• 제목/요약/키워드: RC parallel circuit

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쌍트랜지스터 회로에 의한 정착변조방식 (A Delta Modulation Method by Means of Pair Transistor Circuit)

  • 오현위
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.24-33
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    • 1971
  • 부성특성회로로서 쌍트랜지스터 회가의 양에미터단자사이에 용량 C와 저항 R의 병렬회로를 삽입하고, 표준화주파수의 단형파전류원를 에미터·바이어스전류원으로 하여 쌍회로를 구동하면, RC병렬회로는 정부변조회로의 적분회로로서 동작시킬 수 있다. 이 적분회로와 직렬로 신호파전압원을 접속시키면 쌍회로가 구동전원의 표준화펄스에 의하여 구동될 때 마다, RC 적분회로의 적분전압과 신호파전압이 서로 비교되기 때문에 그들의 차전압에 의하여 쌍회로의 트랜지스터들 중의 어느 한 쪽이 ON되기 때문에 그 베이스결합저항단자에는 one bit의 펄스가 송출된다. 본실험에서는 극히 간소한 회로구성을 갖는 쌍트랜지스터회로에 의한 정착변조회로를 제시하고 그들의 특성을 부기하였다. 정착변조파의 품질 혹은 S/N비의 향상을 위하여 고려하여야 할 문제로서, 적분회로의 회로정수 및 양자화전압의 구동펄스의 파고와 파폭의 관계를 검토한다.

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풀 브리지 방식을 이용한 대용량 정류기 구현 (Development of a Large capacity Rectifier for using Full-Bridge Type)

  • 이제민;윤경섭;임성운;김우현;권우현
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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    • pp.277-279
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    • 2005
  • Generally, It was used to use a unit of a Large regularity in developing Large Capacity Converter System of the electric power. Lager a capacity of a unit of regularity, more expensive cost of it. So, normally, We overcome the limit of a proper form of an electricity semiconductor which be used in application field of Large capacity electricity conversion system through the Composition of Multi-level Circuit or Dual-Mode or parallel switch. but some problem is discussed. Using parallel RC-diode circuit instead of Large Capacity diode, We implemented a circuit that it overcome the limit of a regularity with dealing current distributed by parallel RC-diode circuit.

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원형 부채꼴 모양의 2 GHz 대역 전력 분배기-결합기 (Circular Sector-Shaped 2 GHz Band Power Divider-Combiner)

  • 김영
    • 한국항행학회논문지
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    • 제24권4호
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    • pp.299-304
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    • 2020
  • 본 논문은 평면형 구조를 갖는 원형 부채꼴 모양의 전력 분배기-결합기 설계에 대한 것이다. 이 구조는 직렬형으로 구성할 수 있으며 원형 부채꼴 모양으로 인하여 간단한 회로 구성과 출력의 크기와 위상 발란스 특성을 개선할 수 있으며, 이것은 단순한 입력 정합회로를 갖고 있으며 출력 포트 사이에 RC 병렬 회로를 삽입하여 출력의 반사계수와 고립도를 개선하였다. 설계된 분배기와 결합기는 구조적으로 부채꼴 모양의 대칭적으로 설계되었기 때문에 출력 포트를 2개 또는 4개로 구성하였을 때 출력 사이의 크기 발란스 ± 0.1 dB 와 위상 발란스 ± 1o를 갖는 우수한 특성을 갖고 있다. 이러한 전기적 특성을 확인하기 위해서 동작주파수 2 GHz에서 제작된 평면형 전력 분배기-결합기는 시뮬레이션과 특성이 잘 일치함을 확인하였다.

Analysis of Facilitied Transport through Fixed Site Carrier Membranes

  • Kang, Yong-Soo;Hong, Jae-Min;Kim, Un-Young
    • 한국막학회:학술대회논문집
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    • 한국막학회 1995년도 제3회 심포지움 (분리막 연구의 최신동향)
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    • pp.57-71
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    • 1995
  • A simple mathematical model for gacilitated mass transport with a fixed site carrier membrane was derived by assuming an instantaneous, microscopic concentration (activity) fluctuation, The concentration fluctuation, developed due to reversible chemical reaction between carrier and solute, could acuse the higher chemical potential gradient and the facilitated transport. For mathematical formulation, an analogy was employed between the mass transfer for the facilitated transport with fixed site carrier membrane and the electron transfer in a parallel resistor-capacitor (RC) circuit. For the single RC model, it was assumed that a single capacitor represented the total carrier and a solute could not inter-diffuse between matrix and carrier, allowing only two diffusional pathways, This assumption was relaxed by adopting a serial combination of the parallel RC circuit. Here, a solute diffuses in two elements (matrix or carrier) can exchange its pathway, exhibiting four diffusional pathways. The current models were examined against experimental data and the agreement was exceptional.

