Cl 불순물 도핑에 따른 $SnSe_2$ 이차원 전자소재의 고온(300~450 K) 전도 물성 변화를 고찰하였다. 고상합성법을 통하여, 도핑이 없는 $SnSe_2$ 소재와 Cl이 도핑된 $SnSe_{1.994}Cl_{0.006}$ 소재를 합성하였으며, X선 회절 실험을 통하여, 두 재료 모두 불순물 없는 단일상이 형성되었음을 확인하였다. 비저항의 온도의존성 측정을 통하여, 전기 전도 mechanism이 Cl 도핑에 의해 hopping 전도에서 축퇴 전도로의 전이가 일어남을 관찰할 수 있었으며, 홀효과 측정을 통해 그러한 전도 mechanism의 전이가, Cl의 효과적인 donor 역할에 따른 자유전자의 농도 증가에서 기인한 것임을 확인하였다. 온도에 따른 전자이동도의 변화 분석을 통하여, 도핑이 없는 $SnSe_2$의 고온 전기 전도는 grain boundary 산란이 지배적인 영향을 미치는 반도체 전도 특성을 보이는 반면, Cl 도핑에 따라 grain boundary 산란 효과가 저하되는 금속 전도 특성을 보인다는 것을 알 수 있었다.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaAl_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaAl_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $610^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaAl_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.29{\times}10^{-16}cm^{-3}$ and $278cm^2/vs$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaAl_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.4205eV-(4.3112{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+232 K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaAl_2Se_4$ have been estimated to be 249.4 meV and 263.4 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaAl_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n =1 and $C_{31}$-exciton peaks for n=31.
지난 수십 년 동안 건축 분야에서 발생하는 이산화탄소 배출을 줄이기 위한 방법으로 다른 산업계의 폐기물 및 부산물을 시멘트의 대체재로 접목하기 위해 많은 노력이 있었다. 양식 산업에서 발생하는 굴 패각 폐기물은 특정 지역에서 대량으로 발생하며, 적절한 처리 방법의 부재로 인하여 일반적으로 매립되어지고 있다. 본 연구에서는 시멘트 대체재로 사용되어지고 있는 석회석 소성 점토 시멘트(LC3)의 주원료인 석회석의 대체재로써 굴 패각의 재활용 가능성을 평가하였다. 굴 패각 소성 점토 시멘트(OC3) 페이스트의 화학적·기계적 특성을 규명하기 위해 X-선 회절 분석, 등온 열량 측정, 압축강도 시험 및 열 중량 분석을 실시하였다. 결과적으로, OC3 페이스트는 LC3와 동일한 포졸란 반응에 의해 유사한 강도 발현 및 반응성을 보여주었으며, 이를 통해 굴 패각이 LC3의 주 원료인 석회석의 대체재로써 사용할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.
ALD (atomic layer deposition)법을 이용하여 두께를 달리한 $10{\sim}50nm-TiO_{2-x}/quartz$ 구조의 UV 기능성 박막을 형성시켰다. 박막의 두께는 우선 $10nm-TiO_{2-x}$를 성막한 후 엘립소미터로 두께를 확인하였고 나머지 두께는 증착시간을 선형적으로 조절하여 완성하였다. $TiO_2$ 박막 두께에 따른 생성상과 파장대별 흡수도, 가시광선의 투과율을 각각 X선 회절기, UV-VIS-IR 분석기, 접사용 디지털 카메라를 써서 확인하였다. ALD 법으로 제조된 $TiO_{2-x}$는 벌크 $TiO_2$에 비해 비정질 (amorphous)이면서 비정량적인 $TiO_{2-x}$ 형태임을 확인하였다. 380 nm와 415 nm의 흡수단을 보여 $3.0{\sim}3.2eV$의 밴드갭을 가지는 기존의 벌크 $TiO_2$와는 달리, 제작된 $TiO_{2-x}$ 박막은 197 nm와 250 nm의 부근에서 흡수단을 보이는 특징이 있었다. 따라서 장파장대의 자외선을 차단하는 기능을 가진 기존의 벌크 $TiO_2$와는 달리 ALD로 제작된 나노급 $TiO_2$는 단파장대의 자외선을 흡수할 수 있는 기능성이 있었고, 아울러 가시광선대에서 우수한 투과도를 보였다. 새로이 제안된 ALD를 이용한 나노급 $TiO_{2-x}$ 박막은 가시광선의 투과도는 향상시키면서 단파장대의 자외선을 효과적으로 흡수하는 기능성을 가졌음을 확인하였다.
