• 센서학회지
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• 제6권1호
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• pp.43-48
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• 1997

$Ca_{10}(PO_{4})_{6}(OH)_{2}$ 감습소자를 고상반응법을 이용하여 제조하고, 그의 감습특성을 조사하였다. 상대습도가 증가함에 따라 임피던스는 감소하며 $30{\sim}90\;%$의 습도영역에서 임피던스의 변화가 약 $10^{2}\;{\Omega}$ 정도로 우수한 감도를 보임을 알 수 있다. 또한 감습도는 주위 온도변화와 습기에의 장시간 노출에 안정된 특성을 나타내었다. 시편의 열처리에서도 감도의 변화가 없으며, 흡습 및 탈습에 따른 히스테리시스 특성은 거의 나타나지 않았다.

• 전기학회논문지
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• 제63권9호
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• pp.1227-1232
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• 2014

The purpose of this paper is to establish the optimum fabricating condition of specimens using silk screen printing, and to develop humidity sensor which has good humidity sensing properties. The specimens are fabricated under the condition of 90[wt%] $SnO_2$-10[wt%] $TiO_2$, and their microstructure, crystalline structure, humidity sensing properties are examined. From the microstructure analyses, porosity is best at 700[$^{\circ}C$]. From the crystalline structure analyses, intensity of peak becomes strong according to increasing heat treatment temperature. From the humidity sensing properties analyses, an overall results of capacitance changes, linearity and hysteresis for the specimens is best at 600[$^{\circ}C$] and 700[$^{\circ}C$]. Capacitance of specimens increases according to decreasing measurement frequency, and to increasing relative humidity.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.436-442
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• 2007

Physical properties and impedance-humidity characteristics of carbon nitride films were investigated for micro-humidity-sensors. Carbon nitride films were deposited in low temperature and low power for application of semiconductor fabrication process, and empirical equation was proposed for thickness evaluation. Deposited films had an uniform and compact surface comparing with previously reported results, which was expected a good candidate for humidity sensing materials. Carbon nitride humidity sensors based on Si substrate revealed good humidity-impedance characteristics with a wide range of relative humidity and showed low hysteresis.

• 센서학회지
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• 제8권1호
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• pp.32-37
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• 1999

본 연구에서는 다공질 실리콘층을 감습재료로 사용한 메사 구조를 갖는 정전용량형 습도센서를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 센서의 구조적 특징은 기존의 웨이퍼 상하에 전극을 배치한 구조와 달리, 두 전극의 위치를 시료의 상부에 두도록 함으로서 집적화를 용이하게 할 뿐만 아니라, 하부 기판과 다른 접합영역으로부터 발생하는 정전용량의 영향을 차단하여 출력신호의 신뢰성을 개선하였다. 이를 위해 산화 다공질 실리콘의 형성과 빠른 에칭특성을 이용하여 메사 구조를 만들고, 다공질 실리콘층의 선택적 형성과 감광막을 마스크막으로 이용하여 다공질 실리콘층을 국부적으로 형성하였다. 그리고 완성된 시료에 대해 상온에서 55 - 90% 이상의 상대 습도 범위에서 감습특성을 측정하였다. 그 결과, 습도가 증가했을 때 측정된 정전용량은 전체적으로 단조 증가하였으며, 120 Hz의 저주파수에서 측정했을 때 정전용량이 300%이상 증가하는 높은 변화를 보였다

• 폴리머
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• 제33권4호
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• pp.326-332
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• 2009

새로운 감습성 단량체인 N-methacryloyl-N'-ethyl-N'-propyl piperazinium bromide(MANEPPB)를 N-methacryloyl-N'-ethyl piperazine(MANEP)와 1-bromopropane의 4차염화 반응에 의하여 합성하였다. MANEPPB/MMA/AA=60/35/5, 70/25/5, 80/15/5, 90/5/5 및 95/0/5 조성의 전해질 공중합체를 감습막으로 사용하기 위하여 제조하였다. 상기 감습액에 아지리딘 가교제인 trimethylolpropane tris(2-methyl-1-aziridinopropionate)(TTAP)를 혼합하여 금 전극 위에 침적법에 의하여 도포하고 가교반응을 진행하여 습도센서를 제조 하였다. 상대습도에 대한 습도센서의 저항을 측정하였을 때, $20{\sim}90%RH$ 상대습도 영역에서 $10^3$의 저항 값이 변화하였으며, 이것은 상용 습도센서로서 대기의 습도를 측정하는데 요구되는 특성을 보여주었다. 그 밖에 온도 의존성, 주파수 의존성, 히스테리시스, 응답 및 회복 속도 그리고 내수성을 측정하여 습도센서로서 특성을 평가하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
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• pp.25-28
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• 2000