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고출력 18650 리튬이온 배터리의 발열인자 해석 및 실험적 검증 (Analysis and Experiment Verification of Heat Generation Factor of High Power 18650 Lithium-ion Cell)

  • 강태우;유기수;김종훈
    • 전력전자학회논문지
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    • 제24권5호
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    • pp.365-371
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    • 2019
  • This study shows the feasibility of the parameter of the 1st RC parallel equivalent circuit as a factor of the heat generation of lithium-ion cell. The internal resistance of a lithium-ion cell consists of ohmic and polarization resistances. The internal resistances at various SOCs of the lithium-ion cell are obtained via an electrical characteristic test. The internal resistance is inversely obtained through the amount of heat generated during the experiment. By comparing the resistances obtained using the two methods, the summation of ohmic and polarization resistances is identified as the heating factor of lithium-ion battery. Finally, the amounts of heat generated from the 2C, 3C, and 4C-rate discharge experiments and the COMSOL multiphysics simulation using the summation of ohmic and polarization resistances as the heating parameter are compared. The comparison shows the feasibility of the electrical parameters of the 1st RC parallel equivalent circuit as the heating factor.

CPW와 Offset 결합 전송선로를 이용한 비대칭 다단 분배기 (Unequal Multi-Section Power Divider using CPW and Offset Coupled Transmission Lines)

  • 최종운;윤영철;성규제;김영
    • 한국항행학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.309-315
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    • 2019
  • 본 논문은 1:3과 1:4 분배 비율을 갖는 비대칭 분배기를 CPW와 offset 결합 전송선로를 이용하여 다단 구조로 구현한 것이다. 이 분배기는 다단 구조의 전송선로와 캐패시터와 저항이 병렬로 연결된 회로로 구성되어 있다. 다단 전송선로는 임의의 임피던스로 종단된 ${\lambda}/4$ 단일 전송선로를 분해하여 그것을 $90^{\circ}$ 전기적 길이보다 짧은 다단 전송선로로 정합시키는 방법으로 구현하였고, RC 병렬회로는 출력 포트의 반사계수와 출력 포트 사이의 고립 특성을 얻기 위해서 전송선로 사이에 연결하였다. 이러한 방법으로 2 GHz에서 설계된 전력분배기는 각 단의 전송선로는 ${\lambda}/4$보다 짧게 구현되어 기존 것 보다 최소 27% 작게 구현하였고, 광 대역 특성을 얻을 수 있음을 확인하였다.

K/Ka밴드 응용을 위한 완전집적화 고성능 광대역 증폭기 MMIC (A Fully-integrated High Performance Broadb and Amplifier MMIC for K/Ka Band Applications)

  • 윤영
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제8권7호
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    • pp.1429-1435
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    • 2004
  • 본 논문에서는 DC 바이어스 소자와 정전파괴 보호회로를 MMIC상에 모두 내장한 완전집적화 K/Ka밴드 광대역 증폭기 MMIC를 제작하였으며, 따라서 MMTC의 동작을 위해서는 프린트기판상의 외부소자가 불필요하였다 DC 바이어스 용량성소자로서는, 소형의 SrTiO3 (STO) 커패시터를 MMIC 내부에 집적하였으며, DC feed 소자로서는 소형의 LC병렬공진회로를 집적하였다. 그리고 정전파괴방지를 위해서는 소형의 LC병렬공진 정전파괴 보호회로를 MMIC의 입출력부에 내장하였다. 정전파괴 보호회로에 의해 정전파괴전압은 10 V에서 300 V까지 개선되었다. 광대역에 걸쳐서 양호한 RF특성과 안정도를 보장하기 위해서, 프리매칭 기법과 RC병렬 안정화 회로가 이용되었다. 제작된 MMIC는 K/Ka 밴드의 광대역(17-28 GHz)에 걸쳐서 $20{\pm}2$ dB의 전력이득, $21{\pm}1.5$ dBm의 1dB 이득 압축점 (P1dB)의 양호한 RF특성을 보였다. 그리고 제작된 MMIC로부터 DC에서 동작주파수이상의 광대역에 걸쳐서 안정화 특성을 관찰 할 수 있었다. 제작된 MMIC의 면적은 $1.7{\pm}0.8$ mm2이었다.

Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출 (Bias and Gate-Length Dependent Data Extraction of Substrate Circuit Parameters for Deep Submicron MOSFETs)

  • 이용택;최문성;구자남;이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권12호
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    • pp.27-34
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    • 2004
  • 최근 실리콘 미세공정의 발달로 상용화된 0.2$\mum$ 게이트길이 이하의 deep submicron MOSFET 출력특성을 정확히 모델링하기 위해서는 RF 기판 회로 연구가 필수적이다. 먼저 본 논문에서는 기판 캐패시던스와 기판 저항이 병렬로 연결된 모델과 기판 저항만을 사용한 단순 모델들에 적합한 직접 추출 방법을 각각 개발하였다. 이 추출방법들을 0.15$\mum$ CMOS 소자에 적용한 결과 단순 모델보다 RC 병렬 기판모델이 측정된 $Y_{22}$-parameter에 30GHz까지 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 RC 병렬 기판모델 및 직접추출방법의 RF 정확도를 증명한다. 이러한 RC 병렬 기판모델을 사용하여 게이트 길이를 0.11에서 0.5$\mum$까지 변화시키고 드레인 전압을 0에서 1.2V까지 증가시키면서 기판 모델 파라미터들의 bias 종속 특성과 게이트 길이 종속 특성을 새롭게 추출하였다. 이러한 새로운 추출 결과는 scalable한 RF 비선형 기판 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.

Estimating the State-of-Charge of Lithium-Ion Batteries Using an H-Infinity Observer with Consideration of the Hysteresis Characteristic

  • Xie, Jiale;Ma, Jiachen;Sun, Yude;Li, Zonglin
    • Journal of Power Electronics
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    • 제16권2호
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    • pp.643-653
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    • 2016
  • The conventional methods used to evaluate battery state-of-charge (SOC) cannot accommodate the chemistry nonlinearities, measurement inaccuracies and parameter perturbations involved in estimation systems. In this paper, an impedance-based equivalent circuit model has been constructed with respect to a LiFePO4 battery by approximating the electrochemical impedance spectrum (EIS) with RC circuits. The efficiencies of approximating the EIS with RC networks in different series-parallel forms are first discussed. Additionally, the typical hysteresis characteristic is modeled through an empirical approach. Subsequently, a methodology incorporating an H-infinity observer designated for open-circuit voltage (OCV) observation and a hysteresis model developed for OCV-SOC mapping is proposed. Thereafter, evaluation experiments under FUDS and UDDS test cycles are undertaken with varying temperatures and different current-sense bias. Experimental comparisons, in comparison with the EKF based method, indicate that the proposed SOC estimator is more effective and robust. Moreover, test results on a group of Li-ion batteries, from different manufacturers and of different chemistries, show that the proposed method has high generalization capability for all the three types of Li-ion batteries.

Inductive Switching Noise Suppression Technique for Mixed-Signal ICs Using Standard CMOS Digital Technology

  • Im, Hyungjin;Kim, Ki Hyuk
    • Journal of information and communication convergence engineering
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    • 제14권4호
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    • pp.268-271
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    • 2016
  • An efficient inductive switching noise suppression technique for mixed-signal integrated circuits (ICs) using standard CMOS digital technology is proposed. The proposed design technique uses a parallel RC circuit, which provides a damping path for the switching noise. The proposed design technique is used for designing a mixed-signal circuit composed of a ring oscillator, a digital output buffer, and an analog noise sensor node for $0.13-{\mu}m$ CMOS digital IC technology. Simulation results show a 47% reduction in the on-chip inductive switching noise coupling from the noisy digital to the analog blocks in the same substrate without an additional propagation delay. The increased power consumption due to the damping resistor is only 67% of that of the conventional source damping technique. This design can be widely used for any kind of analog and high frequency digital mixed-signal circuits in CMOS technology