$Bi_{0.5+x}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.5-3x}TiO_3$ ceramics with an excess $Bi^{3+}$ and a deficiency of $Na^+$ and $K^+$ were synthesized by a conventional solid state reaction method. The structure and morphology of $Bi_{0.5+x}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.5-3x}TiO_3$ ceramics were characterized by X-ray diffraction and field emission scanning electron microscopy. The electric polarization and mechanical strain induced by external electric field, and the temperature dependence of dielectric constant were investigated. These results demonstrated that an ergodic relaxor phase can be induced by controls of the mole ratio of $Bi^{3+}$, $Na^+$ and $K^+$. A phase boundary between non-ergodic and ergodic relaxor phases can be observed at ambient temperature. The ergodic relaxor phase can be transferred to the ferroelectric phase by application of the electric field. The stability of the induced ferroelectric phases strongly depends on the mole ratio of $Bi^{3+}$, $Na^+$ and $K^+$. The maximum strain of 0.31% was observed in $Bi_{0.51}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.47}TiO_3$ ceramics sintered at $1,150^{\circ}C$ for 2 h.
간접형 CsI flat-panel detector (FPD)의 해상특성(modulation transfer function, MTF), 잡음특성(Wiener spectrum or noise power spectrum, NPS), 양자검출효율(detective quantum efficiency, DQE)을 측정하고 평가하기 위하여 본 실험을 실시하였다. IEC에서 권고한 실험방법을 따라 RQA3, RQA5, RQA7, RQA9의 방사선 선질을 사용하였다. MTF는 egde법을 사용하였다. Wiener spectrum은 조사 영역내에서 획득한 영상의 푸리에 변화를 통하여 구하였다. DQE는 MTF, WS(NPS), X선 입력 및 입력 광자량을 사용하여 평가하였다. 특성곡선은 RQA3와 RQA5, RQA7, RQA9과는 차이가 발생하였다. MTF는 X선 선질과는 상관없이 일정하였다. WS(NPS)은 X선 양이 증가 할수록 감소하였으며, RQA3, RQA5, RQA7, RQA9순으로 감소하였다. DQE는 1mR에서 가장 우수했으며, RQA3, RQA5, RQA7, RQA9순으로 감소하였다. FPD의 물리적 영상 특성을 입력 선질에 따라 다를 수 있다. 본 연구를 통하여 디지털 방사선 시스템의 바르게 사용하려면 FPD의 물리적 영상 특성을 아는 것이 중요함을 인식하게 되었다.
The purpose of this research is to plan the activation of university health business through the appraisal of the function and role of university health centers. To be more specific: Firstly, analyze the facility, personnel, health service of the health centers, Secondly, appraise the role and function of the health centers, and Thirdly, consider the activation plans of health centers. The research method taken was the study of surveys conducted and written research materials on 5 women's universities in Seoul. These materials where descriptively analyzed by converting the surveys, facility and usage of health center and current personnel status in to percentage. The major results of the research are as follows: Unlike as stated in each university's additional clause on the number of personnel were working. This lack of specialized personnel resulted into lack of specialized and various services. Medicine for external application were stocked well whereas only simple medicine for internal application were on shelf and were issued only with a doctor's prescription. Universities with a full-time doctor had various available equipments. One university conducting dental treatment was equipped with indirect chest camera, dental X-ray, unit, chair(dental treatment chair) and even supersonic, electrocardiogram were available. In the case of D women's university, the number of beds compared to the number of students was lower than that of the other 3 universities, to the total size of the university was smaller than that of the other 3 universities. Among health prevention and care matters, health consultation was the only matter practised by all universities. Uniquely, there was one university that hosted epidemic prevention business. There are various tests given by each university, with each showing many differences, but some universities did not even conduct these tests. Vaccinations were usually being conducted through commission. All universities provided basic treatment, therefore matters concerning treatment at health centers were being conducted well. Concerning the management of equipment and documents, all the matters were being conducted except one university where instead of a student medical record, they were using a daily record. Because these were women's universities, most of the educations were on women's health. The subjects of these educations included: sex, contraception, prevention and control of tuberculosis, obesity, mouth hygiene, alcohol, geriatric disease, mental health and first-aid. The rate of health center usage is growing. Being women's universities, the service and treatment practised were mostly concerning sex education.
