반도체검출기는 소형 및 방사선에 고감도특성을 갖고 있으나, 고에너지 광자선 및 전자선등의 조사에 의해 손상을 입어 감도저하를 초래하게 되며 계측시 선량재현성을 기대하기어려워진다. 실험대상은 P-형 실리콘 반도체검출기이며 선량율, 김출방향 및 온도 변화에 따른 선량특성이 조사되었고, 선량재현성을 높이기 위해 18 MeV 고에너지전자선으로 3KGy까지 전처리조사하고 광자선 및 전자선의 전처리조사선량에 대한 감도특성변화를 얻었다. 전처리조사가 작은 0.5KGy인 경우, 저선량율과 고선량율하의 단위선량당 감도는 약 35%의 차이를 보였으며 .3KGy인 경우 약 20%의 차이를 보여 전처리선량이 클 수록 감도차는 작아짐을 알수 있다. 실리콘 반도체검출기의 검출방향성은 임의의 조사각에서 최저치와 최대치의 선량차가 약 13%를 나타내었으며, 검출기의 온도의존성은 4도에서 35도까지 거의 선형성을 보였다.
Among a variety of cleaning processes, the cryogenic carbon dioxide ($CO_2$) cleaning has merits because it is highly efficient in removing very fine particles, innoxious to humans and does not produce residuals after the cleaning, which enables us to extend its area of coverage in the semi-conductor fabrication society. However, the cryogenic carbon dioxide cleaning method has some technical research issues in aspect to particles' adhesion and removal. To resolve these issues, performing an analysis for the identification of particle adhesion mechanism is needed. In this study, a research was performed by a theoretical approach. To this end, we extended the G-T (Greenwood-Tripp) model by applying the JKR (Johnson-Kendall-Roberts) and Lennard-Jones potential theories and the statistical characteristics of rough surface to investigate and identify the contact, adhesion and deformation mechanisms of soft or hard particles on the rough substrate. The statistical characteristics of the rough surface were taken into account through the employment of the normal probability distribution function of the asperity peaks on the substrate surface. The effects of surface roughness on the pull-off force for these particles were examined and discussed.
As a micro computer or micro processor technology has been advanced, the essential part which consists of electric power system has been changed into intelligent electronic device(IED), that is one kind of embedded system. There are already many parts changed into digital from analog in control and maintenance devices of electric system. These trends make advanced and novel concepts of devices and systems, that we couldn't even imagine in the analog circumstances. Now, the rate's of change is comparatively slower than IT field that is mainly represented by mobile communication, but that is a big change in the history of electric industries. Some people in those field called it Power-IT, and there have been many kinds of researches. Accelerated systems to go digital, users always and continuously demand more convenient, practical, and new functions. So, a lot of electric system manufactures have had tasks realizing many kinds of functions in an electronic device. According to the high-end technologies in semi-conductor and micro-computer field, manufactures can fully satisfy almost all of customer's needs, but there are other kinds of problems, such as large amount of program code, increasing complexity in proportion with program amount, and the hardness of maintenance and revision of the program. So nowadays, the necessity of embedded OS was emerged as a solution, and many researchers and manufactures have concentrated on studies related to embedded OS and its application.
In this paper, $Si_3N_4/hBN$ ceramics with various hexagonal boron nitride (hBN) contents (0, 10, 20, or 30 wt%) were fabricated via spark plasma sintering (SPS) at $1500^{\circ}C$, 50MPa, and 10m holding time. The material properties such as the relative density, hardness, and fracture toughness were systematically evaluated according to the hBN content in the $Si_3N_4/hBN$ ceramics. The results show that relative density, hardness, and fracture toughness continuously decreased as the hBN content increased. In addition, peak-step drilling (with tool diameter $500{\mu}m$) was performed to observe the effects of hBN content in micro-hole shape and cutting force. A machined hole diameter of $510{\mu}m$ (entrance) and stable cutting force were obtained at 30 wt% hBN content. Consequently, $Si_3N_4/30wt%$ hBN ceramic is a feasible material upon which to apply semi-conductor components, and this study is very meaningful for determining correlations between material properties and machining performance.
