• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제19권9호
• /
• pp.793-799
• /
• 2006

In this paper, the gate leakage current is first calculated using the experimental method between gate and drain by opening source electrode. the gate to drain current has been obtained with ground source. The difference between two currents has been tested and proves that the electric field generated by channel charge effect against the image force lowering.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제11권1호
• /
• pp.26-32
• /
• 1998

We have studied how the characteristics degradation between effective mobility and field effect mobility of gate channel in p-MOSFET's affects the gate channel length being follow by increased stress time and increased drain-source voltage stress. The experimental results between effective and field-effect mobility were analyzed that the measurement data are identical at the point of minimum slope in threshold voltage, the other part is different, that is, the effective mobility it the faster than the field-effect mobility. Also, It was found that the effective and field-effect mobility. Also, It was found that the effective and field-effect mobility of p-MOSFET's with short channel are increased by decreased channel length, increased stress time and increased drain-source voltage stress.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
• /
• pp.91-93
• /
• 2008

The organic field-effect transistors with step-edge structure were fabricated. Source and drain electrodes were obliquely deposited by vacuum evaporation. The step-edge of the gate electrode serve as a shadow mask, and the short channel is formed at the step-edge. The excellent device performances were obtained.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제41권8호
• /
• pp.17-24
• /
• 2004

Density-gradient 방법을 이용하여 게이트의 양자효과가 double-gate MOSFET의 단채널 효과에 미치는 영향을 2차원으로 분석하였다. 게이트와 sidewall 산화막 경계면에서 발생하는 2차원 양자공핍 현상에 의하여 게이트 코너에 큰 전하 다이폴이 형성되며 subthreshold 영역에서 다이폴의 크기가 증가하고 classical 결과에 비하여 전자 농도와 전압 분포가 매우 다름을 알 수 있었다. Evanescent-nude분석을 통하여 게이트의 양자효과가 소자의 단채널 효과를 증가시키며 이는 기판에서의 양자효과에 의한 영향보다 크다는 것을 확인하였다. 양자효과에 의하여 게이트 코너에 형성되는 전하 다이폴이 단채널 효과를 증가시키는 원인임을 밝혔다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제8권2호
• /
• pp.170-177
• /
• 2008

In the present work a methodology to minimize short channel effects (SCEs) by modulating the effective channel length is proposed to design 25 nm single and double gate-source/drain underlap MOSFETs. The analysis is based on the evaluation of the ratio of effective channel length to natural/ characteristic length. Our results show that for this ratio to be greater than 2, steeper source/drain doping gradients along with wider source/drain roll-off widths will be required for both devices. In order to enhance short channel immunity, the ratio of source/drain roll-off width to lateral straggle should be greater than 2 for a wide range of source/drain doping gradients.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제31A권8호
• /
• pp.34-45
• /
• 1994

We studied threshold voltages and I-V characteristics. considering short channel effect of the fully depleted thin film n-channel SOI MOSFET. We presented a charge sharing model when the back surface of short channel shows accumulation depletion and inversion state respectively. A degree of charge sharing can be compared according to each of back-surface conditions. Mobility is not assumed as constant and besides bulk mobility both the mobility defined by acoustic phonon scattering and the mobility by surface roughness scattering are taken into consideration. I-V characteristics is then implemented by the mobility including vertical and parallel electric field. kThe validity of the model is proved with the 2-dimensional device simulation (MEDICI) and experimental results. The threshold voltage and charge sharing region controlled by source or drain reduced with increasing back gate voltage. The mobility is dependent upon scattering effect and electric field. so it has a strong influence on I-V characteristics.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제22권6호
• /
• pp.58-62
• /
• 1985

이온 주입된 소형 MOSFET소자에 대한 해석적 문턱 전압 모델이 유도되었다. 일정한 도우핑 농도를 갖는 MOSFET에 적용되는 Yau 모델을 implanted channel구조와 bird's beat구조의 MOSFET에 대하여 적합한 형태로 수정하여 short channel 현상과 narrow width 현상을 정량적으로 설명하였다. Channel영역의 불순물 분포를 SUPREM 결과에서 2-step profile로 근사시켜 문턱 전압의 short channel model을 제안하였다. Weighting factor를 사용하여 bird's beat 영역의 불순물 분포를 고려함으로써 narrow width 현상을 성공적으로 설명하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제46권11호
• /
• pp.1-7
• /
• 2009

본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)으로 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 4차 및 5차 다항식으로 표현하였으며 이로부터 표면전위를 도출하였다. 표면전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱전압으로 제안하여 closed-form의 문턱전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과, 소자의 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 정확한 의존성을 확인할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권3호
• /
• pp.579-584
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 드레인유기장벽 감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자 한다. 드레인유도장벽감소 현상은 채널의 길이가 짧아질 때 드레인 전압이 소스측 전위장벽에 영향을 미쳐 장벽의 높이를 감소시키는 현상으로써 단채널에서 발생하는 매우 중요한 효과이다. 본 연구에서는 DIBL을 해석하기 위하여 이미 발표된 논문에서 타당성이 입증된 포아송 방정식의 해석학적 전위분포를 이용할 것이다. 이 모델은 특히 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 소자 파라미터인 채널두께, 산화막두께, 도핑농도 등에 대하여 드레인유도장벽감소의 변화를 관찰하고자 한다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권7호
• /
• pp.1463-1469
• /
• 2012

본 연구에서는 문턱전압이하 영역에서 이중게이트 MOSFET에서 스켈링 이론이 단채널효과에 미치는 영향을 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 출력특성을 일정하게 유지하기 위하여 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭 주파수를 해석하였다. 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하기 위하여 문턱전압, 드레인유기장벽감소 및 문턱전압이하 스윙 등을 스켈링 인자에 따라 관찰하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였다. 분석결과 단채널효과 중 문턱전압이 스켈링 인자에 가장 큰 영향을 받는다는 것을 관찰하였다. 특히 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명하였다.