• Corrosion Science and Technology
• /
• 제9권6호
• /
• pp.247-253
• /
• 2010

The characteristics of selective oxidation prior to hot-dip galvanizing with the annealing atmosphere dew point and chemical composition in dual-phase steels and their effect on the inhibition layer formation relevant to coating adhesion have been studied using a combination of electron microscopic and surface analytical techniques. The annealed and also galvanized samples of 3 kinds of Si/Mn ratios with varied amounts of Si addition were prepared by galvanizing simulator. The dew point was controlled at soaking temperature $800^{\circ}C$ in 15%$H_2$ -85%$N_2$ atmosphere. It was shown that good adhesion factors were mainly uniformity of oxide particle distribution of low number density and low Si/Mn ratio prior to hot-dip galvanizing. Their effect was the greatly reduced coating bare spots and the formation of uniform inhibition layer leading to good adhesion of Zn overlay. The mechanism of good adhesion is suggested by two processes: the formation of inhibition layer on the oxide free surface uncovered with no $SiO_2$-containing particles in particular, and the inhibition layer bridging of oxide particles. The growth of inhibition layer was enhanced markedly by the delayed reaction of Fe and Al with the increase of Si/Mn ratio.

• 자원환경지질
• /
• 제28권4호
• /
• pp.351-367
• /
• 1995

보포트-맥켄지 분지의 리인디어 D-27 시추공 시료에 대한 원소 지화학 및 산소동위원소 연구가 수행되었다. $K_2O$, Rb, 희토류원소의 함량 증가, Mg, Ti, Sc, Zn, Zr 등의 팔면체 원소의 감소, Be, V 등의 사면체 원소의 증가는 깊이에 따라 일라이트층의 구성비가 증가하는 일라이트/스멕타이트의 속성경향과 대비된다. 스멕타이트층과 일라이트층의 구조식은 각각 $[Al_{1.57}Fe_{.19}Mg_{.31}Ti_{.07}][Si_{3.84}A_{1.16}]O_{10}(OH)_2$와 $[Al_{1.84}Mg_{.16}][Si_{3.33}Al_{.67}]O_{10}(OH)_2$로 추정된다. 일라이트/스멕타이트의 속성과 연관하여 희토류원소의 유동이 관찰되었다. 희토류원소, 특히 La와 Ce의 깊이에 따른 함량 증가는 높은 전하가를 갖는 사면체 원소 ($V^{5+}$)의 유입과 관련이 있다. $V^{5+}$에 의한 잉여 전하는 부분적으로 낫은 전하가를 갖는 $Be^{2+}$에 의하여 상쇄되며, 또한 $Be^{2+}$에 의하여 발생되는 지엽적인 전하 불균형은 층간 이온으로는 높은 전하가 (+3)를 갖는 희토류 원소에 의하여 해소된다. 일라이트/스멕타이트의 ${\delta}^{18}O$가 (SMOW)는 2.91~15.72‰의 범위를 보이며, 걸프연안 등의 일라이트/스멕타이트와는 달리 깊이에 따라 증가한다. 일라이트/스멕타이트의 ${\delta}^{18}O$가의 증가는 공극수의 ${\delta}^{18}O$ 증가도가 깊이에 따라 증가하는 온도로 인한 동위원소 분별작용정수 (${\Delta}_{I/S-water}$)의 감소도보다 크기 때문이다. 일라이트/스멕타이트와 평형인 공극수의 ${\delta}^{18}O$가의 계산결과는 공극수의 근원이 지표수임을 지시한다. 중간 깊이에서 낮은 ${\delta}^{18}O$가를 보이는 450m 두께의 구간은 공극수가 층상화되어 있음을 의미한다. 그러나 이 깊이 구간이 낮은 일라이트층 구성비와 낮은 $K_2O$ 함량을 보이는 구간과 일치하지 않는 것으로 볼때 동위원소 교환 반응과 광물학적, 지화학적 반응은 서로 독립적으로 일어나는 것으로 해석된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.50-53
• /
• 1992