The exchange rate volatility has been increased since the time when the floating exchange rate system was introduced in Korea. As a result, the increase of the exchange rate volatility raised the risk in international trades in Korea. The purpose of this study in to study the feature of exchange rate volatility and the main sources of its increase and to confirm whether the exchange rate volatility influence export volume and price of Korea. In the first place, I measured exchange rate volatility with two methods. The one is descriptive statistic method such as the width of daily exchange rate fluctuation and the rate of exchange rate devaluation. The other is the time varying conditional variance of exchange rate. Then, I studied the sources of exchange rate volatility. In the second place, I defined the exchange rate volatility as the time varying conditional variance and estimated it by using elastic a approach model which shows exchange rate is affected by itself and its conditional variance, I estimated its effects on export volumes and prices of electric home appliances, information & communication equal and semi-conductor. The result of this study is as follows. With presumed result EU and Korea because is not the goods which is to substantial competition relationship, The effect where the relative value change of presumed result expression anger and the dollar of import and export function goes mad to the import and export of Korea the income compared to is to export and it is appearing a lot. The EU goods is sold more expensively the Korean goods than from about length being caused by American market of the dollar and the balance of trade of Korea is visible like being visible the improvement of single breadth. Because the relationship of competition is weak but substantially there is to a short term and expression - the effect where the dollar rate fluctuation is big in Korean trade there is a possibility of saying that widely known it is not.
저진공펌프의 내구성평가와 관련하여 펌프의 성능이나 상태의 저하에 관한 기술적 근거를 확보함으로써 펌프의 운전상태를 진단할 수 있는 기초기술을 확보할 수 있으며, 이는 진공펌프의 기계적 결함 및 성능평가 장치의 동적 응답과 신뢰도 구축에 중점을 두고 신호 분석을 통하여 실험적으로 기계적인 동적 특성을 확인하는 과정을 통하여 수행할 수 있다. 저진공펌프의 압축일에 소요되는 전력을 이론적으로 규명하고 펌프의 압축일을 계산하였으며, 소비전력에 대한 진공펌프의 에너지 효율을 예측하여 펌프 노화에 따르는 소비전력의 증가 원인을 규명하는 자료로 활용할 수 있다. 또한 저진공펌프의 가동 중에 측정한 진동, 압력신호, 배기속도 및 소비전력을 측정하고 분석하여 펌프 운전상태를 감시하는데 매우 유용한 인자가 무엇인지 확인하였으며 추후 연구의 방향과 내구성평가의 기초기술을 확보하였다.
본 연구에서는 니켈의 가공시 나타나는 공구의 마멸에 대한 정량화 및 절삭변 수와의 연관성에 대한 연구는 그 자체가 마멸에 대한 데이터 베이스 측면에서 중요하 고, 이러한 접근방법으로는 연구가 거의 이루어지지 않았다는 측면에서도 큰 의미를 갖는다. 본 연구는 특히 경도가 큰 공구인 CBN, 소결 다이아몬드(poly crystal dia- mond 이하 PCD), 단결정 다이아몬드(single crystal diamond 이하 SCD)공구를 사용하 여 니켈의 절삭에서 나타나는 공구의 마멸에 대한 분석을 선행한 후 수집한 정보로부 터 절삭속도, 이송, 절삭깊이 및 공구의 nose반경이 공구의 마멸 및 표면의 성상(su- rface quality)에 미치는 영향에 대하여 고찰하였고 절삭조건의 변화에 따라 마멸에 대한 예상 곡선을 구하였다.
