• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.186-189
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• 2003

The MFIS capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition method. Thin layers of $ZrO_2$ and $CeO_2$ were deposited as a buffer layer on Si substrate and BLT thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated. X -ray diffraction was used to determine the phase of the BLT thin films and the quality of the $ZrO_2$ and $CeO_2$ layer. AES show no interdiffusion and the formation of amorphous $SiO_2$ layer is suppressed by using the $ZrO_2$ and $CeO_2$ film as buffer layer between the BLT film and Si substrate. The width of the memory window in the C-V curves for the $BLT/ZrO_2/Si$ and $BLT/CeO_2/Si$ structure is 2.94 V and 1.3V, respectively. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory FETs with large memory window.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.23-26
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• 2003

The BLT thin film and MgO buffer layer were fabricated using a metalorganic decomposition method and the DC sputtering technique. The MgO thin film was deposited as a buffer layer on $SiO_2/Si$ and BLT thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical of the MFIS structure were investigated by varying the MgO layer thickness. TEM showsno interdiffusion and reaction that suppressed by using the MgO film as abuffer layer. The width of the memory window in the C-Y curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the MgO layer Leakage current density decreased by about three orders of magnitude after using MgO buffer layer. The results show that the BLT and MgO-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory FETs with large memory window.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제14권2호
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• pp.241-245
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• 2008

비휘발성 속성을 가지면서 램의 특성을 동시에 제공하는 비휘발성 램의 효과적인 활용을 목적으로, 모든 메타데이타를 비휘발성 램에서 관리하고 파일데이타만 낸드플래시에서 관리하는 MiNV(Metadata in NVram) 파일시스템이 이미 제안된 바 있다. 본 연구에서는 MiNV 파일시스템에서 가비지 컬렉션 수행에 대한 효율성을 실험적으로 분석하고, 가비지 컬렉션의 효율성이 전체 파일시스템 성능에 미치는 영향에 대해서 살펴본다. MiNV 파일시스템은 동일한 가비지 컬렉션 기법을 적용하더라도 YAFFS보다 더 효율적으로 가비지 컬렉션을 수행한다. 성능 평가 결과에서 MiNV 파일시스템은 전체 낸드플래시에서 가용한 블록의 개수가 부족할 때 발생하는 공격적인 가비지 컬렉션의 발생 빈도를 줄임과 동시에 공격적인 가비지 컬렉션 수행 시점을 늦춤을 확인하였다. 이와 더불어, 실험 결과는 이러한 가비지 컬렉션에 대한 효율성이 파일시스템의 성능향상에 기여함을 보여준다.

• 한국고분자학회:학술대회논문집
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• 한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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• pp.237-237
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• 2006

P(VDF/TrFE(72/28) ultrathin films were used in the fabrication of Metal-Ferroelectric polymer-Metal (MFM) single bit device with special emphasis on uniform film surface, faster dipole switching time under applied external field and longer memory retention time. AFM and FTIR-GIRAS were complementary in analyzing surface crystalline morphology and the resultant change in chain orientation with varying thermal history. DC-EFM technique was used to 'write-read-erase' the data on the memory bit in a much faster time than P-E studies. The results obtained from this study will enable us to have a good understanding of the ferroelectric and piezoelectric behavior of P(VDF/TrFE)(72/28) thin films suitable for high density data storage applications.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.135-135
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• 2011

최근, 아이팟, 아이패드, 스마트폰 등의 휴대정보 기기의 수요가 급격히 증가하면서, 고집적성(테라비트급), 초소형, 초고속성, 고신뢰성을 확보할 수 있는 나노스케일(nano-scale)의 비휘발성 메모리(Non-volatile Memory; NVM) 소자 개발에 많은 연구가 집중되고 있다. 현재, 기존 CMOS 반도체 공정과 호환성이 우수하면서 고집적성의 특성이 가능한 전하트랩 플래시(Chrage Trap Flash : CTF) 메모리 소자가 차세대 비휘발성 메모리로써 각광 받고 있다. 하지만, 이러한 CTF 소자가 32 nm 이하로 스케일 다운이 되면서, ONO 층의 크기와 두께가 상당히 작고 얇아짐에 따라, 메모리 트랩수가 상당히 줄어들기 때문에 프로그램/소거 상태를 인지하는 메모리 윈도우의 마진을 확보하는데 어려움이 있다. 본 논문에서는 500 nm 크기를 갖는 폴리스티렌 비드(bead)를 이용한 나노 리소그래피 공정으로 질화막 표면에 roughness를 주어, 질화막과 블로킹 산화막의 경계면에 메모리 트랩의 표면적이 증가시켜, 메모리 윈도우 증가와 프로그램 속도를 개선을 구현하였다.