The GaP crystals are growth by Synthesis Solute Diffusion(SSD) method and its properties are investigated. Etch pits density along vertical direction of ingot is increased from 3.8${\times}$10$^4$cm$\^$-2/ of first freeze to 2.3${\times}$10$\^$5/cm$\^$-2/ of last freeze part. The carrier concentration and mobilities are measured to 197.49$\textrm{cm}^2$/V. sec and 6.75${\times}$10$\^$15/cm$\^$-3/ at room temperature. The temperature dependence of optical energy gap is empilically fitted to E$\_$g/(T)=2.3383-(6.082${\times}$10$\^$-4/T${\times}$/(373.096+T)[eV]. Photo-luminescence spectra measured at low temperature are consist with sharp line-spectra near band-gap energy and radiative recombination between shallow Si-donor to Zn-acceptor and its phonon reprica, and broad emission. The infrared absorption in GaP is cause to phonon coupling modes of TO, LO, LA, TA$_1$, TA$_2$and vibration modes of Ga$_2$O, Si-donor and Zn-acceptor, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제24권3호
• /
• pp.200-207
• /
• 2011

Abstract: The effect of lead free glass frit compositions on the properties of thick film conductor and resistor pastes were investigated. Two types lead free frits, HBF-A(without $Bi_2O_3$) and HBF-B(with $Bi_2O_3$) were made from $SiO_2$, $B_2O_3$, $Al_2O_3$, CaO, MgO, $Na_2O$, $K_2O$, ZnO, MnO, $ZrO_2$, $Bi_2O_3$. And Ag based conductor pastes and $RuO_2$ based resistor paste were prepared by mixed with these frits and functional phase(Ag and $RuO_2$), and organic vehicle. The properties of thick film conductor and resistor sintered at $850^{\circ}C$ were studied after printing on $Al_2O_3$ substrate. The morphology of the sintered films surface were SEM and EDS were carried out to analysis the chemical composition on resistor surface and state of Ru atom in frit matrix.

• 방사성폐기물학회지
• /
• 제4권1호
• /
• pp.59-64
• /
• 2006

원자력 발전소의 증기발생기 슬러지 중에서는 이온교환수지가 발견되어서는 안 된다. 원자력 발전소의 증기발생기 슬러지 시료 중에서 발견되어 이온교환수지 입자로 의심되는 구형 입자들의 특성을 측정하였다. 미세조작기술을 이용하여 광학현미경으로 입자 크기 분포를, EPMA로 구형입자의 성분을, 그리고 IR 분광 스펙트럼 비교에 의하여 이온교환수지 여부를 조사하였다. 슬러지의 입자 크기는 1 내지 $200{\mu}m$이었으나 구형 입자는 $40-500{\mu}m$이었다. 슬러지의 주요 불순원소가 Si, Al, Mn, Cr, Ni, Zn, 그리고 Ti이었으나 구형 입자는 Si, Cu, Zn 이었다. 주성분은 두 경우 모두 철이었다. 구형 입자의 IR 분광스펙트럼은 증기발생기 취출수 정화계통에서 사용하는 이온교환수지의 스펙트럼과 비교했을 때 서로 일치하지 않음을 보여주었다. 이 결과들은 증기발생기 슬러지 시료 중에서 발견된 구형 입자가 이온교환수지는 아니며 일반적인 슬러지가 생성되는 과정에서 작은 슬러지 입자들이 크게 뭉쳐서 생성된 것임을 나타내고 있다.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
• /
• 한국방사성폐기물학회 2005년도 춘계 학술대회
• /
• pp.129-136
• /
• 2005

원자력 발전소의 증기발생기 슬러지 중에서는 이온교환수지가 발견되어서는 안 된다. 증기발생기 슬러지 시료 중에서 발견되어 이온교환수지 입자로 의심되는 구형 입자들의 특성을 측정하였다. 미세조작기술을 이용하여 광학현미경으로 입자 크기 분포를, EPMA로 구형입자의 성분을, 그리고 IR 분광 스펙트럼 비교에 의하여 이온교환수지 여부를 조사하였다. 슬러지의 입자 크기는 1내지 200 ${\mu}m$이었으나 구형입자는 40-500 ${\mu}m$이었으며, 슬러지의 주요 불순원소가 Si, Al, Mn, Cr, Ni, Zn, 그리고 Ti이었으나 구형입자는 Si, Cu, Zn 이었다. 주성분은 두 경우 모두 철이었으며, IR 분광스펙트럼을 S/G 시스템에서 사용하는 이온교환수지의 경우와 비교했을 때 서로 다른 결과를 보였다. 이 결과들은 것은 증기발생기 슬러지 시료 중에서 발견된 구형 입자가 이온교환수지는 아니며 일반적인 슬러지가 생성되는 과정에서 작은 슬러지 입자들이 크게 뭉쳐서 생성된 것임을 나타내고 있다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제47권2호
• /
• pp.146-150
• /
• 2010

