Sulfide concentrations critically affect worker safety and the integrities of underground facilities, such as deep geological repositories for spent nuclear fuel. Sulfide is highly sensitive to oxygen, which can oxidize sulfide to sulfate. This can hinder precise measurement of the sulfide concentration. Hence, a literature review was conducted, which revealed that two methods are commonly used: the methylene blue and sulfide ion-selective electrode (ISE) methods. Inductively coupled plasma optical emission spectroscopy (ICP-OES) was used for comparison with the two methods. The sulfide ISE method was found to be superior as it yielded results with a higher degree of accuracy and involved fewer procedures for quantification of the sulfide concentration in solution. ICP-OES results can be distorted significantly when sulfide is present in solution owing to the formation of H2S gas in the ICP-OES nebulizer. Therefore, the ICP-OES must be used with caution when quantifying underground water to prevent any distortion in the measured results. The results also suggest important measures to avoid problems when using ICP-OES for site selection. Furthermore, the sulfide ISE method is useful in determining sulfide concentrations in the field to predict the lifetime of disposal canisters of spent nuclear fuel in deep geological repositories and other industries.
This study was carried out to investigate the applicability of PVC membrane-based ion-selective electrodes for macronutrients (K, Ca, and N) by measuring of potassium, calcium, nitrate ions in hydroponic nutrient solution. The capabilities of two ion-selective membranes with varying chemical compositions for each ion were evaluated in terms of sensitivity, selectivity, and lifetime to choose sensing elements suitable for measuring typical ranges of nutrient concentrations in hydroponic solutions. The selected calcium and nitrate ion-selective membranes showed effectively sensitive responses to calcium and nitrate ions with lifetimes of 25 and 15 days, respectively. The addition of a cation additive to the potassium membrane cocktail allowed its sensitivity to be increased whereas its lifetime was reduced from 30 days to 10 days.
Kim, Sang-Cheol;Kim, Eun-Dong;Zhang, Chang-Li;Kim, Nam-Kyun;Baek, Do-Hyun
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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pp.1096-1099
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2001
The basic design structure of RC-GCTs (Reserve-Conducting Gate-Commutated Thyristors) is firstly given in this paper. The bulk of wafer is punch-through (PT) type with high resistivity and narrow N-base width. The photo-mask was designed upon the turn-off characteristics of GCT and solution of separation between GCT and diode part. The center part of Si wafer is free-wheeling diode (FWD) and outer is GCT part which has 240 fingers totally. The switching performance of GCT was investigated by Dessis of ISE. The basic manufacture process of 2500V-4500V RC-GCTs was given in this work. Additionally, the local carrier lifetime control by 5Mev proton irradiation was adopted so as to not only to have the softness of reverse recovering for FWD but for reduction of turn-off losses of GCT as well.
Kim E. D.;Kim S. C.;Zhang C. L.;Kim N. K.;Bai J. B.;Li J. H.;Lu J. Q.
전력전자학회:학술대회논문집
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전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
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pp.36-38
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2001
A basic structure of 2500V-4500V reverse-conducting GCT (RC-GCT) is given in this paper. The punch-through type (PT) is adopted for narrow N-base with high resistivity so that the fast turn-off and low on-state voltage can be achieved. The photo mask design was made upon the both turn-off performance and solution of separation between GCT and integrated freewheeling diode (FWD) part. The turn-on and turn-off characteristics for reserve-conducting gate commutated thyristors (RC-GCTs) were investigated by ISE simulation. Additionally, the local carrier lifetime control by proton irradiation was adopted so as not only to obtain the reduction of turn-off losses of GCT but also to reach a soft reverse recovering characteristics of FWD
The SIT was introduced by Nishizawa. in 1972. When compared with high-voltage, power bipolar junction transistors, SITs have several advantages as power switching devices. They have a higher input impedance than do bipolar transistors and a negative temperature coefficient for the drain current that prevents thermal runaway, thus allowing the coupling of many devices in parallel to increase the current handling capability. Furthermore, the SIT is majority carrier device with a higher inherent switching speed because of the absence of minority carrier recombination, which limits the speed of bipolar transistors. This also eliminates the stringent lifetime control requirements that are essential during the fabrication of high-speed bipolar transistors. This results in a much larger safe operating area(SOA) in comparison to bipolar transistors. In this paper, vertical SIT structures are proposed to improve their electrical characteristics including the blocking voltage. Besides, the two dimensional numerical simulations were carried out using ISE-TCAD to verify the validity of the device and examine the electrical characteristics. A trench gate region oxide power SIT device is proposed to improve forward blocking characteristics. The proposed devices have superior electrical characteristics when compared to conventional device. Consequently, the fabrication of trench oxide power SIT with superior stability and electrical characteristics is simplified.
33중량%의 PVC와 66중량%의 o-NPOE 가소제에 1중량%의 중성 전극물질인 4'-benzothiazolyl-benzo-15-crown-5를 사용하여 성형한 막전극은 다른 15-크라운-5난 18-크라운-6 유토체들에 비하여 나트륨에 대하여 보다 낮은 선택성을 갖는 칼륨선택성을 나타내었다. 이 막전극의 전기화학적 성질들(감응기울기, 선택성, 섬출한계 및 수명)을 잘 알려져 있는 칼륨선택성 전극물질인 발리노마이신, benzo-15-crown-5, 4'-aminobenzo-15-15-crown-5, benzo-18-crown-6, dibenzo-18-crown-6 및 bis[(benzo-15-crown-5)-4'-ylnethuyl]pimelate를 사용한 전극막들의 것과 동일한 실험 조건하에서 비교하였다. 이러한 비교연구를 통하여 벤조티아졸기가 치환된 벤조크라운에테르 화합물이 증가된 칼륨이온 선택성을 나타내게되는 이유를 치환기의 효과와 이온의 분배계수효과로 설명하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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