Polycrystalline samples of LaFe$O_3$-BaTi$O_3$ were synthesized to examine the structural and magnetic behavior. X-ray diffraction confirmed that the ceramics had tetragonal symmetry with less tetragonal strain (c/a) than BaTi$O_3$. The magnetic hysteresis measured at room temperature suggested that the magnetic nature deviates from that of the parent LaFe$O_3$, which has antiferromagentic with a G-type spin structure. Improved magnetic behavior of the solid solution compound might be due to the increase in the canting angle of the spin. The presence of oxygen vacancies and fluctuating Fe valence, arising from the substitution of $Ba^{2+}$ and $Ti^{4+}$ at the A- and B-sites of the lattice, might contribute to bulk magnetization. The temperature dependent magnetization indicated that magnetization was higher at low temperatures and showed a decreasing trend with increasing temperature to room temperature. The magnetic transition temperature of these samples was 665 K and 743 K for the mixed system and LaFe$O_3$, respectively.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.12
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pp.555-559
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2006
Using the $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) powders prepared by the Sol-Gel method, the BST thick films were fabricated on the $Al_2O_3 $substrates coated with Pt by the screen printing method. Compared with pure BST thick films, the structural and dielectric properties of the BST thick films doped with $1{\sim}10$ wt % MgO were investigated. It was observed that the Mg substitution into BST causes a shift in the cubic-tetragonal BST phase transition peak to a lower temperature. The microstructure of the BST substituted with Mg was homogeneous and dense. Mg substitution into BST had a significant effect on the grain size reduction. Dielectric constant was decreased with increasing the MgO content and temperature. In the case of BST thick films doped with 1 wt% MgO, the relative permittivity and dielectric loss were 1581 and 1.4 % at 1 MHz.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.361-361
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2007
A lot of efforts have been paid to develop infrared imaging systems in last decades. Bolometer has a wide range of applications from military to commercial, such as military night vision, medical imaging system and so on. Bolometer is a resistive sensor that detects temperature changes through resistance change. To improve detecting ability, bolometer should have a good resistive film which has high temperature coefficient of resistance (TCR) value. Colossal magnetoresistance (CMR) $L_{1-x}A_xMnO_3$ (where L and A are trivalent rare-earth ions and divalent alkaline earth ions, respectively.) are received attention to apply bolometer resistive film because it has a high TCR property which was discovered in the metal to semiconductor phase transition temperature region. In this work, CMR films were deposited on various substrates in relative low substrate temperature by RF magnetron sputtering. The influence of deposition parameters such as substrate temperature, gas partial pressure, and so on have been studied. The structural and TCR properties of the films were also investigated for applying to microbolometer.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.456-459
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2000
Thin films of vanadium oxide(V$O_x$) have been deposited by r.f. magnetron sputtering from $V_2$$O_5$ prget in gas mixture of argon and oxygen. Crystal structure, surface morphology, chemical composition and bonding properties of films in-situ annealed in $O_2$ ambient with various heat-treatment conditions are characterized through XRD, SEM, AES, RBS and FTIR measurements. The filrns annealed below 200 $^{\circ}C$are amorphous, and those annealed above 30$0^{\circ}C$ are polycrystalline. The growth of grains and the transition of vanadium oxide into the higher oxide have been obsenred with increasing the annealing temperature and time. The increase of O/V ratio with increasing the annealing temperature and time is attributed to the diffusion of oxygen and the partial filling of oxygen vacancies. It is observed that the oxygen atoms located on the V-0 plane of $V_2$$O_5$ layer participate more readily in the oxidation process.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.12
no.1
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pp.56-61
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1999
Highly conductive oxide films of BaRuO$_3$ have been grown heteroepitaxially on (100) LaAlO$_3$ single crystalline substrates by using pulsed laser deposition. The films are c-axis oriented with an in-plane epitaxial relationship of <010><100>BaRuO$_3$ // <110>LaAlO$_3$. Atomic force microscopy (AFM) observation shows that they consist of a fine-arranged network of grains and have a mosaic microstructure. Generally temperature-dependent resistivity shows the transition from metallic curve to semiconductor-metallic twofold curve by the deposition conditions for Ru oxide based materials like SrRuO$_3$, CaRuO$_3$, BaRuO$_3$, etc.. This twofold curve comes from the structural similarity of Ru oxide based materials including BaRuO$_3$. We find that the distance of Ru-Ru bonding in the unit cell of BaRuO$_3$ as well as the grain boundary scattering could be the two important causes of these interesting conductive properties.
