• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권8호
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• pp.813-818
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• 1996

Amorphous As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$ device shows the memory switching characteristics under d.c. bias. In bulk material, a-As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$ switching threshold voltage (V$_{th}$) is very high (above 100 volts), but in the case of thin film, V$_{th}$ decreases to a few or ten a few volts. The characteristics of V$_{th}$ depends on the physical dimensions such as the thickness of thin film and the separation between d.c. electrodes, and the annealing conditions. The switching threshold voltage decreases exponentially with increasing annealing temperature and annealing time, but increases linearly with the thickness of thin film and exponentially with increasing the separation between d.c. electrodes. The desirable low switching threshold voltage, therefore, can be obtained by the stabilization through annealing and changing physical dimensions.imensions.sions.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.353-353
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• 2014

본 연구에서는 Sputter를 이용하여 Room Temp.에서 증착된 NbOx 박막의 열처리에 따른 결정도를 분석하고, 이러한 결정도의 변화가 Metal Insulator Transition특성에 의한 Threshold switching에 어떠한 영향을 미치는 지에 대하여 연구하였다. NbOx 박막의 threshold switching 특성 분석을 위해, 1.4um의 TiN 위에 15nm의 NbOx를 증착하고 Top Electrode로 Pt를 증착하여 측정하였다. 증착된 NbOx는 Nb metal target으로 Reactive Sputter를 이용하여 Room Temp.에서 증착하였으며, 조성은 Partial Oxygen Pressure를 이용하여 조절하였다. 증착된 박막의 결정도는 TEM 및 XRD를 통하여 분석하였고 조성은 XPS를 이용하여 분석하였다. Sputter로 NbOx 증착 시 Partial Oxygen Pressure에 따른 조성을 XPS로 확인한 결과, Partial Oxygen Pressure 2%에서 NbOx의 조성을, 5%이상일 경우, Nb2O5의 조성을 가지는 것으로 확인되었다. Partial Oxygen Pressure 2%에서 증착한 NbOx 박막의 열처리에 따른 결정도를 분석한 결과, As-Dep상태에서는 amorphous상태였다가 600'C이상으로 1분간 열처리를 하였을 때 NbOx의 결정도가 증가함을 확인하였다. I-V 특성 측정 결과, 열처리 온도가 증가함에 따라 initial current가 점진적으로 증가하는 경향을 보이는데, 이는 열처리 시 amorphous상에서 poly-crystalline으로 미세구조의 변화가 일어나면서 grain boundary가 생성되며 생성된 grain boundary를 통해 leakage current가 증가하는 것으로 추측된다. 또한, 결정도가 증가함에 따라 electro-forming voltage가 감소하는 경향을 보이며 안정된 threshold switching 특성을 보이고 있다. 특히, 700'C 1분간 열처리 시에는 electro-forming 과정이 없이 threshold switching이 나타나는 현상이 관찰되었다. 이로 미루어 보아, threshold switching에서 나타나는 forming 현상은 local joule heating에 의해 박막이 결정화 되는 과정으로 추측된다. 결론적으로, 박막의 결정도가 initial current 및 Threshold switching 특성에 큰 영향을 미치는 것으로 예상된다.

• 응용통계연구
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• 제27권6호
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• pp.1049-1068
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• 2014

자기회귀 모형(autoregressive model)은 일변량(univaraite) 시계열자료의 분석에서 널리 사용되는 방법 중 하나이다. 그러나 이 방법은 자료에 일정한 추세가 있다고 가정하기 때문에 자료에 분절(structural break)이 존재할 때 적절하지 않을 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 국면전환(regime-switching) 모형인 임계자기회귀 모형(threshold autoregressive model)이 제안되었는데 최근 지연 모수(delay parameter)을 포함한 이 국면전환(two regime-switching) 모형으로 확장되어 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 이 국면전환 임계자기회귀 모형을 베이지안(Bayesian) 관점에서 살펴본다. 베이지안 분석을 위해 모수적 임계자기 회귀 모형 뿐만 아니라 디리슐레 과정(Dirichlet Process) 사전분포를 이용하는 비모수적 임계자기 회귀 모형을 고려하도록 한다. 두 가지 베이지안 임계자기 회귀 모형을 바탕으로 사후분포를 유도하고 마코프 체인 몬테 카를로(Markov chain Monte Carlo) 방법을 통해 사후추론을 실시한다. 모형 간의 성능을 비교하기 위해 모의실험을 통한 자료 분석을 고려하고, 더 나아가 한국과 미국의 국내 총생산(Gross Domestic Product)에 대한 실증적 자료 분석을 실시한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.67-70
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• 1995

Amorpous As$\sub$10/Ge$\sub$15/Te$\sub$75/ device shows the memory switching characterisite under d.c. bias. In bulk material, a-As$\sub$10/Ge/sub15/Te$\sub$75/s switching voltage range is above 100 volts. Our purposes in this gaudy are decreasing a switching threshold voltage, finding the properties of d.c., a.c. conduction, and the characterisitics of switching threshold voltage fur a-As$\sub$10/Ge$\sub$15/Te$\sub$75/. As the results, the d.c.and a.c. conductivities increase with temperature. From the data of conductivity, various electrical and physical properties are obtained experimentally. The switching threshold voltages decrease with increasing annealing temperature and time, but increase with increasing film thickness and distance of electrode for d.c. bias.