Because the plasma display panel has used red, green and blue(RGB) phosphors, it has suffer from two intrinsic problems; 1) the cell defect due to the lack of binding force between phosphor particles and 2) mis-discharge because of difference of electrical characteristics among RGB phosphors. In order to control the mechanical and electrical properties of RGB phosphors, frit with $ZnOB_2O_3-SiO_2-Al_2O_3$ system was added to RGB phosphor as sintering additive. The mechanical properties were increased by the amount of frit. The amount of frit under 5 wt% rarely affected dielectric constant. However, there was the limit of amount because of decreasing optical properties seriously; over 3 wt% in red, over 10 wt% in green and blue.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.198-203
• /
• 2000

This paper investigated the effects of doping elements on the Bi-Sr-Ca-Cu-O ceramics. The doping elements can be classified into four groups depending on their superconducting characteristics in the Bi-Sr-Ca-Cu-O structure. The first group of doping elements(Co, Fe, Ni and Zn) substitute into the copper site and can reduce the critical temperatures of the 2223 and 2212 phases. The second group of doping elements(Y and La) substitute into the Ca site and cause the disappearance of the 2223 phase and increase the critical temperatures in the 2212 phase. The third group of doping elements(P and K) have a tendency to decompose the superconducting phase and reduce the optimal sintering temperature. The fourth group of doping elements(B, Si, Sn and Ba) almost unaffected the superconductivity of the 2223 and 2212 phase.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
• /
• pp.25-30
• /
• 2002

The ternary semiconducting compounds of the $A_{4}BX_{6}$(A=Cd, Zn, Hg; B=Si, Sn, Ge; X=S, Se, Te) type exhibit strong fluorescence and high photosensitivity in the visible and near infrared ranges, so these are supposed to be materials applicable to photoelectrical devices. These materials were synthesized and single crystals were first grown by Nitsche, who identified the crystal structure of the single crystals. In this paper. author describe the undoped and $Co^{2+}$-doped $Zn_{4}SnSe_{6}$ single crystals were grown by the chemical transport reaction(CTR) method using iodine of $6mg/cm^{3}$ as a transport agent. For the crystal. growth, the temperature gradient of the CTR furnace was kep at $700^{\circ}C$ for the source aone and at $820^{\circ}C$ for the growth zone for 7-days. It was found from the analysis of x-ray diffraction that undoped and $Co^{2+}$-doped $Zn_{4}SnSe_{6}$ compounds have a monoclinic structure. The optical absorption spectra obtained near the fundamental absorption edge showed that these compounds have a direct energy gaps. These temperature dependence of the optical energy gap were closely investigated over the temperature range 10[K]~300[K]

• 한국가스학회지
• /
• 제5권2호
• /
• pp.14-21
• /
• 2001

LPG를 이$\cdot$충전하는 접속장치 커플러의 손상기구를 조사하기 위하여 가스 충전소에서 장기간 사용한 커플러 및 부식 시험한 6/4 단조 황동의 미세 조직 및 부식생성물의 화학조성을 조사하였다. 커플러의 운전 중에 형성된 부식피막의 화학조성은 6/4 단조 황동의 합금 원소인 CU, Zn 이외에 주로 가스 또는 대기로부터 유입된 것으로 추정되는 S, C, O, Al, Si 등의 원소들이 검출되었다. 커플러의 미세 조직은 기지조직($\alpha$) 속에 석출상($\beta$)들이 불규칙하게 분산되어 있는 2상 구조를 이루고 있었으며, 납의 함량이 높은 커플러의 경우 충격강도가 낮게 나타났다. 6/4 단조 황동의 충격강도는 $10\%$ HCl 수용액과 Mattsson 용액의 부식 환경 하에서 거의 영향을 받지 않았으나, 응력부식 시험편에서는 시험시간이 증가됨에 따라 균열이 결정립계를 따라 전파되었다.