• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.34-35
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• 2006

Transparent ZnO thin film transistor (TFT) is fabricated on the glass substrates. The device consists of a high mobility intrinsic ZnO as a semiconductor active channel, Ga doped ZnO (GZO) as an electrode, $HfO_2$ as a gate insulator. GZO and $HfO_2$ layers are prepared by using a pulsed laser deposition and intrinsic ZnO layers are fabricated by using an rf-magnetron sputtering, respectively. The transparent TFT is highly transparent (> 87 %) and exhibits n-channel, enhancement mode behavior with a field-effect mobility as large as $11.7\;cm^2/Vs$ and a drain current on-to-off ratio of about $10^5$.

• 자연과학논문집
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• 제7권
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• pp.11-17
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• 1995

미소 반도체 $Bil_3$ 콜로이드의 광학적 비선형 굴절율을 원형 대칭 빛살을 사용한 Z 스캔 방법으로 측정하였다. 파장 $0.532\mum$, 펄스폭 20ns에서 비선형 굴절율은 주로 열적 요인에 의한 것이었으며, 그 크기는 -1.53 x $10^12($cm^2/W) 이었고, 비선형 흡수율 크기는 7.1 x $10^8$ (cm/W) 이었다.

• ETRI Journal
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• 제38권1호
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• pp.9-17
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• 2016

We demonstrate a time- and wavelength-division multiplexed passive optical network system employing a vertical-cavity surface-emitting laser array-based optical line terminal transceiver and a tunable bidirectional optical subassembly-based optical network terminal transceiver. A packet error-free operation is achieved after a 40 km single-mode fiber bidirectional transmission. We also discuss an arrayed waveguide grating, a photo detector array based on complementary metal-oxide-semiconductor photonics technologies, and low-cost key devices for deployment in access networks.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.56-61
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• 1999

Highly conductive oxide films of BaRuO$_3$ have been grown heteroepitaxially on (100) LaAlO$_3$ single crystalline substrates by using pulsed laser deposition. The films are c-axis oriented with an in-plane epitaxial relationship of <010><100>BaRuO$_3$ // <110>LaAlO$_3$. Atomic force microscopy (AFM) observation shows that they consist of a fine-arranged network of grains and have a mosaic microstructure. Generally temperature-dependent resistivity shows the transition from metallic curve to semiconductor-metallic twofold curve by the deposition conditions for Ru oxide based materials like SrRuO$_3$, CaRuO$_3$, BaRuO$_3$, etc.. This twofold curve comes from the structural similarity of Ru oxide based materials including BaRuO$_3$. We find that the distance of Ru-Ru bonding in the unit cell of BaRuO$_3$ as well as the grain boundary scattering could be the two important causes of these interesting conductive properties.

• 한국광학회지
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• 제3권2호
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• pp.123-132
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• 1992

반도체 레이저로써 세슘원자의 상태를 선택하는 방식인 광펌핑 세슘원자시계를 개발하기 위해 Ramsey공진기, 정자장 형성전극, 형광 측정장치 등을 설계, 제작하였으며, 세슘원자빔 튜브를 구성하였다. 세슘원자빔 튜브의 Ramsey 공진기로 주입되는 마이크로파를 시계전이 주파수인 9192.6MHz 부근에서 주사시킬때 검출용 레이저에 의해 발생하는 형광을 측정함으로써 원자시계에서 기준 주파수로 사용되는 Ramsey 신호를 관측하였다. Ramsey 신호의 선폭은 200Hz이었고, 정자장의 세기는 정자장 형성전극에 전류가 0.8A가 흐를때 $8.61\muT$이었으며, 이 자장에 의해 시계전이 주파수는 약3.17Hz만큼 주파수가 높은 쪽으로 편이되었음을 알았다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제32권3호
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• pp.134-139
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• 2018

최근 초미세먼지는 사회적 재난으로 간주될만큼 국민건강에 심각하게 영향을 미쳐 사회문제가 되고 있다. 기존의 미세먼지 측정 방식은 베타선 흡수방식을 사용하여 실시간 측정 및 소형화가 어려운 단점이 존재한다. 본 논문에서는 광산란 방식을 사용하여 소형화 및 저비용의 센싱 장치를 개발하였다. 광산란 방식을 적용한 센서는 내부에 반도체 레이저 다이오드를 사용하여 구성하였으며, 전압레벨의 신호를 주파수레벨로 변환하여 기존 방식의 한계를 극복하고 미세먼지 입자 크기별 분리가 가능하도록 구현하였다. 또한 개발 시스템은 블루투스 통신으로 스마트폰과 연결하여 미세먼를 모니터링하고, 장치를 제어할 수 있다.

