• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제8권2호
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• pp.1-10
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• 2009

This study describes the electron beam lithography pattern fabrication using the proximity effect correction. When electron beam exposes into electron beam resist, the beam tends to spread inside the substance (forward scattering). And the electron beam reflected from substrate spreads again (back scattering). These two effects influence to distribution of the energy and give rise to a proximity effect while a small pattern is generated. In this article, an electron energy distribution is modeled using Gaussian shaped beam distribution and those parameters in the model are computed to solidify the model. The proximity effect is analyzed through simulations and appropriate corrections to reducing the proximity effect are suggested. It is found that the proximate effect can be reduced by adopting schemes of dose adjustment, and the optimal dose is determined through simulations. The proposed corrected proximity effect correction is proved by experiments.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제19권1호
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• pp.80-83
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• 2015

White reflective patterns are very difficult to fabricate, due to the scattering and reflection of light, especially when the pattern size goes down to micron size. A reflective white barrier structure of height $50{\mu}m$ and width $80{\mu}m$ was fabricated using dry-film resist as an intermediate reverse pattern. The reverse dry-film resist pattern was coated with an $SiO_2$ layer by sputtering, to protect the resist from chemical attack by the radical molecules in UV white resin. The UV white resin was applied on the dry-film resist pattern and then cured with ultraviolet light. The fine three-dimensional reflective patterns were finished by removing the dry-film resist.

• Journal of Information Display
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• 제11권4호
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• pp.140-143
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• 2010

A simple and versatile method of fabricating color patterns in two-dimension (2D) and three-dimension (3D) was developed using the selective-wettability approach. Red, green, and blue color elements are sequentially formed on a single substrate in a pattern-by-pattern and/or pattern-on-pattern fashion, through a simple coating process. Either 2D or 3D structures in an array format are produced by controlling the thickness of the hydrophobic layer (HL) coating a substrate within the framework of wetting transition. Moreover, it was demonstrated that the stacked geometry of two successive patterns can be easily tailored for various types of color arrays, with the pattern fidelity of a few tens of nanometers in terms of only a parameter of the HL thickness.

• 한국기계가공학회지
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• 제12권2호
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• pp.114-120
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• 2013

An EP(Electrolytic Polishing)-MAP(Magnetic Abrasive Polishing) hybrid process was applied to remove burr on the micro pattern. Micro pattern fabrication processes are combined with micro milling and EP-MAP hybrid process for deburring. Depending on the micro milling conditions which are applied, micro burrs are formed around the side and top of the pattern. The EP-MAP deburring is used to remove these burrs effectively. To optimize removal rate and form error in the EP-MAP hybrid process, a design of experiment was performed. The effect of deburring process and form error of micro pattern are evaluated via SEM images and the results of AFM.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.1099-1103
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• 2007

본 연구는 기존의 방식으로 만든 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 발생되는 결함에 대한 원인을 분석하고 해결함으로써 수율을 증대시키고 신뢰성을 개선하고자한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝 하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조한 박막 트랜지스터에서 생기는 문제는 주로 광식각공정시 PR의 잔존이나 세척시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 된다. 그러므로 이를 개선하기 위하여 ashing이나 세척공정을 보다 엄격하게 수행하였다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 세척과 여분의 처리 공정을 가하여 수율을 확실히 개선 할 수 있었다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제3권2호
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• pp.95-104
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• 2004

본 논문에서는 ITS 서비스 구성 요소 중의 하나인 BIS(Bus Information System)의 기지국용 전방향성 안테나를 설계 및 제작하고 그 특성을 측정하였다. 제작된 BIS 기지국용 안테나는 전주시 도심의 주요 교차로의 신호등 gantry에 설치된다. 통신 영역이 차선의 개수와 교차로 크기, 도로의 방향에 따라 상이한 경우에도 요구된 통신 성능을 얻기 위해 최대 100m 통신 영역을 화보하기 위해 10dBi 정도의 고 이득이 요구된다. 이를 위해 OMA(Omni-directional Planar Microstrip Antenna)를 배열한 구조를 적용하였다. 제작된 안테나의 동작 중심 주파수는 5.8GHz이고, 반사손실은 -10 dB를 기준으로 640MHz 이상, 이득은 10.3dBi를 얻었으며, 빔 패턴은 전방향성으로 시뮬레이션 결과와 측정 결과가 유사하게 나타나고 있다.

