal on the correlation between pump and Stokes waves)

  • 고춘수
    • 한국광학회지
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    • 제8권5호
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    • pp.372-376
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    • 1997
  • 시분해 반스톡스 라만 분광법에서 펌프광과 스톡스광의 상관관계에 대한 의존성을 계산하였다. 시간 지연된 두 펌프광을 라만 매질에 입사시키면 하나의 펌프광에 발생된 스톡스광과 펌프광들의 결합에 의해 반스톡스광 신호를 얻을 수 있는데 지연시간에 따른 반스톡스광 신호의 규격화된 크기를 계산하였다. 매질의 라만 선폭이 레이저의 선폭 보다 매우 작지 않을 때에는 스톡스광이 펌프광과 완전한 상관관계를 갖지 못하므로 일반적인 매질에서 발생된 스톡스광과 펌프광의 상관관계에 대해 간단한 모델을 세우고 그 매개변수에 따른 신호의 변화를 계산하였다. 일반적으로 비선형 라만 실험에서는 선폭이 넓은 광원을 사용하므로 파동들을 chaotic field로 기술하여 계산을 하였으며 여러 가지 매질의 선폭에 대해 그 결과들을 비교하였다.

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Temperature-dependent Luminescence Properties of Digital-alloy In(Ga1-zAlz)As

  • Cho, Il-Wook;Ryu, Mee-Yi;Song, Jin Dong
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • 제27권3호
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    • pp.56-60
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    • 2018
  • The optical properties of the digital-alloy $(In_{0.53}Ga_{0.47}As)_{1-z}/(In_{0.52}Al_{0.48}As)_z$ grown by molecular beam epitaxy as a function of composition z (z = 0.4, 0.6, and 0.8) have been studied using temperature-dependent photoluminescence (PL) and time-resolved PL (TRPL) spectroscopy. As the composition z increases from 0.4 to 0.8, the PL peak energy of the digital-alloy $In(Ga_{1-z}Al_z)As$ is blueshifted, which is explained by the enhanced quantization energy due to the reduced well width. The decrease in the PL intensity and the broaden FWHM with increasing z are interpreted as being due to the increased Al contents in the digital-alloy $In(Ga_{1-z}Al_z)As$ because of the intermixing of Ga and Al in interface of InGaAs well and InAlAs barrier. The PL decay time at 10 K decreases with increasing z, which can be explained by the easier carrier escape from InGaAs wells due to the enhanced quantized energies because of the decreased InGaAs well width as z increases. The emission energy and luminescence properties of the digitalalloy $(InGaAs)_{1-z}/(InAlAs)_z$ can be controlled by adjusting composition z.

Fat Quantification in the Vertebral Body: Comparison of Modified Dixon Technique with Single-Voxel Magnetic Resonance Spectroscopy

  • Sang Hyup Lee;Hye Jin Yoo;Seung-Man Yu;Sung Hwan Hong;Ja-Young Choi;Hee Dong Chae
    • Korean Journal of Radiology
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    • 제20권1호
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    • pp.126-133
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    • 2019
  • Objective: To compare the lumbar vertebral bone marrow fat-signal fractions obtained from six-echo modified Dixon sequence (6-echo m-Dixon) with those from single-voxel magnetic resonance spectroscopy (MRS) in patients with low back pain. Materials and Methods: Vertebral bone marrow fat-signal fractions were quantified by 6-echo m-Dixon (repetition time [TR] = 7.2 ms, echo time (TE) = 1.21 ms, echo spacing = 1.1 ms, total imaging time = 50 seconds) and single-voxel MRS measurements in 25 targets (23 normal bone marrows, two focal lesions) from 24 patients. The point-resolved spectroscopy sequence was used for localized single-voxel MRS (TR = 3000 ms, TE = 35 ms, total scan time = 1 minute 42 seconds). A 2 × 2 × 1.5 cm3 voxel was placed within the normal L2 or L3 vertebral body, or other lesions including a compression fracture or metastasis. The bone marrow fat spectrum was characterized on the basis of the magnitude of measurable fat peaks and a priori knowledge of the chemical structure of triglycerides. The imaging-based fat-signal fraction results were then compared to the MRS-based results. Results: There was a strong correlation between m-Dixon and MRS-based fat-signal fractions (slope = 0.86, R2 = 0.88, p < 0.001). In Bland-Altman analysis, 92.0% (23/25) of the data points were within the limits of agreement. Bland-Altman plots revealed a slight but systematic error in the m-Dixon based fat-signal fraction, which showed a prevailing overestimation of small fat-signal fractions (< 20%) and underestimation of high fat-signal fractions (> 20%). Conclusion: Given its excellent agreement with single-voxel-MRS, 6-echo m-Dixon can be used for visual and quantitative evaluation of vertebral bone marrow fat in daily practice.

