본 논문은 평행 결합 선로와 FLCLM(Frquency Locked Controlled Length Method)을 이용하여 저주파의 기생 신호 와 2차 고조파가 억압된 소형 협대역 개방형 스터브 대역통과 필터에 대하여 새롭게 제안 하였다. 평행 결합 선로의 특징은 저파주대역의 기생 신호와 2차 고조파를 억압 할 수가 있다. 최종 설계한 필터의 실험 결과에서 사용되는 대역의 중심 주파수는 5.8 GHz 이고 대역폭 10 % 이며 삽입 및 반사 손실은 각각 1.2 dB 및 14.8 dB 이다. 추가적으로 저주파 및 고조파 억제는 각각 28.9 dB 및 28.8 dB 이다.
Chang, Woojin;Park, Young-Rak;Mun, Jae Kyoung;Ko, Sang Choon
ETRI Journal
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제38권1호
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pp.133-140
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2016
This paper presents a method of parasitic inductance reduction for high-speed switching and high-efficiency operation of a cascode structure with a low-voltage enhancement-mode silicon (Si) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and a high-voltage depletion-mode gallium nitride (GaN) fielde-ffect transistor (FET). The method is proposed to add a bonding wire interconnected between the source electrode of the Si MOSFET and the gate electrode of the GaN FET in a conventional cascode structure package to reduce the most critical inductance, which provides the major switching loss for a high switching speed and high efficiency. From the measured results of the proposed and conventional GaN cascode FETs, the rising and falling times of the proposed GaN cascode FET were up to 3.4% and 8.0% faster than those of the conventional GaN cascode FET, respectively, under measurement conditions of 30 V and 5 A. During the rising and falling times, the energy losses of the proposed GaN cascode FET were up to 0.3% and 6.7% lower than those of the conventional GaN cascode FET, respectively.
본 논문에서는 마이크로스트립의 단점인 대역폭을 개선하기 위해 마이크로스트림 전송선로가 있는 유전체 층(layer)과 복사 다이폴이 있는 유전체 층사이에 또 하나의 기생 다이폴(parasitic dipole)을 갖는 유전체 층이 있는 3층(3-layer)의 구조를 갖는 안테나를 제시하였다. 제시된 구조에서 파라미터들(복사 다이폴의 길이와 offset 위치, 기생 다이폴의 폭과 길이 및 기생 다이폴의 offset 위치 등)을 변화하여 궤환 손실(return loss)을 계산한 후, 최적 대역폭을 갖는 3-layer 안테나를 설계하였다. 그리고 설계된 3-layer와 기생 다이폴이 없는 2-layer 안테나의 대역폭을 각각 비교하였으며 또한 안테나를 제작 실험하여 이론치와 실험치를 비교 검토하였다. 앙상블(Ensemble 5.1)을 사용하여 시뮬레이션 하였다
Bonding wires for high frequency device packaging have dominant parasitic inductances which limit the performance of semiconductor lasers. In this paper, the inductance sof bonding wires are claculated by the method of moments with incorporation of ohmic loss, and the wideband modulation characteristics are analyzed for ddifferent wire lengths and structures. We observed the modulation bandwidth for 1mm-length bonding wire lengths and structures. We observed the modulation bandwidth for 1mm-length bonding wire is 7 GHz wider than that for 2mm-length bonding wire. We also observed th estatic inductance calculation results in dispersive deviation of the parasitic inductance and the modulation characteristics from the wideband moment methods calculations. The angled bonding wire has much less parasitic inductance and improves the modulation bandwidth more than 6 GHz. This calculation resutls an be widely used for designing and packaging of high-speed semiconductor device.
