A magnetic film was deposited on a slide glass substrate from aqueous solutions of $FeCl_2$ and $NaNO_2$ at 363 K. XRD analysis showed that the film was polycrystalline magnetite $(Fe_{3(1-{\sigma})}O_4)$ without impurity phase. The lattice constant was 0.8390 nm. Mossbauer spectrum of the film could be deconvoluted by the following parameters: isomer shifts for tetrahedral $(T_d)$ and octahedral $(O_h)$ sites are 0.28 and 0.68 mm/s, respectively, and corresponding magnetic hyperfine fields are 490 and 458 kOe, respectively. The estimated chemical formula of the film by the peak intensity of Mossbauer spectrum was $Fe_{2.95}O_4$. Low temperature transition of the magnetite (Verwey transition) was not detected in resistivity measurement of the film. Properties of the film were discussed with those of pressed pellet and single crystal of synthetic magnetites. On the surface of the film, magnetite particles of about 0.2 μm in diameter were identified by noncontact atomic force microscopy (NAFM) and magnetic force microscopy (MFM).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.172-176
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2002
This paper describes a MEMS-based micro-fluxgate magnetic sensing element using Ni$\_$0.8/Fe$\_$0.2/ film formed by electroplating. The micro-fluxgate magnetic sensor composed of a thin film magnetic core and micro-structured solenoids for the pick-up and the excitation coils, is developed by using MEMS technologies in order to take advantage of low-cost, small size and lower power consumption in the fabrication. A copper with 20um width and 3um thickness is electroplated on Cr(300${\AA}$)/Au(1500${\AA}$) films for the pick-up(42turn) and the excitation(24turn) coils. In order to improve the sensitivity of the sensing element, we designed the magnetic core into a rectangular-ring shape to reduce the magnetic flux leakage. An electroplated permalloy film with the thickness of 3 $\mu\textrm{m}$ is obtained under 2000Gauss to induce magnetic anisotropy. The magnetic core has the high DC effective permeability of ∼1,100 and coercive field of -0.1Oe. The fabricated sensing element using rectangular-ring shaped magnetic film has the sensitivity of about 150V/T at the excitation frequency of 2MHz and the excitation voltage of 4.4Vp-p. The power consumption is estimated to be 50mW.
There are few reports of high frequency loss behavior in the near-field for magnetic films with semiconducting properties, even though semiconducting magnetic materials, such as soft magnetic amorphous alloys and nanocrystalline thin films, have been demonstrated. The electromagnetic loss behavior of multilayer magnetic films with semiconducting properties on the microstrip line in quasi-microwave frequency band was analyzed numerically using a commercial finite-element based electromagnetic solver. The large increase in the absorption performance and broadband characteristics of the semiconducting/insulating layer magnetic films examined in this study were attributed to an increase in the loss factor of resistive loss. The electromagnetic reflection increased significantly with increasing conductivity, and the loss power deteriorated significantly. The numerical results of the magnetic field distribution showed that a strong radiated signal on the microstrip line was emitted with increasing conductivity and decreasing film thickness due to re-reflection of the radiated wave from the surface of the magnetic film, even though the emitted levels varied with film thickness.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.77-80
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2001
Crystallographic and magnetic characteristics of CoCr-based magnetic thin film for perpendicular magnetic recording media were influenced on preparing conditions. In these, there is that substrate temperature was parameter that increases perpendicular coercivity of CoCrTa magnetic layer using recording layer. While preparation of CoCr-based doublelayer, by optimizing substrate temperature, we expect to increase perpendicular anisotropy of CoCr magnetic layer and prepare ferromagnetic recording layer with a good quality by epitaxial growth. CoCrTa/Si doublelayer showed a good dispersion angle of c-axis orientation $\Delta$$\theta$$_{50}$ caused by inserting amorphous Si underlayer which prepared at underlayer substrate temperature 250C. Perpendicular coercivity was constant, in-plane coercivity was controlled a low value about 2000e. This result implied that Si underlayer could restrain growth of initial layer of CoCrTa thin film, which showed bad magnetic properties effectively without participating magnetization patterns of magnetic layer. In case of CoCrTa/Si that prepared with ultra thin underlayer, crystalline orientation of CoCrTa was improved rather underlayer thickness 1nm, it was expected that amorphous Si layer played a important role in not only underlayer but also seed layer.t also seed layer.r.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.2
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pp.120-124
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2003
This paper describes a MEMS-based micro-fluxgate magnetic sensing element using Ni$\_$0.8/Fe$\_$0.2/ film formed by electroplating. The micro-fluxgate magnetic sensor composed of a thin film magnetic core and micro-structure solenoids for the pick-up and the excitation coils, is developed by using MEMS technologies in order to take advantage of low-cost, small size and lower power consumption in the fabrication. A copper with 20${\mu}$m width and 3${\mu}$m thickness is electroplated on Cr (300${\AA}$) / Au (1500${\AA}$) films for the pick-up (42turn) and the excitation (24turn) coils. In order to improve the sensitivity of the sensing element, we designed the magnetic core into a rectangular-ring shape to reduce the magnetic flux leakage. An electroplated permalloy film with the thickness of 3${\mu}$m is obtained under 2000 gauss to induce magnetic anisotropy. The magnetic core has the high DC effective permeability of ~1,100 and coercive field of ~0.1 Oe. The fabricated sensing element using rectangular-ring shaped magnetic film has the sensitivity of about 150 V/T at the excitation frequency of 2 MHz and the excitation voltage of 4.4 V$\_$p p/. The power consumption is estimated to be 50mW.
