• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권2호
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• pp.35-39
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• 2018

광결합 효율(Fiber coupling efficiency)을 개선하기 위해서는 Laser diode에서 넓은 각도로 방출된 빛을 광섬유의 중심(Core) 부분으로 모아주는 집광렌즈(Collimating lens)가 필수적이다. 현재 사용되는 집광렌즈는 형틀(Mold)을 이용한 글래스 몰드(Glass mold) 공법이 널리 사용되고 있다. 이 방식은 생산단가가 저렴하지만, 정교한 성형이 어렵고 구면수차와 같은 품질문제가 있다. 본 연구는 기존의 글래스 몰드 공법을 반도체 공정으로 대체함으로써 표면 가공의 정밀도를 높이고, 렌즈의 재질 또한 반도체 공정에 적합한 실리콘으로 변경하였다. 반도체공정은 PR을 이용한 포토리소그래피(Photolithography) 공정과 플라즈마를 이용한 건식 식각(Dry etching) 공정으로 구성된다. 광결합 효율은 실리콘 렌즈의 광학적 특성을 평가하기 위해 초정밀 정렬 시스템을 사용하여 측정되었다. 그 결과, 렌즈 직경 $220{\mu}m$ 일 때의 최대 광결합 효율은 50%로 측정되었고, 렌즈 직경 $210-240{\mu}m$ 범위에서는 최고 광결합 효율 대비 5% 이하의 광결합 특성저하를 보여줌을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제10권4호
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• pp.270-275
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• 2000

Metal/ferroelectric/insulator/semiconductor(MFIS)-Field Effect Transistor을 위한 Pt/YMnO$_3$/Y$_2$O$_3$/Si 구조를 제조하여 MFIS 구조의 특성에 미치는 $Y_2$O$_3$박막의 영향을 고찰하였다. PLD법을 이용하여 p=type Si(111) 기판 위에 증착시킨 $Y_2$O$_3$박막은 증착온도와 관계없이 (111)방향으로의 우선배향성을 갖고 결정화 되었다. 실리콘 위에 바로 MOCVD법에 의해 강유전체 YMnO$_3$박막을 증착시킨 경우 실리콘과의 계면에서 Mn이 부족한 층이 형성되지만 $Y_2$O$_3$가 실리콘과 YMnO$_3$사이에 삽입된 경우는 $Y_2$O$_3$바로 위에서부터 화학양론비에 일치하는 양질의 YMnO$_3$박막을 얻을 수 있었다. 85$0^{\circ}C$, 100mtorr의 진공분위기에서 열처리한 YMnO$_3$박막은 $Y_2$O$_3$가 삽입된 경우 memory window 값이 $Y_2$O$_3$가 삽입되지 않은 경우보다 더 큰 값을 보였으며 5V에서 1.3V의 값을 보였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권5호
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• pp.262-264
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• 2014

Pristine ZnO, 3 wt.% Ga-doped (3GZO) and 3 wt.% Ag-doped (3SZO) ZnO nanowires (NWs) were grown using the hot-walled pulse laser deposition (HW-PLD) technique. The doping of Ga and Ag in ZnO NWs was observed by analyzing the optical and chemical properties. We optimized the synthesis conditions, including processing temperature, time, gas flow, and distance between target and substrate for the growth of pristine and doped ZnO NWs. The diameter and length of pristine and doped ZnO NWs were controlled under 200 nm and several ${\mu}m$, respectively. Low temperature photoluminescence (PL) was performed to observe the optical property of doped NWs. We clearly observed the shift of the near band edge (NBE) emission by using low temperature PL. In the case of 3GZO and 3SZO NWs, the center photon energy of the NBE emissions shifted to low energy direction using the Burstein Moss effect. A strong donor-bound exciton peak was found in 3 GZO NWs, while an acceptor-bound exciton peak was found in 3SZO NWs. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) also indicated that the shift of binding energy was mainly attributed to the interaction between the metal ion and ZnO NWs.

• 세라미스트
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• 제21권3호
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• pp.249-269
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• 2018

In conventional MALDI-TOF mass spectrometry, analyte molecules are known to be ionized by mixing with organic matrix molecules. As the organic matrix molecules are made into small fragments, they generate unreproducible mass peaks such that MALDI-TOF mass spectrometry is nearly impossible in the low mass-to-charge (m/z) range (< 1000). Additionally, the dried sample mixed with matrix were made as inhomogeneous crystal on metal plate. When the laser radiation was made on the sample crystal, the amount of generated sample ion was observed to be quite different according to the radiation point. Therefore, the quantitative analysis was very difficult even for the sample spots at the same concentration for the conventional MALDI-TOF mass spectrometry. In this work, we present laser desorption/ionization (LDI) mass spectrometry based on solid-matrices for the quantitative analysis of small molecules in the low m/z range by using MALDI-TOF mass spectrometry: (1) Carbon based nanostructures; (2) Semiconductor based nanomaterials; (3) Metal based nanostructures.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.738-742
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• 2005

