• 한국자기학회지
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• 제3권1호
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• pp.41-47
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• 1993

Co-Cr계 수직자기기록매체에서 비교적 낮은 기판온도에서 높은 보자력을 얻기위하여 제 3원소로서 Ta의 첨가효과에 대하여 연구하였다. Cr함량이 17-21 at.%로 다른 Co-Cr 계에 Ta함량을 3.2 at.%까지 첨가시켜서 여러조성의 Co-Cr-Ta 박막을 제조하고, 자기적 성질 및 미세구조를 조사하였다. Ta첨가로 인한 수직보자력의 향상효과는 Cr함량이 낮은 박막의 경우에 컸으며, 특히 기판온도가 $100^{\circ}C$인 경우 그 향상효과가 더욱 뚜렷하였다. Ta의 첨가로 인한 수직보자력 향상은 결정립 미세화나, c-축 배향성향상에 의한 것이기 보다는 비강자성원소의 편석이 심화됨에 기인하는 것으로 판단된다.

• 한국자기학회지
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• 제3권4호
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• pp.314-319
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• 1993

Co-12at%Cr-2at%Ta/Cr-X 자성박막의 자기적성질과 미세구조에 미치는 첨가원소 X(X=Si, Mo, Cu, Gd)의 영향에 대해 조사하였다. Cr-X 하지층 및 CoCrTa 자성층의 두께는 각각 $1000~2000\AA$과 $200~800\AA$이었으며, 기판온도는 $100~200^{\circ}C$로 변화시켰다. Cr-X 하지층은 순수한 Cr 하지층에 비하여 보자력이 100 Oe~200 Oe 이상 증가하였다. Cu는 Gd, Mo, Si보다 높은 보자력 을 나타내는 Cr-X 하지층의 첨가원소 였으며 CoCrTa/Cr-Cu 자성박막은 하지층두께 $1500\AA$과 자성층두께 $600\AA$에서 높은 보자력을 나타내었다.

• 한국자기학회지
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• 제3권3호
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• pp.208-214
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• 1993

Ta을 미량 첨가한 Co-Cr-Ta 박막의 높은 수직보자력의 원인을 알아보기위하여 회전우력자력계 (torque magnetometer)와 진동시료형 자력계(VSM)를 이용하여 Co-Cr 박막과 Co-Cr-Ta 박막의 수직자기이방 성에너지를 조사하였다. Co/sub 81.7/Cr/sub 16.7/Ta/sub 1.6/ 박막의 수직이방성에너지는 동일 기판온도에 서 성막한, 비슷한 용질원자량의 Co/sub 81/Cr/sub 19/ 박막보다 높았다. 그 원인을 분석하기 위하여 as- sputtered 상태의 박막들을 annealing 처리한 후 수직자기이방성에너지의 변화를 조사하였다. annealing 처 리에 의해 수직자기이방성에너지는 감소하였다. 이러한 annealing 처리에 의한 수직자기이방성에너지의 감 소량은 CoCrTa 박막의 경우 더 켰으며, annealing 처리후의 수직자기이방성에너지는 이원계 및 삼원계 박막 에서 비슷한 값을 보였다. 이는 Ta 첨가에 의해 as-sputtered 박막내 용질원자의 편석(segregation) 정도가 증가하며, 이러한 편석 의 증가로 박막내에 형태자기이방성의 기여가 증가하여 수직자기이방성에너지의 증가가 있었던 것으로 해석 된다. 또한 이 러한 용질원자의 편석의 증가에 의한 수직자기이방성에너지의 증가로 박막의 보자력도 증가 한 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.578-581
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• 1999

The Co-Cr-Ta films are one of the most suitable candidates for perpendicular magnetic recording media. The facing targets sputtering(FTS) system has a advantage of preparing films over a wide range of working gas pressure on plasma-free substrates. In this study, we investigated the effect underlayers on the growths layers of Co-Cr-Ta recording layers. The Co-Cr-Ta/Ti(CoCr) double layers were deposited with sputter gas pressure$(P_N, 0.3-1mTorr)$ by using FTS apparatus at temperature of$40^{\circ}C~-300^{\circ}C$, respectively. Crystallographic and magnetic characteristics were evaluated by x-ray diffractometry(XRD) and vibrating sample magnetometer(VSM), respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.77-80
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• 2001

Crystallographic and magnetic characteristics of CoCr-based magnetic thin film for perpendicular magnetic recording media were influenced on preparing conditions. In these, there is that substrate temperature was parameter that increases perpendicular coercivity of CoCrTa magnetic layer using recording layer. While preparation of CoCr-based doublelayer, by optimizing substrate temperature, we expect to increase perpendicular anisotropy of CoCr magnetic layer and prepare ferromagnetic recording layer with a good quality by epitaxial growth. CoCrTa/Si doublelayer showed a good dispersion angle of c-axis orientation $\Delta$$\theta$$_{50}$ caused by inserting amorphous Si underlayer which prepared at underlayer substrate temperature 250C. Perpendicular coercivity was constant, in-plane coercivity was controlled a low value about 2000e. This result implied that Si underlayer could restrain growth of initial layer of CoCrTa thin film, which showed bad magnetic properties effectively without participating magnetization patterns of magnetic layer. In case of CoCrTa/Si that prepared with ultra thin underlayer, crystalline orientation of CoCrTa was improved rather underlayer thickness 1nm, it was expected that amorphous Si layer played a important role in not only underlayer but also seed layer.t also seed layer.r.

• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.190-197
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• 1994

본 연구에서는 DC magnetron 스퍼터링법을 이용하여 고정밀, 고저항 저항체 박막으로 TaNx film을 제조하였을 때 형성될 수 있는 화합물 중 TaN0.1, TaN0.8과 TaN 박막의 Rs와 TCR특성을 평가하 고 film층의 우선방향성을 XRD를 이용하여 판명한 뒤 저항체의 Rs와 TCR에 미치는 영향을 조사하였 다. TaN0.1 박막이 35$\Omega$/$\square$의 면저항값과 안정된 TCR값을 나타내는 것을 알수 있었다. 두께50~200nm 의 TaN0.1과 Alumina 기판 사이에 정(+)의 TCR을 갖는 약 50nm의 Cr층을 증착하였을 때 Rs는 180$\Omega$/ $\square$ 과 TCR는 20ppm/$^{\circ}C$인 적층박막을 제조할 수 있었다. TaN0.1, TaN0.8 과 TaN 시편에서 화합물 형성 에 따른 Ta의 결합에너지를 ESCA를 이용하여 조사하였다. 이상의 연구결과로부터 TaN0.1 film이 TaNfilm 보다 고정밀, 고저항 박막 저항체 제조에 있어 우수한 전기저항 특성을 가지며 Cr 중간층 형성 으로 TCR이 $\pm$ppm/$^{\circ}C$정도로 안정된 고정밀 다층 저항체 박막을 형성할 수 있었다.

• 한국작물학회지
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• 제49권2호
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• pp.148-153
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• 2004

The Hessian fly, Mayetiola destructor (Say), is known to be one of the major insect herbivores of wheat worldwide. In order to provide molecular events on interactions of the NIL with H21 and larvae of Hessian fly biotype L, the TaCR1 gene, Triticum aestivum cytokinin repressed 1, was isolated through the suppression subtractive hybridization, which was constructed using stems of the NIL with H21 at 6 days after infestation as tester and stems of the recurrent parent Coker797 without H21 at 6 days after infestation as driver. Transcript levels of TaCR1 mRNA in the NIL with H21 were highest at 6 days after infestation but in the Coker797 without H21 until 8 days were similar with those of non-infested plants. Expression of the TaCR1 gene was decreased at early time and then recovered after wounding or $H_2O$$_2$ treatment as well as 6-BAP treatment. Transcripts levels of the TaCR1 gene was changed after MeJA, SA, ethephone, or ABA treatment. In drought treatment, the TaCRl gene were increased at early stage of stress and then decreased at late stage. Expression of the TaCRl gene was continued to decrease through 24 h in the cold treatment. Although the TaCRl gene is increased through infestation in NIL with H21, further study was required to elucidate a role on resistance against larvae of Hessian fly. However, the TaCR1 gene could be used as marker gene on response of plants against abiotic stresses as well as application of plants with several hormones.

• 산업기술연구
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• 제21권A호
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• pp.221-229
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• 2001

The effect of Mo underlayer on the magnetic properties of CoCrTa/Cr films deposited on glass substrates were investigated. The coercivity increased and the coercivity squareness decreased by introducing Mo underlayer. The coercivity increase was attributed to the increase of in-plane c-axis orientation and magnetic isolation of Co grains deposited on Cr/Mo underlayer. The decrease of coercivity squarenesses seemed to be caused by the increase of magnetic isolation. The increase of magnetic isolation of Co grains was attributed to the diffusion of Mo atoms into grain boundaries of Co films and the physical isolation of Co grains. The coercivity of CoCrTa/Cr/Mo showed maximum values at Mo thickness of $400{\AA}$. The appearance of the maximum coercivity at that thickness was attributed to the development of strong $Co(10{\bar{1}}0)$ and $Co(10{\bar{1}}1)$ preferred orientation.

• 한국진공학회지
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• 제6권1호
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• pp.77-84
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• 1997

DC Magnetron Sputtering 방법으로 원기둥형 Alumina기판(직경 4mm, 길이 11mm) 상에 부(-)의 TCR특성의 TaN0.1(부도체)와 정(+)의 TCR특성의 Cr(금속)박막두께를 적절히 조절하므로써 초정밀 저항기를 제조하였다. 그리고 면저항(Rs)을 1k$\Omega$/수준으로 높이고 보 호막을 형성키 위하여 상부에 $Ta_2O_5$막을 입형 $Ta_2O_5/TaN_{0.1}/Cr/Al_2O_3$(substrate)의 다층 박 막저항체를 제조하였다. 적절한 조건(기판온도, $N_2$(g), Ar(g)의 유속 등)으로 상기 다층박막 내 각 막의 두께를 약10,100과 500nm두께로 증착했을 때, $Rs\approx 1k\Omega/\Box$와 $TCR\approx 20$\pm 5ppm/^{\circ}C$ 의 초정밀 저항체가 제조되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1993년도 제5회 학술발표회 논문개요집
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• pp.87-88
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• 1993