In this paper, E-plane gap-coupled rectangular microstrip antennas with parasitic elements are analyzed. The mutual coupling between the radiating edges is represented as the voltage-dependent current source. The gap coupling between the patch and parasitic element is characterized with the REC(Radiating Edges-Coupling) model, and the conventional transmission line model is used to obtain the equivalent circuit of the antenna. The return loss of the rectangular microstrip antennas with short-and open-circuit parasitic elements are calculated and compared with the measured values. The theoretical values including the mutual coupling are more in agreement with the measured values than the calculated values without the mutual coupling.
본 논문에서는 단일면 야기 다이폴 급전 소자와 리액턴스가 장하된 인접한 두 기생 다이폴 소자를 이용한 UNII 대역에서 동작하는 소형 빔 조향 평면형 다이폴 배열 안테나를 제안한다. 제작된 안테나는 기생 소자의 리액턴스를 전자적으로 변화시킴으로써 UNII 대역에서($5.725{\sim}5.825\;GHz$) 다이폴 수직면 $-100^{\circ}$에서 $100^{\circ}$ 범위에서 $3.3{\sim}4.3\;dB$ 이득 특성을 갖고, -10 dB 이하 반사 손실 대역폭은 $5.4{\sim}5.9\;GHz$로 UNII대역을 포함함을 측정을 통해 확인하였다.
본 논문에서는 180도 방위 빔 커버리지 특성을 갖는 소형의 고이득 빔 조향 기생 배열 안테나를 제안한다. 이 안테나는 단일면 야기 다이폴 급전소자와 리액턴스가 장하된 인접한 두 기생 다이폴 소자로 구성되며 제작된 안테나는 기생소자의 리액턴스를 전자적으로 변화시킴으로써 UNII 대역에서 (5.725GHz~5.825GHz) 방위각$-90^{\circ}$에서 $90^{\circ}$범위에서 5.2dB~6.7dB 이득 특성을 가지며, 반사손실은 -10dB이하임을 측정을 통해 확인하였다.
전력전자 기술의 진보와 고효율 전력 반도체에 대한 수요가 증가함에 따라, 기존의 실리콘(Si) 반도체의 한계를 극복하기 위한 대안으로 실리콘 카바이드(SiC) 소자가 주목받고 있다. SiC 소자는 높은 스위칭 속도로 인해 탁월한 스위칭 효율을 가능하게 하지만, 파워모듈 내부에서 발생하는 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance)로 인해 전압 진동 및 오버슈트 현상이 발생하여 전기적 신뢰성과 효율성에 문제를 일으킬 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 두 가지 접근법을 제시하고 입증하였다. 먼저, RC 스너버 회로를 적용하여 기생 인덕턴스의 영향을 완화함으로써 전기적 안정성을 증대시키는 방법을 시도하였다. 두 번째 방법으로 리드프레임 설계 최적화를 통하여 기생 인덕턴스를 감소시키는 방법을 시도하였다. 이 두 가지 접근법 모두 시뮬레이션과 실험을 통해 검증함으로써 SiC 파워 모듈의 전기적 신뢰성과 효율성을 동시에 향상시킬 수 있음을 보였다.
The present study has tested semi-empirical loss models for a reliable performance prediction of mixed-flow pumps with four different specific speeds. In order to improve the predictive capabilities, this paper recommends a new internal loss model and a modified parasitic loss model. The prediction method presented here is also compared with that based on two-dimensional cascade theory. Predicted performance curves by the proposed set of loss models agree fairly well with experimental data for a variety of mixed-flow pumps in the normal operating range, but further studies considering 'droop-like' head performance characteristic due to flow reversal in mixed-flow impellers at low flow range near shut-off head are needed.
The present study has tested most of loss models previously published in the open literature and found an optimum set of empirical loss models for a reliable performance prediction of centrifugal compressors. In order to improve the prediction of efficiency curves, this paper recommends a modified parasitic loss model. Predicted performance curves by the proposed optimum set agree fairly well with experimental data for a variety of centrifugal compressors. The prediction method developed through this study can serve as a tool for preliminary design and assist the understanding of the operational characteristics of general purpose centrifugal compressors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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