• 전기의세계
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• 제23권4호
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• pp.53-59
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• 1974

This paper investigates the theoretical properties of a logic element called the multithreshold threshold element, which is a generalization of the single-threshold threshold element. The primary partition os a systematic method of obtaining the multi-threshold realization of a switching function by the index numbers. The concept of comparable vertices of the same index numbers introduced in this paper is very promising for testing the multi-threshold partition by the initial condition to be defined by the minterms of the same index numbers.

• 대한전자공학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.10-16
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• 1977

Ge-Si-Te 비정질기억소자에서 기억스위칭을 여러가지 소자의 두께와 온도에 의해 변화되는 량으로 관찰하였다. 주어진 두께에서 문턱전압의 분포는 진성스위칭동작기구에 기여하는 강한 피크를 이루었다. 두께와 Vth의 좌표계에서 두께가 감소하면 문턱전압은 낮아지며 스위칭전계는 증가함을 보였다. 또한 문턱전압은 온도가 증가함에 따라 낮아짐을 알수있었으므로 Tg이하의 온도범위에서는 문턱전안을 낮출수있다는 사실을 보였다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권1호
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• pp.34-39
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• 2014

The programmable switches which control the delivery of electrical signals in programmable logic devices are fabricated using memory technology. Although phase change memory (PCM) technology is one of the most promising candidates for the manufacturing of the programmable switches, the threshold switching material should be added to a PCM cell for realization of the programmable switches based on PCM technology. In this work, we report the impurity-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ (GST) chalcogenide alloy exhibiting threshold switching property. Unlike the GST thin film, the doped GST thin film prepared by the incorporation of In and P into GST is not crystallized even at the postannealing temperature higher than $200^{\circ}C$. This specific crystallization behavior in the doped GST thin film is attributed to the stabilization of the amorphous phase of GST by In and P doping.

• 자원ㆍ환경경제연구
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• 제13권3호
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• pp.417-440
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• 2004

미국의 PJM(Pennsylvania-New Jersey-Maryland) 전기도매시장의 전기 가격을 가변 전환확률 국면전환모형(regime switching model with time-varying transition probability model)을 이용해서 추정해보았다. 전기수요뿐만 아니라 기온을 전환확률 방정식의 설명변수로 포함시킴으로써 전기가격이 낮은 국면에서 높은 국면으로 전환할 확률의 문턱점(threshold) 효과가 뚜렷이 향상되었다. 따라서 도매전기가격의 스파이크(spike) 발생을 예측할 수 있게 되는 것이다. 이는 또한 미국의 도매시장 전기가격의 스파이크는 기온에 의해서도 잘 설명되며, 이를 이용하여 날씨관련 파생상품이나 계약을 통해서 도매전기 구입비용의 위험을 해지할 수 있다는 것을 의미한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.907-915
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• 2003

유선 통신환경과 비교해서 무선 자원이 부족한 무선 환경에서는 매우 효율적인 패킷 전송 방식이 필요하다. 일반적으로는 이중 모드 패킷 전송 방식이 널리 사용된다. 스위칭 기준에 따라서, 패킷은 전용채널이 할당되거나 또는 공통의 채널을 통해서 전송된다. 일반적인 기준은 패킷의 길이와 생성 주파수이다. 즉 크고 발생 빈도가 높은 패킷은 전용 채널을 통해서 전송되고 작고 발생빈도가 낮은 패킷은 공통 채널을 통해서 전송된다. 이중 모드 패킷 전송 방식의 성능은 스위칭 기준과 밀접한 관련이 있다. 그렇지만 최적의 스위칭 포인트를 찾는 것은 매우 힘드는데 스위칭 포인트가 고정되어 있는 것이 아니라 트래픽 부하와 생성된 패킷의 길이와 채널의 수와 같은 환경에 따라 변동하기 때문이다. 본 논문에서는 동적 스위칭 임계점(dynamic switching threshold)을 이용하는 이중 모드 패킷 전송 방식을 위한 새로운 기법을 제안한다. 이 방식에서는 스위칭 임계값이 네트워크 환경에 따라서 변동한다. 제안한 방식의 성능은 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 시뮬레이션 결과는 기존의 이중 모드 패킷 전송 방식과는 달리 제안한 방식의 성능이 네트워크 환경의 영향을 그다지 받지 않음을 보여준다.

• 전기의세계
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• 제22권2호
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• pp.45-50
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• 1973

Amorphous semiconducting diodes from As Te Ge systm of which resitivity are 10$^{6}$ -10$^{8}$ .ohm.-cm order, are made and they exhibited several conducting states. A high conductivity, low conductivity and memory state are reported. Temperature dependency of the specimens are widerange. According to the procedure and cooling method, specimens are made easily or not. Threshold voltage of switching and memory diodes is in proportional to compositonal quantity of Arsenic. Threshold voltage is changed widely according to ambient temperature. Threshold voltage of #132 is 620V at 25.deg. C, 70V at 100.deg. C.