S. H. Lim;K. H. Shin;Kim, K. Y.;S. H. Han;Kim, H. J.
Journal of Magnetics
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v.5
no.1
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pp.19-22
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2000
The effects of a hard-biased Held on the magnetic and magnetoresistive properties of a crossed spin-valve head are investigated by computer simulation with particular emphasis on the asymmetry of the output signal. The spin-valve considered in this work is NiMn (25 nm)/NiFe (2.5 m)/Cu (3 nm)/NiFe (5.5 m), with a length of 1500 m and a width of 600 nm. A simple model is used where each magnetic layer consists of a single domain, and the magnetoresistance is a function of the angle between the magnetization directions of the two magnetic layers. The ideal crossed spin-valve structure is not realized with the present model and magnetic parameters, but the deviation from ideality is decreased by the hard-biased field. This results in the improvement of the linearity of the output signal with the use of the bias field. The magnetoresistance ratio and magnetoresistive sensitivity, however are reduced. The magnetic properties including the magnetoresistance are found to be strongly affected by magnetostatic interactions, particularly the inter-layer magnetostatic field.
The soft magnetic property for the Corning glass/Ta(5 nm)/[Conetic, Permalloy)/Ta(3 nm) prepared by the ion beam deposition sputtering was investigated. The coercivity and saturation magnetic field of conetic (NiFeCuMo) and permalloy (NiFe) layer with easy and hard direction along to the applying magnetic field during deposition was compared with each other. The surface resistance of conetic film with a thickness of 10 nm was 2 times lower than one of permalloy film. The coercivity and the magnetic susceptibility of conetic film decreased and increased 3 times to one of permalloy film, respectively. These results suggest that a highly sensitive GMR-SV or MTJ using conetic film can be possible to develop the bio-device.
This study examined the effect of various types of epitaxial strain on the magnetic properties of $SrRuO_3$ thin films. Epitaxial $SrTiO_3$ (001), $SrTiO_3$ (110), and $SrTiO_3$ (111) substrates were used to apply different crystal symmetries to the grown films. The films were grown using pulsed laser deposition. The X-ray diffraction patterns of the films grown under optimum conditions showed very clear peaks for the $SrRuO_3$ film and $SrTiO_3$ substrates. The saturated magnetic moment at 5 K after 7 Tesla field cooling was $1.2-1.4\;{\mu}_B$/Ru. The magnetic easy axis for all three types of films was along the surface normal. The magnetic transition temperature for the $SrRuO_3$ film with lower symmetry was slightly larger than the $SrRuO_3$ film with higher symmetry.
Change of magnetic properties in CoCrPt/Ti perpendicular media with varying CoCrPt film thickness has been studied. As the CoCrPt film thickness increases from 25 nm, the Ms (saturation magnetization) increases rapidly at first and then more gradually. This Ms behavior is associated primarily with the formation of an "amorphous-like"reacted layer created by intermixing of CoCrPt and Ti at the CoCrPt/Ti interface and secondarily with a change of the Cr segregation mode with varying CoCrPt film thickness. Magnetic domain structure distinctively changes with increasing CsCrPt magnetic layer (ML) thickness. Also the strength of exchange coupling measured from the slope in the demagnetizing region of the M-H loop changes with ML thickness. The expansion of lattice parameters a and c at smaller film thickness suggests that the Cr segregation mode may be connected with the residual stress of the films. Finally, the negative nucleation field (Hn) shows a unique behavior with the change of strength of the exchange interaction.teraction.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.12S
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pp.1305-1309
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2003
To utilize FeCoSiB amorphous films for magnetoelastic sensors, the temperature dependency of magnetization (M-T curve) and the magnetization properties of the amorphous films were investigated in this study. As the amount of cobalt In the films increased, the Curie temperature decreased but the crystallization temperature increased. In addition to this, the crystallization temperature was lower than the Curie temperature in the film containing 20 at% cobalt. The optimized annealing condition was set up by analyzing the H-T curve. And then, the amorphous film that has excellent magnetic properties and uni-axal anisotropy could be prepared for construction of the magnetoelastic sensor devices. The coercive force of the film was below 0.5 Oe and the anisotripic field was about 5 Oe.
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