A Study on the TCAD Simulation to Predict the Latchup Immunity of High Energy Ion Implanted CMOS Twin Well Structures (고 에너지 이온 주입된 CMOS 쌍 우물 구조의 레치업 면역성 예측을 위한 TCAD 모의실험 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.13 no.2
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- pp.106-113
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- 2000