A capacitance-type humidity sensors in which porous silicon layer is used as humidity-sensing material was developed. This sensors was fabricated monolithically to be compatible with the typical IC process technology except for the formation of porous silicon layer. As the sensors is made as a mesa structure, the correct measurement of capacitance is expected because it can remove the effect of the parasitic capacitance from the bottom layer and another junctions. To do this, the sensor was fabricated using process steps such as localized formation of porous silicon, oxidation of porous silicon layer and etching of oxidized porous silicon layer. From completed sensors, capacitance response was measured on the relative humidity of 25 to 95% at room temperature. As the result the measured capacitance showed the increase over 300% at the low frequency of 120Hz, and showed little dependence on the temperature between 10 to $40^{\circ}C$.

• 전기화학회지
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• 제6권3호
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• pp.212-216
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• 2003

고분자전해질형 연료전지에 사용되는 외부 및 내부 가습기를 통과한 반응 기체의 상대습도와 온도를 측정한 자료가 실시간으로 컴퓨터에 입력되어지는 시스템을 자체적으로 구성하였다. 이 시스템을 이용하여 측정한 경우 10-20분이 경과한 후에 습도 값이 안정되었으므로 가습 측정치에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있었으며, 여러 가지 가습의 영향을 해석할 수 있었다. 측정 장비의 이상을 초래할 수 있는 상대 습도가 $100\%$부근의 영역에서 지속적으로 측정을 수행할 경우 센서의 오작동 내지 고장의 원인이 될 수 있었으므로 실험시 주의가 필요하였다. 가습기를 통과한 반응기체는 유량이 증가할수록 가습되는 양은 증가하나, 일정 유량 이상이 되면 그 증가폭이 감소하는 경향을 보였는데 이는 가습기 출 통과하는 기체의 체류 시간 영향에 기인한 것으로 추정되어진다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권11호
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• pp.865-871
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• 2017

본 논문에서는 기존의 플루오린화 수소산(hydrofluoric acid)을 이용한 꼬인 형태의 광섬유형 결합기 표면에 젤라틴 수용액을 코팅한 뒤 흡수체로 활용하여 상대 습도 측정에 이용하였다. 제안한 광섬유형 습도 측정 센서는 기존 전자 소자를 이용한 감지 방식과 비교하면 값이 매우 저렴하며 광섬유 및 빛이 갖는 다양한 장점들을 취하고 있다. 본 논문에서 제시한 광섬유형 습도 센서는 상대습도 기준 약 40 %에서부터 85 %까지 측정한 결과를 보여주었으며, 계산 결과와도 그 경향이 잘 일치하는 것을 알 수 있다. 본 논문에서 제시한 광섬유형 결합기 센서 구조는 향후 센서 분야에서 습도 및 다양한 위험 기체를 감지할 수 있는 역할로 유망한 역할을 맡을 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 하계학술대회 논문집
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• pp.198-200
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• 1991

In this study we fabricated thin organic polymer films on the comb-electrode by plasma polymerization methode in electrode gas flow type reactor. The dielectric constant of polymer films were increased by increasing relative humidity and we used free volume theory in order to explain the mechanism of water absorption phenomena of polymer films.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1066-1068
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• 1995

The formation properties and oxidation mechanism of electrochemically oxidized porous silicon(OPS) films have been studied. To examine the humidity-sensitive properties of OPS films, surface-type and bulk-type humidity sensors were fabricated. The oxidized thickness of porous silicon layer(PSL) increases with the charge supplied during electrochemical oxidation and current density. The humidity sensor shows high sensitivity at high relative humidity in low temperature. The sensitivity and linearity can be improved by increasing a porosity of PSL.