The $m{\times}n$ Boolean matrix A is said to be of Boolean rank r if there exist $m{\times}r$ Boolean matrix B and $r{\times}n$ Boolean matrix C such that A = BC and r is the smallest positive integer that such a factorization exists. We consider the the sets of matrix ordered pairs which satisfy extremal properties with respect to Boolean rank inequalities of matrices over nonbinary Boolean algebra. We characterize linear operators that preserve these sets of matrix ordered pairs as the form of $T(X)=PXP^T$ with some permutation matrix P.
In this paper a Fractional-N frequency synthesizer is designed for UHF RFID readers. It satisfies the ISO/IEC frequency band($860{\sim}960MHz$) and is also applicable to mobile RFID readers. A VCO is designed to operate at 1.8GHz band such that the LO pulling effect is minimized. The 900MHz differential I/Q LO signals are obtained by dividing the differential signal from an integrated 1.8GHz VCO. It is designed using a $0.18{\mu}m$ RF CMOS process. The measured results show that the designed circuit has a phase noise of -103dBc/Hz at 100KHz offset and consumes 9mA from a 1.8V supply. The channel switching time of $10{\mu}s$ over 5MHz transition have been achieved, and the chip size including PADs is $1.8{\times}0.99mm^2$.
In this paper, we describe a UHF-band CMOS fractional-N frequency synthesizer using a ring - type VCO. It has been designed using $0.18{\m}m$ CMOS technology. First, The newly designed charge-pump circuit includes an OTA for matching between the upper current and the lower current In addition, a ring - type VCO is also used for small chip sire. The simulation results show that the designed circuit has a phase noise of -109.53dBc/Hz at 1MHz offset and consumes 19.4mA from a 1.8V supply. The lock time is less than 30usec and the chip size is $0.45mm{\times}0.5mm$.
In this paper a Fractional-N frequency synthesizer is designed for UHF RFID readers. It satisfies the ISO/IEC frequency band $(860{\sim}960MHz)$ and is also applicable to mobile RFID readers. It is designed using a $0.18{\mu}$ RF CMOS process. The measured results show that the designed circuit has a phase noise of -103dBc/Hz at 100kHz offset and consumes 9mA from a 1.8V supply. The channel switching time of $10{\mu}s$ over 5MHz transition have been achieved, and the chip size including PADs is $1.8{\times}0.99mm^2$
In this paper, we have designed the fractional-N frequency synthesizer for bluetooth system using 0.35-um CMOS technology and 3.3-V single power supply. The designed synthesizer consist of phase-frequency detector (PFD), charge pump, loop filter, voltage controlled oscillator (VCO), frequency divider, and sigma-delta modulator. A dead zone free PFD is used and a modified charge pump having active cascode transistors is used. A Multi-modulus prescaler having CML D flip-flop is used and VCO having a tuning range from 746 MHz to 2.632 GHz at 3.3 V power supply is used. Total power dissipation is 32 mW and phase noise is -118 dBc/Hz at 1 MHz offset.
최근 영상 장비와 기술이 발전함에 따라 우리 군에서도 작전지역에 대한 정보를 획득하고, 효율적인 지휘통제에 활용하기 위해 수많은 영상정보가 생산되어 활용되고 있다. 이때 현재 군내에서 활용하고 있는 영상 재생장비는 저성능의 전술용 다기능 단말기(TMFT)로부터 고성능의 영상서버에 이르기까지 매우 다양하고, 영상이 전송되는 네트워크 또한 저속의 전술정보통신체계(TICN)로부터 초고속의 국방광대역통합망(M-BcN)에 이르기까지 다양하다. 따라서 이기종(異機種) 통신장비 및 네트워크 환경에서 국방 영상정보를 효율적으로 전송할 수 있는 스트리밍 기법이 필요하다. 이 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 확장비디오코딩(SVC) 및 균형선택 알고리즘 기반의 피투피(P2P) 스트리밍 기법을 제안한다. 비토렌트 기반의 시뮬레이터를 활용한 성능분석결과 우리가 제안하는 균형선택 알고리즘 기반의 스트리밍 기법은 순차선택이나 희소선택 알고리즘에 비해 우수한 성능을 보였다.