• 기술혁신학회지
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• 제20권1호
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• pp.205-238
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• 2017

디스플레이산업은 세계 최고의 수준을 달성한 한국의 대표적 주력 산업이다. LCD 패널의 대표기업들을 중심으로 한 기존의 연구와는 달리, 본 연구는 가치사슬 관점과 아키텍처 관점을 결합하여 후방가치사슬(upstream) 영역에 속한 소재부품 장비 공급기업에 중점을 둔 산업의 발달구조와 발전추이 특성을 분석하였다. 2002년부터 2015년까지 208개 기업에 대한 매출액 및 연구개발비 자료를 활용하여, 산업의 가치사슬별 성장 및 혁신 특성을 분석하였다. 결과, 소재부품기업과 장비기업은 패널 제조 공정별로 상반된 발전 추이가 있음을 규명하였다. 본 연구는 디스플레이산업과 같이 대규모 시스템 공정산업의 경우는 공정산업의 특성을 반영하여 기존의 가치사슬 관점에 아키텍처 혁신 관점을 반영한 분석 틀을 통하여 향후 산업 기술 전략과 정책의 방향을 제시하였다는 점에 의의가 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.2541-2543
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• 1998

This paper describes the fabrication process to fabricate metallic structure of high aspect ratio using LlGA-like process. SU-8 is used as an electroplating mold. SU-8 is an epoxy-based photoresist, designed for ultrathick PR structure with single layer coating [1,2]. We can get more than $100{\mu}m$ thick layer by single coating with conventional spin coater, and applying multiple coating can make thicker layers. In the experiments, we used different kinds of SU-8, having different viscosity. To optimize the conditions for mold fabrication process, experiments are performed varying spinning time and speed, soft-bake, develop and PEB (Post Expose Bake) condition. With the optimized condition, minimum line and space of $3{\mu}m$ pattern with a thickness of $40{\mu}m$ and $4{\mu}m$ pattern with a thickness of $130{\mu}m$ were obtained. Using the patterned PR as a plating mold, metallic structure was fabricated by electroplating. We have fabricated a electroplated nickel comb actuator using SU-8 as plating mold. The thickness of PR mold is $45{\mu}m$ and that of plated nickel is$40{\mu}m$. Minimum line of the mold is $5{\mu}m$. Patterned metallic layer or polymer layer, which has selectivity with the structural plated metallic layer, can be used as sacrificial layer for fabrication of free-standing structure.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권1호
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• pp.185-192
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• 1995

In this study, very fine photoresist pattern was examined using the image reversal process. And very fine photoriesist pattern (less than 0.2um) was obtsined by optimizing the exposure and reversal baking condition of photoresist. The produced pattern does not show the loss of thickness, and has a sparp negative edge profile. also, the ion implanted 0.25um T-shaped gate MESFET was fabricated using this resist pattern and the directional evaporation of gate metal. The fabricated MESFET has the maximum transconductance of 302 mS/mm, and the threshold voltage of -1.8V, and the drain saturation current of this MESFET was 191 mA/mm.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.533-534
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• 2006

Micro pyramid pattern and its array are designed to enhance the brightness and its uniformity of LGP which is one of key parts in LCD. The designed micro pyramid patterns are fabricated on a Si-wafer first through MEMS process and then a Ni-stamper is electro-plated from the Si pattern master. Adopting the fabricated Ni-stamper, LGPs are injection molded at different mold temperatures and the fidelity of the pattern replication is estimated for each molding conditions and pattern locations. The replicated patterns are found to have some defect such as local short shot or micro weld line which are believed to have negative effect on the performance of the LGP.