We studied the structural and electrical properties of $SrRuO_3$ thin films grown on $SrTiO_3$ (110) substrate. High resolution X-ray diffraction measurement of the grown film showed 1) very sharp peaks for $SrRuO_3$ film with a very narrow rocking curve with FWHM = $0.045^{\circ}$ and 2) coherent growth behavior having the same in-plane lattice constants of the film as those of the substrate. The resisitivity data showed good metallic behavior; ${\rho}$ = 63(205) ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ at 5 (300) K with a residual resistivity ratio of ~3. The observed kink at ${\rho}(T)$ showed that the ferromagnetic transition temperature was ~10 K higher than that of $SrRuO_3$ thin film grown on $SrTiO_3$ (001) substrate. The observed rather lower RRR value could be partially due to a very small amount of Ru vacancy generally observed in $SrRuO_3$ thin films grown by PLD method and is evident in the larger unit-cell volume compared to that of stoichiometric thin film.
Electrospray ionization (ESI) and ion mobility spectrometry-mass spectrometry (IMS-MS) were employed to investigate the solvated structures of ionic species in the lithium iodide electrolyte solution in the gas phase. The Li+I-Li+ triple ion and single standalone Li+ ions solvated by 1,4-dioxane were successfully generated and observed by ESI-MS under the influence of dioxane vapor at the inlet region. Under the present experimental condition, (1,4-dioxane)m·Li+ complex ions (m = 1, 2, and 3) and a (1,4-dioxane)·Li+I-Li+ complex ion were observed, which were further examined by IMS to investigate their structures. The presence of multiple structural isomers was confirmed, which accounts for the endothermic conformational transition of 1,4-dioxane from a chair to a boat to achieve bidentate O-donor binding to Li+ and Li+I-Li+. Further structural details critical for the ion-solvent interactions were also examined and discussed with the help of density functional theory calculations.
In this study, the multilayered thin films of (Ba,Sr)TiO3/K(Ta,Nb)O3 were fabricated by the sol-gel and spin coating methods, and their structural and electrical properties were investigated. The specimen showed polycrystalline X-ray diffraction (XRD) characteristics with a tetragonal structure. The average grain size and film thickness for one coating were about 30~40nm and 60nm, respectively. The phase transition temperature of specimen was lower than 10 ℃. The dielectric constant and loss at 20 ℃ of the specimen coated six times were 1,231 and 0.69, respectively. The rate of change in dielectric constant at an applied direct current (DC) voltage of the six times coated thin films was 17.3%/V. The electrocaloric effect was the highest around the temperature at which the remanent polarization rapidly changed. When an electric field of 660kV/cm was applied to the triply coated thin films, the highest electrocaloric property of 4.41 ℃ was observed.
The main purpose of this study is to characterize the size-dependent strain rate sensitivity in structural steel using the continue stiffness measurement (CSM) indentation. A series of experiments, such as CSM indentation and optical microscope examination, has been performed at the room temperature at different rate conditions. The results indicated that indentation hardness, strain rate, and flow stress showed size-dependent behavior. The dependency of indentation hardness, strain rate, and flow stress on the indentation size was attributed to the transition of the dislocation nucleation rate and the dislocation behaviors during the indentation process. Since both hardness and strain rate showed the size-dependent behavior, SRS tended to depend on the indentation depth. The results indicated that the SRS was quite high over 2.0 at the indentation depth of 240 nm and quickly dropping to 0.08, finally around 0.046 at large indents. The SRS values at large indentations strongly agree with the general range reported for several types of low-carbon steel in the literature (Chatfield and Rote 1974, Nguyen et al. 2018b, Luecke et al. 2005). The results from the present study can be used in both static and dynamic analyses of structures as well as to assess and understand the deformation mechanism and the stress-state of material underneath the indenter tip during the process of the indentation testing.
Journal of Korean Society of Industrial and Systems Engineering
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v.46
no.4
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pp.281-293
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2023
This study addresses the optimal design methodology for switching between active electronically scanned array (AESA) radar operating modes to easily select the necessary information to reduce pilots' cognitive load and physical workload in situations where diverse and complex information is continuously provided. This study presents a procedure for defining a hidden Markov chain model (HMM) for modeling operating mode changes based on time series data on the operating modes of the AESA radar used by pilots while performing mission scenarios with inherent uncertainty. Furthermore, based on a transition probability matrix (TPM) of the HMM, this study presents a mathematical programming model for proposing the optimal structural design of AESA radar operating modes considering the manipulation method of a hands on throttle-and-stick (HOTAS). Fighter pilots select and activate the menu key for an AESA radar operation mode by manipulating the HOTAS's rotary and toggle controllers. Therefore, this study presents an optimization problem to propose the optimal structural design of the menu keys so that the pilot can easily change the menu keys to suit the operational environment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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