• 한국진공학회지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.194-199
• /
• 1997

Al/a-Si:H/Mo 구조의 MIM(Metal-Insulator-Metal) antifuse를 제작하여 antifuse의 I-V 특서을 조사하고, 온저항의 분포를 구하였다. 제작된 antifuse의 누설전류는 1pA/$\mu\textrm{m}^2$이하였고, 프로그래밍 전압은 10~11V 내에 분포하였다. 프로그램 후 온저항은 대부분 10~20 Ω이었고, 20%정도는 100$\Omega$이상의 분포도를 보였다. 이러한 온저항 분포의 편차와 저항값을 줄이기 위해 이미 프로그램된 antifuse에 다시 전류를 주입하는 재 프로그래밍 방법을 시도 하였다. 이 방법을 통하여 100$\Omega$이상의 온저항을 가지는 antifulse를 다시 50$\Omega$이하로 낮출 수 있었다. 재 프로그래밍 방법을 사용한 antifuse는 한번만 프로그래밍 했을 때 보다 더욱 더 균일하고 낮은 온저항 분포를 가졌다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 한국신재생에너지학회 2011년도 추계학술대회 초록집
• /
• pp.64.2-64.2
• /
• 2011

a-Si 박막 태양전지는 a-Si:H을 유리 기판 사이에 주입해 만드는 태양전지로, 뛰어난 적용성과 경제성을 지녔으나 c-Si 태양전지에 비해 낮은 변환 효율을 보이는 단점이 있다. 변환 효율을 높이기 위한 연구 방법으로는 a-Si 박막 태양전지 단일cell 제작 시 high Bandgap을 가지는 p-layer를 사용함으로 높은 Voc와 Jsc의 향상에 기여할 수 있는데, 이 때 p-layer의 defect 증가와 activation energy 증가도 동시에 일어나 변환 효율의 증가폭을 감소시킨다. 이를 보완하기 위해 본 실험에서는 p-layer에 기존의 p-a-Si:H를 사용함과 동시에 high Bandgap의 buffer layer를 p-layer와 i-layer 사이에 삽입함으로써 그 장점을 유지하고 높은 defect과 낮은 activation energy의 영향을 최소화하였다. ASA 시뮬레이션을 통해 a-Si:H보다 high Bandgap을 가지는 a-SiOx 박막을 사용하여 p-type buffer layer의 두께를 2nm, Bandgap 2.0eV, activation energy를 0.55eV로 설정하고, i-type buffer layer의 두께를 2nm, Bandgap 1.8eV로 설정하여 삽입하였을 때 박막 태양전지의 변환 효율 10.74%를 달성할 수 있었다. (Voc=904mV, Jsc=$17.48mA/cm^2$, FF=67.97).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.913-919
• /
• 2000

We give pressure stimulation into long chain fatty acid of LB thin films then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 20[mN/m]. In processing of a device manufacture, we can see the process is good from the change of a surface pressure for organic thin films and transfer ratio of area per molecule. The structure of manufactured device is Au/Arachidic acid/Al, the number of accumulated layers are 13, 17 and 19. The I-V characteristic of the device is measured from 0[V] to +1.5[V]. We have investigated the capacitance because this fatty acid system have a accumulated layers. The maximum value of measured current is increased as the number of accumulated layers are decreased. The capacitor properties of a thin film is better as the distance between electrodes is smaller. The results have shown the insulating materials and could control the conductivity by accumulated layers.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
• /
• pp.101-104
• /
• 2002

Abstract We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 10[mN/m]. In processing of a device manufacture, we can see the process is good from the change of a surface pressure for organic thin films and transfer ratio of area per molecule. The structure of manufactured device is Au/Poly-${\gamma}$ Benzyl $_D$-Glutamate/Al; the number of accumulated layers is 1, 3, 5 and 7. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from 0 to +2[V]. We determined electrochemical measurement by using cyclic voltammetry with a three-electrode system. LB film accumulated by monolayer on an ITO. In the cyclicvoltammetry, An Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode measured in $LiBF_4$ solution, stable up to 0.9V vs. Ag/AgCl.