• 한국정밀공학회지
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• 제11권1호
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• pp.150-156
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• 1994

To meet the process requirement of semiconductor device manufacturing, it is necessary to improve the alignment accuracy in exposure equipments. We developed the excimer laser stepper and will describe the methodology for alignment measurement and experimental results. Our wafer alignment system consists of off-axis optics, TTL(Through The Lens) optics and high precision stage. Off-axis alignment utilizes the image processing and /or diffraction from thealign marks of off-centered chip area. On the other hand, TTL alignment can be used for the die-by-die alignment using dual beam interferometry. When only off-axis alignment was used, the experimental alignment error(lml+3 .sigma. ) was 0.26-0.29 .mu. m, and will be reduced down to 0.15 .mu. m by adding TTL alignment.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제25권2호
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• pp.116-121
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• 2014

본 본문은 Bio-MEMS 공정으로 제작한 마이크로 세포 분석 바이오칩을 사용하여 적혈구의 광학적 특성을 전압으로 측정한 실험이다. Bio-MEMS 공정을 이용하여 세포의 원활한 이동과 측정 분석에 사용되는 글라스에 채널 패턴 에칭을 위하여 포토리소그래피(photolithography)와 산화완충식각(BOE: buffered oxide etchant) 공정 조건, 세포 분석과 정보 전달에 사용되는 광섬유의 에칭을 위하여 산화완충식각 공정 조건, 세포나 유체를 칩과 외부의 전달 등에 사용되는 글라스의 홀을 위하여 전기화학방전(ECD: electro chemical discharge) 공정 조건, 글라스 접합을 위한 자외선반응접합(UVSA: ultraviolet sensitive adhesives) 공정 조건을 정립하였다. 또한 유체나 세포의 흐름 제어를 위한 라미나 흐름 조건, 적혈구세포에 대한 산란빔 파형을 측정하였다. 적혈구 실험을 통하여 출력 광섬유의 각도에 따른 산란빔이 출력측의 광섬유각도가 $0^{\circ}$일 때 약 17 V, 각도가 $5^{\circ}$일 때 약 10 V, 각도가 $10^{\circ}$일 때 약 6 V, 각도가 $15^{\circ}$일 때 약 4 V의 전압(Vpp)으로 측정되었다. 따라서 마이크로 세포 분석 바이오칩 제작의 소형화, 단순화, 공정신간 단축, 정량화하였고 적혈구의 광학적 특성을 측정을 측정함으로써 의공학(biomedical), 바이오칩공학(biochip), 반도체공학(semiconductor), 생물정보학(bioinformatics) 등의 응용과학 분야 발전에 기여할 것으로 기대한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.191-194
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• 2000

In this study, we have investigated the photoinduced birefringence(PB), ${\Delta}n$ in chalcogenide $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film with a He-Ne Laser at 633nm as In this study, we have investigated the photoinduced birefringence(PB), ${\Delta}n$ in chalcogenide $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ thin film with a He-Ne Laser at 633nm as a pumping beam and a semiconductor laser at 780nm as a probing beam. The PB for the variable thickness of thin films was investigated. The thickness of the thin films is about $0.4{\mu}m$, $0.92{\mu}m$, $1.4{\mu}m$, $2.0{\mu}m$, respectively. The experimental result of PB in chalcogenide thin films was represented higher PB in the thickness of thin film, $0.92{\mu}m$. It was meant to represent higher PB in the thickness of the film that was made closely the optimal thickness, $0.96{\mu}m$. The optimal thickness of thin film, $0.96{\mu}m$ was calculated by the penetration depth of the pumping light Also, the PB in thickness of $0.92{\mu}m$ was obtained almost two times higher 0.15 than other thickness of thin films.

• 한국진공학회지
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• 제21권5호
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• pp.264-272
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• 2012

본 논문에서는 InGaAs 반도체에 기반한 테라헤르쯔(THz) 송/수신기(Tx/Rx) 제작을 위한 기초 연구로서, InGaAs 박막의 THz 발생 및 검출 특성에 관한 결과를 보고한다. THz 발생과 검출 특성 조사에는 각각 MBE 장비로 고온(HT) 및 저온(LT)에서 성장한 InGaAs 박막이 사용되었으며, THz 발생에는 photo-Dember 표면방출 방법이 시도되었다. HT-InGaAs 기판 위에 제작한 전송선(Ti/Au)의 가장자리에 Ti:Sapphire fs 펄스 레이저(60 ps/83 MHz)를 조사하여 THz파를 발생시켰으며, 이때 THz 검출에는 LT-GaAs가 사용되었다. 시간지연에 따른 전류신호를 Fourier 변환하여 얻은 THz 스펙트럼의 주파수 범위는 약 0.5~2 THz이었으며, 여기 레이저 출력에 대한 신호의 세기는 지수함수적 변화를 보였다. THz 검출 특성에 사용한 LT-InGaAs Rx에는 쌍극자(5/20 ${\mu}m$) 구조의 안테나가 탑재되어 있으며, 차단 주파수는 약 2 THz이었다.