In this paper, the fast locking PLL Frequency Synthesizer with low phase noise in a 0.18um CMOS process is presented. Its main application IS for the 915MHz ISM band wireless transponder upon the CPFSK (Continuous Phase Frequency Shift Keying) modulation scheme. Frequency synthesizer, which in this paper, is designed based on self-biased techniques and is independent with processing technology when damping factor and bandwidth fixed to most important parameters as operating frequency ratio, broad frequency range, and input phase offset cancellation. The proposed frequecy synthesizer, which is fully-integrated and is in 320M $^{\sim}$ 960MHz of the frequency range with 10MHz of frequency resolution. And its is implemented based on integer-N architecture. Its power consumption is 50mW at 1.8V of supply voltage and core area is $540{\mu}m$${\times}$$450{\mu}m$. The measured phase noises are -117.92dBc/Hz at 10MHz offset, with low settling time less than $3.3{\mu}s$.
본 논문은 싱글의 LC-탱크 전압제어발진기(VCO)를 사용한 $2{\sim}6GHz$의 CMOS 주파수 합성기에 관하여 기술하였다. 광대역에서 동작하는 주파수 합성기 설계를 위해 최적화된 로컬발진기(LO) 신호 발생기를 사용하였다. LO 신호 발생기는 LC-탱크 VCO와 이 신호를 분주하고 혼합하는 방법으로 광대역의 주파수에서 동작하도륵 구현하였다. 주파수 합성기는 3차 1-1-1 MASH 타입의 시그마-델타 모듈레이터(SDM)를 사용한 소수 분주 위상잠금루프(PLL)에 기초로 설계되었다. 제안한 주파수 합성기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정기술을 사용하여 설계하였고, off-chip 루프 필터를 가지고 $0.92mm^2$의 칩 면적을 차지하며, 1.8V 전원에서 36mW 이하의 전력을 소모한다. PLL은 $8{\mu}s$보다 적은 시간에서 록킹을 완료한다. 위상 잡음은 중심 주파수 신호로부터 1MHz 오프셋에서 -110dBc/Hz보다 작다.
This paper presents a 900MHz fractional-N frequency synthesizer for radio frequency identification (RFID) reader using $0.18{\mu}m$ standard CMOS process. The IC meets the EPC Class-1 Generation-2 and ISO-18000 Type-C standards. To minimize VCO pulling, the 900MHz VCO is generated by a 1.8GHz VCO followed by a frequency divider. The settling time of the synthesizer is less than $20{\mu}m$. The frequency synthesizer achieves the phase noise of -105.6dBc/Hz at 200kHz offset. The frequency synthesizer occupies an area of $1.8{\times}0.99mm^2$, and dissipates 8mA from a low supply voltage of 1.8V.
최근 TV 방송의 새로운 시장인 DTV 시장이 넓어지면서 DTV 튜너에 대한 요구도 많아지고 있다. DTV 튜너를 설계하는 데에는 많은 어려운 부분이 있지만, 가장 어려운 부분 중에 하나가 주파수합성기이다. 본 논문에서는 DTV 튜너를 위한 주파수합성기 회로를 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였다. 설계한 주파수합성기는 DTV(ATSC)의 주파수 대역(54~806MHz)을 만족한다. 하나의 VCO를 사용하여 광대역을 만족시킬 수 있는 구조를 제안하고, LO pulling 효과를 최소화 하기위하여 1.6~3.6GHz 대역에서 동작하도록 설계하였다. 또한 고주파 대역과 저주파 대역에서의 VCO 이득의 차이와 주파수 간격의 변화를 줄여 안정적인 광대역 특성을 구현하였다. 모의실험 결과, 설계한 VCO의 이득은 59~94MHz(${\pm}$17.7MHz/V,${\pm}$23%)이고, 주파수 간격은 26~42.5MHz (${\pm}$8.25MHz/V,${\pm}$24%)이며, tuning range는 76.9%이다. 설계된 주파수합성기의 위상잡음은 100kHz offset에서 -106dBc/Hz이고, 고착시간은 약 $10{\mu}s$ 정도이다. 설계된 회로는 1.8V 전원전압에서 20~23mA의 전류를 소모하며 칩 면적은 PAD를 포함하여 2.0mm${\times}$1.8mm이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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