Recently, oxide semi-conductor materials have been investigated as promising candidates replacing a-Si:H and poly-Si semiconductor because they have some advantages of a room-temperature process, low-cost, high performance and various applications in flexible and transparent electronics. Particularly, amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) is an interesting semiconductor material for use in flexible thin film transistor (TFT) fabrication due to the high carrier mobility and low deposition temperatures. In this work, we demonstrated improvement of flexibility in IGZO TFTs, which were fabricated on polyimide (PI) substrate. At first, a thin poly-4vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate for making a smooth surface up to 0.3 nm, which was required to form high quality active layer. Then, Ni gate electrode of 100 nm was deposited on the bare PVP layer by e-beam evaporator using a shadow mask. The PVP and $Al_2O_3$ layers with different thicknesses were used for organic/inorganic multi gate dielectric, which were formed by spin coater and atomic layer deposition (ALD), respectively, at $200^{\circ}C$. 70 nm IGZO semiconductor layer and 70 nm Al source/drain electrodes were respectively deposited by RF magnetron sputter and thermal evaporator using shadow masks. Then, IGZO layer was annealed on a hotplate at $200^{\circ}C$ for 1 hour. Standard electrical characteristics of transistors were measured by a semiconductor parameter analyzer at room temperature in the dark and performance of devices then was also evaluated under static and dynamic mechanical deformation. The IGZO TFTs incorporating hybrid gate dielectrics showed a high flexibility compared to the device with single structural gate dielectrics. The effects of mechanical deformation on the TFT characteristics will be discussed in detail.
합성 사파이어 기판 시료-GaN반도체의 성장기판으로 사용된-의 내재하는 결함 형태를 전통적인 투과식 전자현미경 조사기법 (TEM), LACBED, HAADF-STEM 방법으로 관찰 분석하였다. 이 시료에서 주로 발견된 결함들은 두께 ${\sim}2nm$에서 32nm를 가진(0001)면 미소 쌍정(basal microtwins), 모체 결정과의 계면 주위의 변형 결함, (0001)면 전위결함(basal dislocations), 그리고 {$2\bar{1}\bar{1}3$} 피라미드 미끄럼면 중 한 면에서 일어나는 복잡한 형태의 전위 결함들이다 이들(0001)면 및 {$2\bar{1}\bar{1}3$}면에 전위 결함들은 미소 쌍정과 강하게 관련되어 일어나는 것으로 보인다. 또한 전위결함 밀도는 매우 균일하지 않으며 수 ${\mu}m$의 크기의 결함 밀집 영역에서는 그 밀도가 ${\sim}10^{10}/cm^2정도만큼 높지만 시료 전체에서의 평균은 대체적으로 ${\sim}10^5/cm^2보다 작다. 이 값은 보통 합성되는 결정에서 평균적으로 예상되는 수치이다.
열전반도체를 이용한 소형열펌프의 개념 설계를 시도하고, 열역학적인 해석을 통하여 시스템의 성능을 예측하였으며 각 변수들이 시스템에 미치는 영향을 조사하였다. 일정한 조건 즉, $\mu$(=nν), J(=nI) 및 물의 유입 온도(Twi)가 주어졌을 때 대기의 온도 T$_{a}$ 가 증가할수록 성능계수와 냉방용량은 감소한다. 일정 냉방용량의 시스템을 설계하는 문제는 대기 온도와 물의 입구온도가 주어지면 $\mu$, J를 결정하는 문제로 귀결되며 기 제작된 열전소자를 사용한다면 v는 제작할 때 정해지므로 결국 n, ν, I의 최적 조합을 구하는 문제가 된다. 냉방용량 및 물의 온도가 주어졌을 때 $\mu$가 증가할수록 J가 증가하는 경향을 보인다. $\mu$-J 곡선과 최적 $\mu$값으로부터 최적 전류를 계산한다. 냉방 용량이 일정할 때 유량이 증가함에 따라 성능계수가 증가하며 COP$_{R}$ 증가의 경향은 대기온도가 낮을 수록 뚜렷하다. 흡열부보다 방열부의 열전달 계수가 시스템의 성능에 미치는 영항이 크다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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