Exact simulation of conducted EMI in switched mode power supplies is proposed. In order to achieve exact simulation, PSPICE active component ABM model and modified transformer model are proposed. Each model parameter is extracted from measurements and data-books. PSPICE simulation results with high frequency PCB pattern model are accordant with EMI measurements for a 50[W] isolated flyback converter. EMI relations of each component and EMI patterns are analyzed.
In this paper, the authors describe the equivalent circuit for a DC motor in consideration of both magnetic saturation and armature reaction phenomena. To develop DC motor model in PSPICE is to eliminate the gap between drive electronics and models of driven machine. On the basis of these results the dynamic characteristics of a MOSFET chopper controlled DC series motor are investigated by PSPICE simulation and experiment.
The MOS-controlled thyristor(MCT) is a new power semi-conductor device that combines four layers thyristor structure presenting regenerative action and MOS-gate providing controlled turn-on and turn-off. The MCT has very fast switching speed owing to voltage controlled MOS-gate, and very low on-state voltage drop resulting from regenerative action of four layers thyristor structure. In addition, because of a higher dv/dt rating and di/dt rating, gate drive circuit and snubber circuit can be simpler comparing to other power switching devices. So recently much interest and endeavor is being applied to develop the performance and ratings of the MCT. This paper describes the switching characteristic of the MCT for its practical applications and presents a model for PSPICE circuit simulation. The model for PSPICE circuit simulation is compared to the experimental result using MCTV75P60F1 made by Harris co..
다층 비율 방정식을 이용한 1550 nm InGaAsP 레이저 다이오드의 PSPICE 등가회로 모델을 제안하고 구현하였다. 비율 방정식에 필요한 레이저 다이오드 파라미터들은 자기충족적 양자우물 해석법을 이용하여 도출하였다. 이 모델을 이용하여 실제 레이저 다이오드와 드라이버 IC를 포함하는 광송신기 회로 전체를 PSPICE로 구현하여 그 출력 값과 측정치를 비교하였다. 이 비교를 통하여 실제 레이저 다이오드의 패키징 시 발생하는 기생 커패시터 값을 산출하였다. 이를 바탕으로 한 PSPICE 출력 값은 여러 동작 주파수에서 실제 회로의 측정값과 일치함을 보였다.
The thesis is used by PSpice circuit model to the characteristics of a fluorescent lamp modified form of he classical Cassie and Mayr equations in order to show the characteristics of HID(High-Intensity Discharge) Lamp. This is useful for applying high-frequency electric ballast for HID Lamp, and show that the result of experimentations and simulations, such as lamp rating, input voltage, high-frequency electric ballast which is using the ABM circuit model of the low pressure sodium lamp, come to the voltage and current wave.
본 논문에서는 PSPICE 프로그램을 이용하여 멤리스터 소자의 전기적 특성을 해석하였다. 멤리스터의 PSPCE 회로해석을 위한 모델링을 제안하고, 멤리스터의 전류-전압 특성을 분석하였고, 멤리스터의 입력전압에 따른 비선형 저항의 변화를 DC해석과 과도해석을 통하여 확인하였다. 또한, 멤리스터 저항의 직렬과 병렬연결에 따른 특성변화를 보았다. 한편, 멤리스터와 커패시터로 이루어진 M-C 회로를 구성하여 충전과 방전특성의 변화를 종래의 R-C회로와 비교분석하였다. 250 Hz의 구형파 입력신호 인가 시, 멤리스터-커패시터 회로의 경우에, 상승시간(Tr) 0.58 ms, 하강 시간 (Tf) 1.6 ms, 지연시간 0.6ms를 나타내었다.
The process of designing protective circuits for signal lines usually consists of a time-consuming trial-and-error procedure, which also requires expensive equipment. However, computer simulation can drastically reduce the costs and time of design procedures based on experimental validation. In this study a gas arrester Pspice-model considering the response time characteristics is presented. The effects of various waveforms on the transient behaviors and firing voltages of a gas arrester were modeled by controlled voltage source E and TABLE function of PSpice, respectively. To estimate the characteristics of the gas arrester model proposed, three different voltage waveforms were used in the simulation and the measurement. The results of the computer simulation are in Rood agreement with the results of the experimental analysis.
본 논문에서 뉴런시냅스 응용을 위한 이산화 타이타늄 나노와이어 기반 멤리스터 소자의 전기회로 모델의 실험적 연구를 보인다. 제안하는 멤리스터 소자의 전기회로 모델은 IC 칩과 연산증폭기, 곱셈기 저항 및 커패시터 등의 수동소자 등으로 이루어진다. 멤리스터 소자의 등가모델의 시간파형, 주파수 특성, I-V 곡선 및 전력특성 등에 대한 PSPICE 모의실험 및 하드웨어 구현의 실험적 연구를 하였다. 측정결과, 히스테리시스 전류-전압 특성 등 실제 멤리스터 소자의 전기적 특성에 유사한 결과를 확인하였다.
복잡한 thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) array 회로의 전기적 특성을 분석하기 위해서는 PSPICE나 AIM-SPICE와 같은 회로 시뮬레이터를 사용하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 다결정 실리콘 (poly-Si) TFT 소자의 입력 변수 추출을 체계화하는 방법을 도입한다. 이 방법을 excimer laser annealing 및 silicide mediated crystallization 방법으로 각각 제작된 다결정 실리콘 TFT 소자에 적용하여 실험 결과와 잘 일치하는 결과를 얻었다. SPICE 시뮬레이터 중에서 PSPICE는 graphic user interface(GUI) 방식의 편의성을 제공하므로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수가 있다는 장점이 있으나, poly-Si TFT 소자 모델을 가지고 있지 않다. 이 연구에서는 PSPICE에 다결정 실리콘 TFT 소자 모델을 이식하고, TFT가 이식된 PSPICE를 사용하여 poly-Si TFT-LCD 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소에 대한 전기적 특성을 분석하였다. 이러한 결과는 TFT-LCD 어레이 특성 분석을 위한 시뮬레이션을 효율적으로 수행하는데 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
리튬폴리머전지의 전기적인 특성을 평가하고 이것을 시스템 측면에서 고찰할 수 있는 이론적인 토대를 마련하기 위하여 본 논문에서는 전지의 전기적인 특성평가를 위한 전기적모델링 기법에 관하여 고찰하였다. 실제 제작된 리튬폴리머전지의 특성자료를 바탕으로 R-L-C 모델을 이용한 동적해석방식과 PSpice 모델을 이용한 정적해석방식을 통하여 리튬폴리머전지의 전기적 특성을 해석하였다. 각 모델의 풍/방전시의 전기적 특성을 고찰하고 충/방전조건에 따른 전지의 단자전압등 특성변수의 변화를 실제 제작된 리튬폴리머전지와 비친, 검토하여 그 타당성을 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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