• 대한조선학회논문집
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• 제32권3호
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• pp.62-71
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• 1995

비압축성 가정하에 Navier-Stokes 방정식을 이용하여 비정상 점성유동을 수치해석하기 위해서는 매시간 단계에서 타원형 압력 Poisson 방정식의 해를 구해야 하며, 이에 많은 계산시간이 소요된다. 본 논문에서는 직접법을 이용하여 압력 Poisson 방정식을 수치해석하였으며, 분할수 증가에 따른 소요시간 문제를 다루었다. Green 정리를 압력 Poisson 방정식에 적용하면 주어진 문제는 경계치문제로 변환되고, convolution 형의 영역적분은 F.F.T.를 이용하여 계산시간을 단축할 수 있어, 직접법 이용시 소요시간은 경계치문제의 해를 구하는 데에 좌우된다. 직접법의 검증을 위하여 해석해를 알고 있는 경우에 대하여 수치해석하였고, 물체경계조건과 정합문제에 관하여 수치해석 하였는데. 분할수가 (n.n) 시 O($n^{3}$) 미만의 계산시간으로 수치해석할 수 있었다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제7권1호
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• pp.57-61
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• 2009

This paper has presented the subthreshold current model of FinFET using the potential variation in the doped channel based on the analytical solution of three dimensional Poisson's equation. The model has been verified by the comparison with the data from 3D numerical device simulator. The variation of subthreshold current with front and back gate bias has been studied. The variation of subthreshold swing and threshold voltage with front and back gate bias has been investigated.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2022년도 춘계학술대회
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• pp.216-217
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• 2022

Poisson-Boltzmann은 세포안의 전하의 영향을 기술하는 방정식이며, 생물 등의 분야에서 중요한 역할을 한다. 본 발표에서는 ResNet을 기반으로 한 PBE의 솔루션 예측 방법을 소개 한다. 먼저 FEM을 기반으로 한 방법으로 sample들을 생성한다. 그리고, 세포의 모양과 전하의 위치를 input으로 하고, 전위를 output으로 하는 network를 훈련시킨다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권4호
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• pp.451-456
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• 2014

A compact model of a depletion-mode silicon-nanowire (Si-NW) pH sensor is proposed. This drain current model is obtained from the Pao-Sah integral and the continuous charge-based model, which is derived by applying the parabolic potential approximation to the Poisson's equation in the cylindrical coordinate system. The threshold-voltage shift in the drain-current model is obtained by solving the nonlinear Poisson-Boltzmann equation for the electrolyte. The simulation results obtained from the proposed drain-current model for the Si-NW field-effect transistor (SiNWFET) agree well with those of the three-dimensional (3D) device simulation, and those from the Si-NW pH sensor model also agree with the experimental data.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제18권2호
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• pp.117-123
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• 2018

본 연구에서는 이미지 기울기 영역에서 포아송 방정식을 이용한 빠른 이미지 재구성 기법을 제안한다. 포아송 방정식을 사용하는 이 접근법에서, 유도된 벡터 필드는 제 1 단계에서 선택된 영역 내에서 원본과 대상 이미지를 사용함으로써 생성된다. 다음으로, 유도된 벡터는 결과 이미지를 생성하는데 사용된다. 우리는 원하는 기울기 집합과 데이터 항을 근사화하는 2차원 함수를 재구성하는 문제를 분석했다. 결합된 데이터와 기울기는 원본 이미지에 가깝게 머무르는 동안 이미지 기울기를 수정하는 것처럼 작동 할 수 있다. 이 공식으로부터 우리는 물리학에서 알려진 포아송 방정식을 찾아냈다. 이 방정식은 FFT 도메인의 문제에 대한 효율적인 해결책을 제시한다. 이것은 2차원으로 알려진 포아송 모델을 해결하고 기울기 비례축소는 라플라스를 확실하게 일반화하는 잘 정의된 선명한 필터임을 공간 필터에 잘 나타냅니다. 포아송 모델을 기반으로 이산 코사인 변환을 사용하여 결과를 확인할 수 있었다.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 1998년도 추계 학술대회논문집
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• pp.96-101
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• 1998

Various discretiation methods of Laplacian operator in the Pressure-Poisson equation are investigated for the solution of incompressible Navier-Stokes equations using the non-staggered grid. Laplacian operators previously proposed by other researchers are applied to a Driven-Cavity problem. The computational results are compared with those of Ghia. The results show the characteristics of the discrete Laplacian operators.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제48권4호
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• pp.529-543
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• 2008

It is shown that every almost linear mapping h : $A{\rightarrow}B$ of a unital PoissonC*-algebra A to a unital Poisson C*-algebra B is a Poisson C*-algebra homomorph when $h(2^nuy)\;=\;h(2^nu)h(y)$ or $h(3^nuy)\;=\;h(3^nu)h(y)$ for all $y\;\in\;A$, all unitary elements $u\;\in\;A$ and n = 0, 1, 2,$\codts$, and that every almost linear almost multiplicative mapping h : $A{\rightarrow}B$ is a Poisson C*-algebra homomorphism when h(2x) = 2h(x) or h(3x) = 3h(x for all $x\;\in\;A$. Here the numbers 2, 3 depend on the functional equations given in the almost linear mappings or in the almost linear almost multiplicative mappings. We prove the Cauchy-Rassias stability of Poisson C*-algebra homomorphisms in unital Poisson C*-algebras, and of homomorphisms in Poisson Banach modules over a unital Poisson C*-algebra.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.1537-1542
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널도핑이 비산형분포를 가질 때 게이트 산화막의 두께를 변화시키면서 문턱전압이하특성을 분석하였다. 이중게이트 MOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 이에 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압 이하 스윙의 저하에 대하여 비선형도핑분포를 이용한 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 또한 나노소자인 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터 중 가장 중요한 게이트 산화막의 두께에 대하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.2373-2377
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• 2009

본 연구에서는 3차원 포아송방정식을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성을 분석하였다. FinFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 FinFET에서 단채널효과로서 잘 알려진 문턱 전압이하 스윙 및 문턱 전압 등을 3차원 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 나노소자인 FinFET의 구조적 특성을 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등의 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 3차원 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델은 여러 논문에서 3차원 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성 및 문턱전압이하 특성을 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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• pp.928-930
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• 2009

본 연구에서는 3차원 포아송방정식을 이용하여 FinFET의 문턱전압특성을 분석하였다. FinFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행중에 있다. 이에 FinFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압이하 스윙 및 문턱전압 등을 3차원 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 나노소자인 FinFET의 구조적 특성을 고찰하기 위하여 채널의 두께, 길이, 폭 등의 크기요소에 따라 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 3차원 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델은 여러 논문에서 3차원 수치해석학적 값과 비교하여 그 타당성이 입증되었으므로 이 모델을 이용하여 FinFET의 문턱전압 특성 및 문턱전압이하 특성을 분석하였다.