Purpose: Heterotopic calcification is a pathological event in which deposits of calcium salts build up, usually in the joint area or soft tissues. It can occur under many conditions and in some rare cases may develop in burn scars. In particular, ulcerations in burn scars accompanied by heterotopic calcification are difficult to treat through conservative treatment. This study reports methods for accurate diagnosis and adequate treatment of ulceration in burn scars accompanied by heterotopic calcification. Methods: Fourteen patients who visited our hospital from March 2008 to January 2010 were subjected to this study. Their sex, age, modes of burn, degree, TBSA (%), ulcerated area, the time of occurrence of the ulcerations in the burn scars were investigated. In addition, radiological examination and biopsy was performed to diagnose heterotopic calcification. Results: Among the 14 cases, 6 were male and 8 were female. The average age of the patients was 48.2 (27 - 69 yrs). As for the mode of burn, 11 were flame burns and 3 were scalding burns. The average time of occurrence of the ulcerations in the burn scars was 4.5 months. The ulcerated areas were situated in the legs in 12 cases, arms in 1 case, and torso in 1 case. The diagnosis was confirmed through X-ray and biopsy, and skin graft was performed after wide excision. Conclusion: Diagnosis of the ulceration in burn scars accompanied by heterotopic calcification is possible through radiological and pathologic studies. Surgical treatment is the most reliable method of treatment, and we chose to perform skin graft after wide excision. Also, we learned that the complete removal of the calcified tissue and the inflammatory fibrotic tissues is crucial in preventing recurrence. Also, in contrast to Marjolin's ulcer, heterotopic calcification had a small size, little or no granulation tissue, and lacked fungating type ulceration. Therefore, favorable prognosis could be achieved through adequate treatment.
배경 : 본 연구의 목적은 흉골골절에서 심혈관계 동반 손상의 예측인자를 알아내고 응급 심장 초음파검사의 적응증을 제시하고자 하였다. 대상 및 방법 : 1994년 3월부터 5년간 이화여자대학교 부속 목동병원 응급실을 통해 입원한 흉골골절로 입원한 40명의 환자들을 대상으로 후향적 분석을 시행하였다. 예측인자로서는 1) 안전띠 착용의 유무, 2) 동반 손상의 유무, 3) 심혈관계 질환의 병력 유무, 4) 내원시 환자의 RTS(Revised Trauma Score) 4가지를 대상으로 분석하였다. 또한 심혈관계 손상의 동반 유무를 파악하기 위하여 일반적으로 사용하는 심전도와 흉부 단순 촬영 및 심근 효소의 분획을 조사하였으며, 그 결과에서, 흉골골절에서 응급 심장 초음파 검사의 적응증을 추론하였다. 결과 : 흉골골절에서 심혈관계 손상의 동반 유무를 나타내는데 통계적으로 의미가 있다고 나온 인자로는 심혈관계 과거 병력이 있는 경우와 입원시 RTS의 이상을 들 수 있다. 응급 심장 초음파검사의 시행은 예측인자들과 심전도와 흉부 단순 촬영 및 심근 효소의 분획 같은 일반적으로 사용하는 검사 결과에 따라 시행하였다. 흉골골절 환자에서 응급 심장 초음파검사의 적응으로 1) 의미 있는 예측 인자의 변화가 없더라도 두 개 이상의 검사에서 이상소견을 보이던가, 2) 예측인자의 의미있는 변화가 하나 이상 나오는 경우를 들 수 있다. 결론 : 흉골골절 환자에서 심혈관계의 과거 병력과 초기활력 징후가 심혈관 동반 손상 유무를 중요하게 나타날 수 있으며, 필요한 경우, 응급 심장 초음파 검사를 시행하여 조기에 확진을 내리는 것이 중요하다고 생각한다.
