Improved Electrical Characteristics of Symmetrical Tunneling Dielectrics Stacked with SiO2 and Si3N4 Layers by Annealing Processes for Non-volatile Memory Applications (비휘발성 메모리를 위한 SiO2와 Si3N4가 대칭적으로 적층된 터널링 절연막의 전기적 특성과 열처리를 통한 특성 개선효과)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.22 no.5
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- pp.386-389
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- 2009