• 분석과학
• /
• 제10권3호
• /
• pp.187-195
• /
• 1997

[16]-ane-$S_4$/탄소분말 함량비를 50%로 하여 nujol oil과 혼합하여 수식전극을 제조하였다. $5.0{\times}10^{-4}M$ $Ag^+$를 포함하는 pH 4.5인 아세트 완충용액에 수식전극을 담가 $Ag^+$를 전극 표면에 흡착시켰다. 이 때 흡착시간을 15분으로 하고 전해환원시키는 시간은 -0.3V vs S.C.E에서 2분으로 하였다. 또한 0.1M $HNO_3$ 용액으로 전극을 활성화시켰으며 한번 활성화한 전극은 10회까지 사용이 가능하였다. 최적 분석조건에서 미분펄스 전압전류법으로 $5.0{\times}10^{-7}{\sim}1.5{\times}10^{-6}M$ 사이의 농도 범위에서 정량해 보았을 때 직선성이 잘 성립하였으며, 검출한계는 $2.0{\times}10^{-7}M$이었다. 대부분의 금속들은 방해를 주지 않았으나, Cu(II)은 방해를 나타내었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제13권5호
• /
• pp.556-559
• /
• 1992

Hydrocarbon solution of $(PPh_3)_2(CO)MOSO_2CF_3$ (M= Rh, Ir) reacts rapidly with 1,4-dicyanobenzene or 1,4-dicyano-2-butene to yield dinuclear metal complexes $[(PPh_3)_2(CO)M({\mu}-dicyanobenzene)M(CO)(PPh_3)_2](SO_3CF_3)_2$ (I: M = Rh; II: M = Ir) or $[(PPh_3)_2(CO)M({\mu}-dicyano-2-benzene)M(CO)(PPh_3)_2](SO_3CF_3)_2$ (III: M = Rh; IV: M = Ir), respectively. Compounds I, II, III, and IV were characterized by $^1H$-NMR, $^{31}P$-NMR, and infrared spectrum. Dichloromethane solution of II and IV reacts with $H_2\;and\;I_2$ to yield oxidative addition complexes $[(PPh_3)_2(CO)IrX_2({\mu}-E)X_2Ir(CO)(PPh_3)_2](SO_3CF_3)_2$ (V; E = 1,4-dicyanobenzene, $X_2$ = $H_2$; VI : E = 1,4-dicyano-2-butene, $X_2$ = $H_2$; VII; E = 1,4-dicyanobenzene, $X_2$ = $I_2$). All metal complexes are bridged by the cyanide groups. Compounds Ⅴ, Ⅵ, and Ⅶ are characterized by conventional methods.

• 한국수소및신에너지학회논문집
• /
• 제10권1호
• /
• pp.59-69
• /
• 1999

반응성 스퍼터링법으로 AIN 박막을 증착하여 Al/AlN/Si구조의 MIS소자용 절연박막으로서의 응용가능성에 대해 연구하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$, RF power 150W, 스퍼터링 압력 5mTorr, 아르곤과 질소 가스유량비 1:1 의 조건에서 5%의 수소가스를 부가적으로 첨가해 주는 시기에 따른 AIN박막의 표면형상변화, I-V특성, C-V특성, 조성을 조사하였다. 수소첨가에 따라 증착속도는 상당히 감소하였으나 표면형상 및 거칠기는 크게 변하지 않았다. I-V특성에서는 AIN 박막 증착시 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우가 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우보다 보다 우수한 절연특성을 보였다. 또한 C-V특성에서도 수소가 첨가됨에 따라 플랫밴드전압이 매우 낮아졌으며, 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 히스테리시스를 거의 보이지 않았으나, 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 상당한 히스테리시스를 보였다. AES를 이용한 조성분석을 통해 수소가스가 첨가됨에 따라 AIN박막내의 산소농도가 낮아진다는 사설을 발견하였고, 이에 따라 박막의 절연특성 및 C-V특성이 향상될 수 있는 가능성을 보였다.