직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체중의 하나인 GaN를 청색 및 자외선 laser diode, 고출력 전자장비 등으로 응용하기 위해서는 낮은 접합저항을 갖는 Ohmic contact이 선행되어야 한다. 그러나 만족할만한 p-type GaN의 Ohmic contact은 아직 실현되고 있지 못하며, 이는 GaN와 접합 금속과의 구체적인 반응의 연구를 필요로 한다. 본 연구에서 앞서 Pt, Pt, Ni등의 late transition metal을 p-GaN에 접합시킨 결과 이들은 접합 당시 비교적 평탄하나 후열 처리과정에서 비교적 낮은 온도에서 기판과 열팽창계수의 차이로 인하여 평탄성을 잃어버리면서 barrier height가 증가한다는 사실을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 열적 불안정성을 극복하기 위하여 Ni과 Pd를 차례로 증착하고 가열하면서 interfacial reaction, film morphology, Fermi level의 움직임을 monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy) 그리고 ex-situ AFM을 이용하여 밝히고자 하였다. 특히 후열처리에 의한 계면 반응에 수반되는 구성 금속원소 간의 합금현상과 금속 층의 평탄성이 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 이러한 합금과정에서 나타나는 금속원소들의 중심 준위의 이동을 체계적으로 규명하기 위해서 Pd1-xNix와 Pd1-xGax 합금들의 표준시료를 arc melting method로 만들어 농도에 따른 금속원소들의 중심 준위의 이동을 측정하여, Pd/Ni/p-GaN 및 Ni/Pd/p-GaN 계에서 열처리 온도에 따른 interfacial reaction을 확인하였다. 그 결과 두 계가 상온에서 nitride 및 alloy를 형성하지 않고 고르게 증착되고, 열처리 온도를 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 계면반응의 부산물인 metallic Ga은 증가하고 있으마 nitride는 여전히 형성되지 않는 것을 확인하였다. 증착당시 Ni이 계면에 있는 Pd/Ni/p-GaN의 경우에는 52$0^{\circ}C$까지의 열처리에 의하여 Ni과 Pd가 골고루 섞이고 그 평탄성도 유지되고 barier height의 변화도 없었다. 더 높은 $650^{\circ}C$ 가열에 의해서는 surface free energy가 작은 Ga의 활발한 편석 현상으로 인해 표면은 Ga이 풍부한 Pd-Ga의 합금층으로 덮이고, 동시에 작은 pinhole들이 발생하며 barrier height도 0.3eV 가량 증가하게 된다. 반면에 증착당시 Pd이 계면에 있는 Ni/Pd/p-GaN의 경우에는 40$0^{\circ}C$의 가열까지는 두 금속이 그들 계면에서부터 섞이나, 52$0^{\circ}C$의 가열에 의해 이미 barrier height가 0.2eV 가량 증가하기 시작하였다. 더 높은 $650^{\circ}C$가열에 의해서는 커다란 pinhole, 0.5eV 가량의 barrier height 증가, Pd clustering이 동시에 관찰되었다. 따라서 Ni과 Pd의 일함수는 물론 thermal expansion coefficient가 거의 같으며 surface free energy도 거의 일치한다는 점을 감안하면, 이렇게 뚜렷한 열적 안정성의 차이는 GaN와 contact metal과의 반응시작 온도(disruption onset temperature)의 차이에 기인함을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함이 줄어 들고, 이는 계면의 N의 out-diffusion을 방지하여 p-type GaN의 barrier height 증가를 막게 된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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