Revealing ionized gas kinematics at the center of nearby Seyfert galaxies

  • Kim, Eun Chong;Woo, Jong-Hak
    • 천문학회보
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    • 제39권1호
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    • pp.43.2-43.2
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    • 2014
  • We investigate the ionized gas kinematics at the center of 6 nearby Seyfert galaxies, using the integral field spectroscopy data from the Calar Alto Legacy Integral Field spectroscopy Area survey Data Release 1. To understand the kinematic nature of the ionized gas in the narrow-line regions (NLRs), we measured the flux, velocity, and velocity dispersion of the [OIII] $5007{\AA}$ and Ha $6563{\AA}$ emission lines, after subtracting a best-fit stellar population model representing the stellar features. At the same time, we measured stellar velocity as a reference for the systemic velocity, and stellar velocity dispersion. We spatially resolved the velocity structure of the ionized gas using each emission line and compared it to that of stars. In this poster we present the flux, velocity, and velocity dispersion maps of the ionized gas and stars, and discuss the nature of the ionized gas outflows in the central kiloparsec scale.

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광화학 반응에서 생성된 Anthrasemiquinone Radical의 시간분해 ESR ; CIDEP에 관한 연구 (Time Resolved Electron Spin Resonance Spectroscopy of Anthrasemiquinone Radical Produced by Pulse Laser Photolysis. A Study on Chemically Induced Dynamic Electron Polarization)

  • 홍대일
    • 대한화학회지
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    • 제34권5호
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    • pp.404-412
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    • 1990
  • 시간분해 ESR 분광법에서는 CIDEP법과 흡수 ESR 분광법을 사용하였다. 2-프로판올과 트리에틸아민 혼합용매에서 anthraquinone이 레이저 광선에 의해서 생성된 anthraquinone 라디칼 음이온을 시간분해 ESR 분광법으로 측정하였다. 이 semiquinone 라디칼은 대단히 안정하여 cw ESR을 측정할 수 있었다. 분극된 semiquinone 라디칼이 열적 평형상태로 소멸되는 속도상수는 스핀-격자 완화시간의 역수로서 2.6 ${\times}\;1-^5$ sec$^{-1}$이다. 그리고, 그 라디칼의 소멸속도상수는 300.0 sec$^{-1}$이다. CIDEP스펙트럼의 시간의존성에 대한 강도 변화는 마이크로파 출력이 강할수록 일반적으로 증가하였다. 그러나, 지나치게 출력을 높이면 감소 곡선상에 Torrey 진동이 뒷따라 일어났다.

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N-이온주입이 4H-SiC SBDs의 깊은 준위 결함 및 소수 캐리어 수명에 미치는 영향 (The Impact of N-Ion Implantation on Deep-Level Defects and Carrier Lifetime in 4H-SiC SBDs)

  • 신명철;이건희;강예환;오종민;신원호;구상모
    • 전기전자학회논문지
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    • 제27권4호
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    • pp.556-560
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    • 2023
  • 본 연구에서는 4H-SiC Epi Surface에 Nitrogen implantation 공정이 깊은준위결함과 lifetime에 미치는 영향을 비교분석하였다. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)와 Time Resolved Photoluminescence (TR-PL)을 사용하여 깊은준위결함과 carrier lifetime을 측정하였다. As-grown SBD에서는 0.16 eV, 0.67 eV, 1.54 eV 에너지 준위와 implantation SBD의 경우 0.15 eV 준위에서의 결함을 측정되었으며, 이는 nitrogen implantation으로 불순물이 titanium 및 carbon vacancy를 대체됨으로 lifetime killer로 알려진 Z1/2, EH6/7 준위 결함은 감소하였다.

$Al_xGa_{l-x}As/AlAs/GaAs$계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조에서의 광 luminescsnce 특성 연구 (Luminescence properties of asymmetric double quantum well composed of $Al_xGa_{l-x}As/AlAs/GaAs$ system)

  • 정태형;강태종;이종태;한선규;유병수;이해권;이정희;이민영;김동호
    • 한국광학회지
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    • 제3권3호
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    • pp.183-190
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    • 1992
  • $Al_x/Ga_{1-x}$ /As/AlAs GaAs 계로 이루어진 비대칭 이중 양자우물 구조의 광학적 특성을 photoluminescence, photoluminescence excitation, time-resolved photoluminescence를 통하여 조사하였다. 양자장벽 AlAs의 두께에 따른 특성 변화를 조사하기 위하여 두께를 15$\AA$., 150$\AA$로 제작하였다. 양자장벽이 15$\AA$인 경우 매우 빠른 전자의 관통 현상을 보여 주었으며, 이로 인해 $Al_x/Ga_{1-x}$As의 여기자 재결합에 해당하는 피크가 관찰되지 않았다. AlAs 양자장벽이 150$\AA$인 경우에는 $Al_x/Ga_{1-x}$As양자우물에서 여기자 재결합에 의한 피크가 50ps 이하로 빠른 decay시간을 보여 주었으며 이것은 양자장벽과의 $\Gamma$-X전이에 의한 것으로 사료되었다. GaAs양자우물에서의 luminescence decay는 두 시료 모두 1ns정도 이었으나, 15$\AA$인 경우에는 약 100ps의 rise시간이 존재하였으며 이것은 정공의 관통에 의한 시간으로 판명되었다.

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