• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1581-1584
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• 2008

버팅 콘택을 가진 쌍극 폴리사이드 게이트 구조에서 폴리실리콘 내의 순 도핑(net doping) 농도는 $n^+/p^+$ 중첩 및 실리사이드/폴리실리콘 층에서 도펀트의 수평 확산에 기인하여 감소하였다. 버팅 콘택 영역에서의 쇼트키 다이오드 형성은 $CoSi_2$의 열적 응집 현상에 의한 $CoSi_2$ 손실과 폴리실리콘 내의 농도 저하에 기인된다. DDI DRAM에서 기생 쇼트키 다이오드는 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 column성 불량을 일으킨다. Column성 불량은 $n^+/p^+$ 폴리실리콘 접합 부분을 물리적으로 분리시키거나, $CoSi_2$ 형성 전 질소 이온을 $p^+$ 영역에 주입 시켜 $CoSi_2$의 응집현상을 억제함으로써 줄일 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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• pp.74-75
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• 2016

많은 무선통신 응용 시스템에서 다양한 종류의 마이크로스트립 안테나들이 사용되고 있다. 본 논문에서는 이중급전된 광대역 적층형 마이크로스트립 패치 안테나의 설계 방법을 연구하였다. 임피던스 대역폭을 개선하기 위하여 주 방사패치 및 기생패치의 크기, 패치 간 거리, 인셋 급전의 길이 등을 조정하였다. 시뮬레이션을 통해 2.3-2.7 GHz 대역의 안테나를 설계하고 반사손실, 이득, 방사패턴 등의 안테나 특성을 확인하였다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제8권3호
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• pp.129-133
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• 2008

An integrated passive device(IPD) technology by semi-insulating(SI)-GaAs-based fabrication has been developed to meet the ever increasing needs of size and cost reduction in wireless applications. This technology includes reliable NiCr thin film resistor, thick plated Cu/Au metal process to reduce resistive loss, high breakdown voltage metal-insulator-metal(MIM) capacitor due to a thinner dielectric thickness, lowest parasitic effect by multi air-bridged metal layers, air-bridges for inductor underpass and capacitor pick-up, and low chip cost by only 6 process layers. This paper presents the Wilkinson power divider with excellent performance for digital cellular system(DCS). The insertion loss of this power divider is - 0.43 dB and the port isolation greater than - 22 dB over the entire band. Return loss in input and output ports are - 23.4 dB and - 25.4 dB, respectively. The Wilkinson power divider based on SI-GaAs substrates is designed within die size of $1.42\;mm^2$.

• 기술사
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• 제33권1호
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• pp.94-105
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• 2000

The purpose of this paper is to obtain the improved reliability and optimal control of the half-bridge inverter for induction heating system. Parasitic inductance components within the inverter circuit for induction heating including the loss-less turn-off snubber capacitor considerably affect stable operation and noise level of the system. This paper analyzes the effect of the inductance in detail and presents a new snubber configuration suitable for the half-bridge inverter to effectively reduce it. In the half-bridge inverter for induction heating the capacity of the loss-less snubber capacitor determines the switching losses because the zero voltage turn-on switching is used. However, the increase of the capacitor is limited by the system specifications, so that it is not easy work to reduce the switching loss. To effectively overcome the limitation, this paper introduces an active auxiliary resonant circuit suitable for the half-bridge inverter circuit, which operates actively according to the variation of load condition. It is also one of the most important study issues for the half-bridge inverter driven induction heater that the development of optimal control scheme considering varied load condition should be achieved. The control strategy ensures a very stable operation of overall inverter system and zero voltage turn-on switching irrespective of sensitive load parameter variations, in particular, even under the non-magnetic materials.

• 전력전자학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.201-206
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• 2019

This study presents the design and experimental result of a GaN-based DC-DC converter with an integrated gate driver. The GaN device is attractive to power electronic applications due to its superior device performance. However, the switching loss of a GaN-based power converter is susceptible to the common source inductance, and converter efficiency is severely degraded with a large loop inductance. The objective of this study is to achieve high-efficiency power conversion and the highest power density using a multiphase integrated half-bridge GaN solution with minimized loop inductance. Before designing the converter, several GaN and Si devices were compared and loss analysis was conducted. Moreover, the impact of common source inductance from layout parasitic inductance was carefully investigated. Experimental test was conducted in buck mode operation at 48 -12 V, and results showed a peak efficiency of 97.8%.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.11-19
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• 2013

