• 제목/요약/키워드: Nano SOI

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Pseudo MOSFET을 이용한 Nano SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석 (Electrical Characterization of Nano SOI Wafer by Pseudo MOSFET)

  • 배영호;김병길;권경욱
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제18권12호
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    • pp.1075-1079
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    • 2005

  • The Pseudo MOSFET measurements technique has been used for the electrical characterization of the nano SOI wafer. Silicon islands for the Pseudo MOSFET measurements were fabricated by selective etching of surface silicon film with dry or wet etching to examine the effects of the etching process on the device properties. The characteristics of the Pseudo MOSFET were not changed greatly in the case of thick SOI film which was 205 nm. However the characteristics of the device were dependent on etching process in the case of less than 100 nm thick SOI film. The sub 100 nm SOI was obtained by thinning the silicon film of standard thick SOI wafer. The thickness of SOI film was varied from 88 nm to 44 nm by chemical etching. The etching process effects on the properties of pseudo MOSFET characteristics, such as mobility, turn-on voltage, and drain current transient. The etching Process dependency is greater in the thinner SOI wafer.

  • https://doi.org/10.4313/JKEM.2005.18.12.1075 인용 PDF KSCI

SOI edge channel과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자 (A Nano-structure Memory with SOI Edge Channel and A Nano Dot)

  • 박근숙;한상연;신형철
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권12호
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    • pp.48-52
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    • 1998

  • 본 논문에서는 SOI 기판 위에 새롭게 제안된 측면 채널과 나노 점을 갖는 나노 구조의 기억소자를 제작하였다. Top-silicon의 측면이 채널영역이 되고 나노 점이 이 채널 영역의 위에 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 형성되는 구조를 가지는 이 소자는 측면 채널(edge channel)의 너비가 SOI기판의 열산화에 의해 얇아진 top-silicon의 두께에 의해 결정되고, 나노 점의 크기는 반응성 이온 식각(RIE) 및 전자선 직접 묘화에 의해 결정된다. 제작된 나노 구조 소자의 I/sub d/-V/sub d/, I/sub d/-V/sub g/ 특성 및 -20V에서 +14V까지의 게이트 전압 영역에서 문턱전압의 변화 범위가 약 1V정도 되는 기억소자의 특성을 얻었다.

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