Interface State Control of Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor by Surface Treatment of Gate Insulator (게이트 절연막의 표면처리에 의한 비정질 인듐갈륨징크옥사이드 박막트랜지스터의 계면 상태 조절)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.24 no.9
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- pp.693-696
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- 2011