본 논문에서는 기생 소자의 커플링 현상을 이용하여 다중 대역 특성을 나타내기 위한 평면형 모노폴 안테나를 설계 및 제작하였다. 제안된 안테나는 단일 공진이 발생하는 사각 패치를 기본으로 다중 대역 특성을 얻기 위해 기생 소자를 삽입하였다. 기생 소자는 안테나 크기의 소형화와 다중 공진 특성을 나타내기 위해 스파이럴 구조를 사용하였으며, 각각의 설계 파라미터들을 이용하여 주파수 특성을 최적화 시켰다. 또한, via-hole을 통해 접지면에 연결된 L자 형태의 공진기를 급전선 양쪽에 삽입함으로써 서비스 대역 이외에 사용되지 않는 주파수 대역을 차단하였다. 사용된 기판은 크기가 $40{\times}60{\times}1mm^3$이고, 비유전율 4.4인 FR-4 기판 위에 설계되었으며, 급전은 임피던스 $50{\Omega}$의 마이크로스트립 선로를 사용하였다. 측정 결과, 1.714~2.496 GHz, 2.977~4.301 GHz, 4.721~6.315 GHz 대역에서 -10 dB 이하의 반사 손실 특성을 나타냈으며, 전방향의 방사 패턴을 나타냈다.

• Journal of Power Electronics
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• 제18권2호
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• pp.375-382
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• 2018

A novel active controlled primary current cutting-off zero-voltage and zero-current switching (ZVZCS) PWM three-level dc-dc converter (TLC) is proposed in this paper. The proposed converter has some attractive advantages. The OFF voltage on the primary switches is only Vin/2 due to the series connected structure. The leading-leg switches can obtain zero-voltage switching (ZVS), and the lagging-leg switches can achieve zero-current switching (ZCS) in a wide load range. Two MOSFETs, referred to as cutting-off MOSFETs, with an ultra-low on-state resistance are used as active controlled primary current cutting-off components, and the added conduction loss can be neglected. The added MOSFETs are switched ON and OFF with ZCS that is irrelevant to the load current. Thus, the auxiliary switching loss can be significantly minimized. In addition, these MOSFETs are not series connected in the circuit loop of the dc input bus bar and the primary switches, which results in a low parasitic inductance. The operation principle and some relevant analyses are provided, and a 6-kW laboratory prototype is built to verify the proposed converter.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권9호
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• pp.931-935
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• 2003

본 논문에서는 LTCC 기술을 이용한 다중기판 2단 LC 대역통과 필터를 제안하였다. 이 필터는 서로 다른 유전율을 갖는 세라믹 재료를 사용하였다. 인덕터는 손실과 기생성분을 감소시키기 위하여 저유전율의 재료에 설계되었다. 반면에 커패시터는 단면적을 감쇄시키기 위하여 고유전율의 재료에 설계되었다. 본 논문에서 제안된 대역통과 필터의 전체크기는 2.5${\times}$2.5${\times}$l.4mm$^3$이며 949 MHz의 중심주파수 및 3.5 dB의 삽입손실과 118MHz의 대역폭을 갖는다. 성능은 각각의 LC 공진기 사이의 커플링 커패시터에 의하여 조절하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제37권3호
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• pp.43-48
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• 2000

본 논문에서는 본딩와이어를 이용한 수직형 트랜스포머를 제안하고, FEM (Finite Element Method)을 이용한 완전 해석법 (Full-waye analysis)으로 20 GHz 까지 해석하였다 나선형 트랜스포머와 전기적인 특성을 비교하였고, 구해진 S-파라미터로부터 상호 인덕턴스를 추출하였다. 본딩와이어를 이용한 트랜스포머는 낮은 삽입손실을 가지며, 본딩와이어의 대부분이 손실이 없는 공기중에 위치하므로 정전용량 및 유전 손실을 줄일 수 있는 구조이다. 또한, 자동화된 와이어 본딩 장비를 이용하여 쉽게 제작할 수 있다. 본딩와이어를 이용한 트랜스포머는 Impedance matching, Phase shifting등 다양한 범위에 응용되어 MMIC의 성능 향상을 이룰 것으로 기대된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.450-455
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• 2023

태양광 패널의 큰 기생 커패시턴스에 기인하는 과도한 누설 전류를 피하기 위한 단상 태양광 인버터 중에 부스트 컨버터와 하프브리지 인버터를 종속적으로 결합하는 방식은 가장 단순하면서 누설 전류가 가장 작다. 하지만 직류단 전압이 높아 스위칭 소자의 정격 전압이 높고 스위칭 손실이 크다. 본 논문은 부스트 컨버터를 제거하는 대신에 하프브리지 인버터의 출력 측에 2개의 양방향 스위치를 추가함으로써 벅부스트 인버터로 동작할 수 있는 새로운 회로 토폴로지를 제안한다. 고전압 직류단을 거치는 두 단계의 전력 변환을 한 단계로 줄인 덕분에 전력 손실을 절감할 수 있으며 비용 및 누설 전류는 증가하지 않는다. 제안된 회로 토폴로지의 타당성은 컴퓨터 시뮬레이션 및 전력 손실 계산을 통해 검증한다.