• 한국수산과학회지
• /
• 제30권3호
• /
• pp.442-450
• /
• 1997

본 연구는 부경대학교 해양탐사선인 탐양호를 이용하여 1995년 2월 14일에서 17일까지 실시하였다 수온, 염분 및 용존산소를 이용한 T-S diagram 및 $T-O_2$ diagram 으로부터 수괴는 5개의 Type으로 구분되었다. 특히 T-S diagram에서는 잘 구분되지 않았던 Type IV와 Type V는 $T-O_2$ diagram에서 뚜렷이 구분되었다. 하지만 기존 수괴와 명확히 일치하지 않는 것은 본 조사가 동계에 실시되어 표층수온의 감소로 인하여 수괴의 수직혼합이 강하게 일어나서 생긴 현상으로 사료된다. 영양염류의 수괴별 농도분포를 보면, Type I, Type II, Type III은 서로 거의 비슷한 농도를 보였지만 Type IV에서 Type V로 갈수록 증가되었다. 그리고 동일 수괴에서 농도범위가 넓게 나왔는데, 이는 수온약층의 약화로 인하여 발생한 것으로 생각된다. N/P ratio은 모든 water type에서 Redfield ratio 이하로 나타났는데, 이것은 질산염이 식물플랑크톤 성장의 제한인자로 작용하고 있음을 보여주고 있다. chlorophyll $\alpha$의 농도는 $0\~8\;{\mu}g/\ell$의 범위로, Type I에서 최대였고 Type IV와 Type V에서는 거의 검출되지 않았다. 입자성 유기탄소와 유기질소의 농도는 각각 $0.49\~20.03\;{\mu}g-at/\ell$와 $0.09\~5.34\;{\mu}g-at/\ell$ 범위로서, 수심의 증가에 따라 그 농도가 감소하고, 연안에서 외양쪽으로 갈수록 낮아지는 경향이었다. Water type별 농도는 Type I > Type II > Type III > Type IV > Type V의 순서로 수심의 증가에 따라 농도가 증가하는 경향이었다. 즉 이들 입자성 유기물질은 수괴별로 어떤 뚜렷한 경향을 보이지는 않았으며, 수심에 따라서 농도가 변화되는 것으로 생각된다. POC/PON의 원자비는 3.23으로 Redfield ratio 이하로 나타났다. 이것은 POC보다 PON이 더 난분해성이라 침강하는 동안 POC는 분해되지만 수직혼합에 의해 PON은 다시 재부유하기 때문인 것으로 사료된다. POC/chlorophyll $\alpha$의 평균값은 1962로 매우 높은 값을 나타내었으며, non-living detritus가 POC의 대부분을 차지하고 있는 것으로 판단된다.

• 전자공학회논문지
• /
• 제53권11호
• /
• pp.66-70
• /
• 2016

본 논문에서는 심장박동 측정 레이더 송수신기용 24 GHz I/Q 발생기를 제안한다. 공정 변화에 따른 I/Q LO 신호간의 부정합 특성을 개선하기 위하여 인덕터와 캐패시터로 구성된 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 기반 24 GHz I/Q LO 발생기를 제안하였다. 제안한 24 GHz I/Q 발생기는 LO 버퍼와 high-pass 위상천이기와 low-pass 위상천이기 구성된 24 GHz I/Q LO 발생기는 65 nm CMOS 공정에서 설계되었고, 전원 전압 1 V에서 8 mA의 전류를 소모하면서 24.05 GHz에서 24.25 GHz의 주파수 대역에서 7.5 dB의 전압 이득, 2.3 dB의 잡음 지수, 공정 및 온도 변화에 대해 0.1 dB의 I/Q 이득 부정합, 4.3도의 I/Q 위상 부정합의 성능을 보인다.

• Progress in Superconductivity
• /
• 제3권1호
• /
• pp.1-4
• /
• 2001

Interface-engineered junctions with $YbBa_2$$Cu_3$$O_{7}$ as the counter electrode were demonstrated. The junctions exhibited excellent Josephson characteristics with a Josephson critical current ($I_{c}$) ranging from 0.1 mA to 8 mA and a magnetic field modulation of the $I_{c}$ exceeding 80% at 4.2 K while maintaining complete c-axis orientation of the counter-electrode layer. The$ 1\sigma$ spreads in $I_{c}$ for junctions with an average $I_{c}$ of 1-2 mA were 5-8% for 16 junctions within a chip, and 9.3% for a 100-junction array. Our dI/dV measurements suggest that a theoretical approach taking into account both a highly transparent barrier and the proximity effect is required to fully understand the Junction characteristics.ristics.