Rapid Prototype has been used to design and Production of part in a variety of fields ; Car, Electronic products, Aviation, Heavy industry etc. Moreover development of hardware gave rise to use the method of Rapid Prototype more and more at high precision and complicated shapes. Expecially, to be using process of products that shapes of Micro-hole ; Cellular phones, Antennas, Jewels, Semi conductor cases. In case of Micro-shape, precision of the shape turns on various condition ; Laser size, Laminate height, scanning speed, overcure, viscosity of resin, etc. Sometimes breaks out the case that interner hole of shape is blocked by viscosity of resin. The phenomenon has solved easily to reduce viscosity of resin. But, in case of the method brings about the problem that strength goes down in actuality products hardening. This study on verify to change of shape of Micro-hole and makes the semiconductor case which has shape of Micro-hole by using resin of higher viscosity, scanning speed and overcure

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권4호
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• pp.472-477
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• 1995

The degree of the photodoping process in Ag(100[.angs.])/a-Se$_{75}$Ge$_{25}$(1500[.angs.]) films has measured as a function of the photon energy between 1.5[eV] and 2.9[eV] with the exposing time. The "window" characteristics of Ag occur at 3400[.angs.] (3.65[eV]) and Ag is almost transparent in this region. It is shown that transmittance is almost constant (40-50%) for the wavelength ranges of our experiment. It is found that the energy gap of a unexposed a-Se$_{75}$Ge$_{25}$ film is 1.81[eV]. Ag photodoping process results in the photodarkening effect which the absorption edge shifts to the long wavelength. Especially, very large band shift (-0.3[eV]) is obtained by exposing He-Ne laser(6328[.angs.]).. We have obtained "the U-type property" for Ar He-Ne and semiconductor laser. It is associated with the variation of energy gap(E$_{g}$) with photo-dose and substantially is explained by DWP model.l.gap(E$_{g}$) with photo-dose and substantially is explained by DWP model.

• 한국재료학회지
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• 제17권6호
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• pp.308-312
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• 2007

Chromium oxide thin films have been deposited on silicon substrates using a tabletop 9kJ mathertyped plasma focus (PF) device. Before deposition, pinch behavior with gas pressure was observed. Strength of pinches was increased with increasing working pressure. Deposition was performed at room temperature as a function of working pressure between 50 and 1000 mTorr. Composition and surface morphology of the films were analyzed by Auger Electron Spectroscopy and Scanning Electron Microscope, respectively. Growth rates of the films were decreased with pressure. The oxide films were polycrystalline containing some impurities, Cu, Fe, C and revealed finer grain structure at lower pressure.

• 한국광학회지
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• 제8권2호
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• pp.165-168
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• 1997

780 nm의 반도체 레이저, compact disk의 광 pick-up용 actuator, 그리고 4분할 photodiode를 이용하여 scanning confocal microscope를 구성하여 시료면의 높이와 재질의 차이를 측정하였다. 4분할 photodiode에 검출되는 오차 신호를 이용하여 렌즈가 장착되어 있는 actuator를 움직이면서 시료면에 레이저 광속의 초점이 항상 위치하도록 하였으며, 이 때 actuator에 흐르고 있는 전류를 시료면의 높이로 나타내어 3차원 영상으로 표현하였다. 또한 재질의 차이는 4분할 photodiode에 검출되는 합산 신호를 이용하여 컬러 프린터에 나타나는 3차원 영상의 색을 다르게 나타내었다. 전체적인 크기도 30 mm * 20 mm * 20 mm 로서 작고 간단하며 scan 영역은 최대 1.6 mm * 1.6 mm이다. 반사광의 세기를 이용한 scanning confocal microscope의 영상과 4분할 photodiode에 검출되는 오차 신호를 적분하는 방식을 이용한 scanning confocal microscope의 영상을 구하여 그 차이를 비교하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1163-1171
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• 2007

본 논문에서는 OPLL의 기술적 구성 요소인 주파수 및 위상 차이 검출기, 루프 여파기, VCO 반도체 레이저의 위상 잡음 설계에 대하여 이론적으로 검토하였으며, 설계 파라미터들을 도출하였다. 계산된 파라미터들로 구현한 설계 및 실험 결과, 주파수 및 위상 검출기는 헤테로다인된 차이 주파수와 1.5 GHz 기준 주파수 사이의 에러 성분을 이론식에 맞게 추출하였으며, 주파수 및 위상 고정 범위는 ${\pm}150MHz$이었다. 본 논문은 헤테로다인 위상 고정 루프 구현에 대한 설계 및 실험 결과를 기술하였다.

• 한국광학회지
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• 제14권1호
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• pp.92-96
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• 2003

공진기 내에 유전체 개구를 채용하고, $a-So/SiO_2_2$를 브라그 거울로 이용하고, 발진 파장이 38 $\mu\textrm{m}$인 표면 발광 테라헤르츠 레이저의 브라그 거울의 반사율을 계산하여 공진기 내 개구에 의한 회절 손실을 계산하였다. 공진기 내 개구의 크기, 위치, 두께 모두 회절 광 손실에 영향을 주는 것을 알 수 있었다 개구의 크기가 발진 파장의 5배 이상이면 개구의 두께가 회절 손실에 미치는 영향이 미미하나, 개구의 크기가 발진 파장보다 작은 경우에는 개구의 두께가 회절 광 손실에 많은 영향을 주는것을 알 수 있었다. 이러한 회절 손실을 줄이고 충분한 반사율을 얻기 위해서는 레이저 개구의 두께가 3nm 경우에 개구의 크기는 적어도 1$\lambda$이상이 되어야 함을 알 수 있었다.