• 한국우주과학회:학술대회논문집(한국우주과학회보)
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• 한국우주과학회 2010년도 한국우주과학회보 제19권1호
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• pp.31.1-31.1
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• 2010

On-Orbit상에서 인공위성의 탑재소프트웨어를 교정하는 경우는 크게 위성의 하드웨어 문제를 소프트웨어적으로 해결/완화, 임무 중 소프트웨어 기능 향상 그리고 지상테스트 동안 확인되지 못한 소프트웨어 문제를 수정하기 위해서 사용된다. 탑재소프트웨어 설계과정에서 이러한 요구조건을 만족할 수 있도록 탑재소프트웨어가 설계되어야 하며 소프트웨어 교정을 위한 잉여 메모리를 반드시 할당해야 한다. 또한, 탑재소프트웨어 실행파일 생성할 경우에도 각 섹션별로 패치가 가능하도록 메모리 맵을 생성해야한다. 기존 저궤도 위성에서는 휘발성 메모리인 RAM 영역에 한해서만 탑재소프트웨어 교정이 가능하였으나 현재 개발 중인 차세대 저궤도 위성에서는 비휘발성 메모리 영역 즉 SGM(Safe Guard Memory)와 NVMEM(Non-Volatile Memory)을 이용하여 탑재소프트웨어를 교정할 수 있는 방식을 제공하고 있다. 이 논문에서는 차세대 저궤도 위성의 탑재소프트웨어의 실시간 교정을 위한 탑재소프트웨어 아키텍처와 제한 사항에 대해서 설명하며 실제 탑재소프트웨어를 교정 하는 방안 과 절차에 대하여 설명한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.205-206
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• 2005

PRAM (Phase change Random Access Memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change material has been researched in the field of optical data storage media. Among the phase change materials, $Ge_2Sb_2Te_5$(GST) is very well known for its high optical contrast in the state of amorphous and crystalline. However, the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study, the structural properties of GST thin films with bottom electrode were investigated for PRAM. The 100-nm thick GST films were deposited on TiN/Si and TiAlN/Si substrates by RF sputtering system. In order to characterize the crystal structure and morphology of these films, we performed x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM).

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권1호
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• pp.1-7
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• 2019

Recently, memristor (anion-based memristor) is referred to as the fourth circuit element which resistance state can be gradually changed by the electric pulse signals that have been applied to it. And the stored information in a memristor is non-volatile and also the resistance of a memristor can vary, through intermediate states, between high and low resistance states, by tuning the voltage and current. Therefore the memristor can be applied for analogue memory and/or learning device. Usually, memristive behavior is easily observed in the most transition metal oxide system, and it is explained by electrochemical migration motion of anion with electric field, electron scattering and joule heating. This paper reports the latest trends and issues of anion-based memristor.

• 정보과학회 논문지
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• 제43권5호
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• pp.524-530
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• 2016

기존보다 데이터를 빠르게 접근하기 위한 노력과 비-휘발성 메모리의 발전은 메모리 파일 시스템 연구에 큰 기여를 해왔다. 메모리 파일 시스템은 파일 입출력의 고성능을 위해서 기존에 사용하는 읽기-쓰기 입출력보다 오버헤드가 적은 메모리 맵 파일 입출력을 사용하도록 제안하고 있다. 하지만 메모리 맵 파일 입출력을 사용하게 되면서 페이지 테이블을 구축할 때 발생하는 오버헤드가 전체 입출력 성능의 큰 부분을 차지하게 되었다. 또한 같은 파일이 반복적으로 접근될 때마다 페이지 테이블을 매번 삭제하기 때문에, 오버헤드가 불필요하게 중복되어서 발생한다는 점을 발견했다. 본 논문이 제안하는 매핑 캐시는 이러한 중복되는 오버헤드를 제거하기 위해서, 매핑이 해제될 때 파일의 페이지 테이블을 제거하지 않고 저장하고 있다가 다시 접근될 때 이를 재활용할 수 있도록 고안한 기법이다. 매핑 캐시는 기존 파일 입출력 성능보다 2.8배, 그리고 웹서버 전체 성능보다 12% 향상을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제36권3호
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• pp.226-232
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• 2023

As a potential alternative to flash memory, HfO₂/Al₂O₃ stacks appear to be a viable option as charge capture layers in charge trapping memories. The paper undertakes a review of HfO₂/Al₂O₃ stacks as charge trapping layers, with a focus on comparing the number, thickness, and post-deposition heat treatment and γ-ray and white x-ray treatment of such stacks. Compared to a single HfO₂ layer, the memory window of the 5-layered stack increased by 152.4% after O₂ annealing at ±12 V. The memory window enlarged with the increase in number of layers in the stack and the increase in the Al/Hf content in the stack. Furthermore, our comparison of the treatment of HfO₂/Al₂O₃ stacks with varying annealing temperatures revealed that an increased annealing temperature resulted in a wider storage window. The samples treated with O₂ and subjected to various γ radiation intensities displayed superior resistance. and the memory window increased to 12.6 V at ±16 V for 100 kGy radiation intensity compared to the untreated samples. It has also been established that increasing doses of white x-rays induced a greater number of deep defects. The optimization of stacking layers along with post-deposition treatment condition can play significant role in extending the memory window.