• 제목/요약/키워드: Layered fabrication

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Residue Free Fabrication of Suspended 2D Nanosheets for in-situ TEM Nanomechanics

  • Sharbidre, Rakesh Sadanand;Byen, Ji Cheol;Yun, Gyeong Yeol;Ryu, Jae-Kyung;Lee, Chang Jun;Hong, Seong-Gu;Bramhe, Sachin;Kim, Taik Nam
    • 한국재료학회지
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    • 제28권11호
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    • pp.627-632
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    • 2018
  • Two dimensional(2D) crystals, composed of a single layer or a few atomic layers extracted from layered materials are attracting researchers' interest due to promising applications in the nanoelectromechanical systems. Worldwide researchers are preparing devices with suspended 2D materials to study their physical and electrical properties. However, during the fabrication process of 2D flakes on a target substrate, contamination occurs, which makes the measurement data less reliable. We propose a dry transfer method using poly-methyl methacrylate(PMMA) for the 2D flakes to transfer onto the targeted substrate. The PMMA is then removed from the device by an N-Methyl-2-pyrrolidone solution and a critical point dryer, which makes the suspended 2D flakes residue free. Our method provides a clean, reliable and controllable way of fabricating micrometer-sized suspended 2D nanosheets.

$CeO_2$ 단일 완충층을 이용한 SmBCO 초전도테이프 제조 (Fabrication of SmBCO coated conductors using $CeO_2$ single buffer layers)

  • 김태형;김호섭;하홍수;오상수;양주생;하동우;송규정;이남진;정예현;박경채
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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    • 제8권3호
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    • pp.32-36
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    • 2006
  • Simplification of the buffer architecture in the fabrication of coated conductors is required because the deposition of multi-layers leads to a longer production time and a higher cost of coated conductors. In this study, a single layered buffer deposition of $CeO_2$ for low cost coated conductors has been tried using thermal evaporation technique. l00nm-thick $CeO_2$ layers deposited by thermal evaporation were found to act as a diffusion layer. $0.4{\mu}m$-thick SmBCO superconducting layers were deposited by thermal co-evaporation on the $CeO_2$ buffered Ni-W substrate. Critical current of $55.4 A/cm^2$ was obtained for the SmBCO coated conductors.

고출력 환경에 적용 가능한 광대역 다층 구조 레이돔 (Broadband Multi-Layered Radome for High-Power Applications)

  • 이기욱;이경원;문병귀;최삼열;이왕용;윤영중
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권1호
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    • pp.50-60
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    • 2018
  • 고출력 응용환경에 적용 가능한 광대역 다층 구조 레이돔을 개발하였다. 이를 위해 다층 레이돔의 전파전파특성을 ABCD 행렬로 표현하였고, Particle swarm 최적화 알고리즘을 상용 수치 모델링 툴로 구현하여 레이돔의 최적화된 층별 두께와 물질상수를 구하였다. 바람, 눈, 얼음 등 외부 기상 환경을 고려한 기계적 특성을 감안하여 레이돔을 재설계하였다. 대형구조물의 제작 제한조건을 고려한 두께를 재산출하여 전력 전달특성을 재분석하였다. 대기 정전파괴 때보다 10 dB 높은 첨두 전기장의 세기 조건에서 상용 해석 툴을 이용하여, 설계된 레이돔의 RF에 대한 대기 정전파괴 특성을 분석하였다. 설계된 다층 레이돔을 제작하여 소신호 및 대신호 시험을 수행하였고, 상용 도구들을 사용한 계산값과 비교하여 목표 성능을 획득하였다.

혼합 마이크로머시닝기술을 이용한 다층전극구조의 정전렌즈 제작 (Fabrication of multi-layered electrostatic lens by mixed micromachining technology)

  • 이영재;전국진
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권9호
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    • pp.48-53
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    • 1998
  • 실리콘 벌크 마이크로머시닝과 표면 마이크로머시닝기술을 혼합하여 새로운 구조의 정전렌즈를 제작하였다. 표면 마이크로머시닝을 위한 구조층과 희생층으로는 폴리실리콘을 사용하였으며 구조층을 열산화막으로 보호하여 실리콘 습식 식각시 손상되지 않도록 하였다. 이전의 마이크로컬럼에 사용되던 정전렌즈에 비하여 이 구조가 갖는 장점은 1) 양극 접합의 수를 줄일 수 있어 구멍간 정렬, 렌즈의 생산성, 신뢰도, 손상 면에서 우수하고, 2) 마이크로컬럼의 집적화를 통한 arrayed lithography에도 유리하다는 것이다.

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Optoelectronics based on 2D semiconductor heterostructures

  • 이철호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.101.1-101.1
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    • 2016
  • Van der Waals (vdW) heterostructures built from two-dimensional layered materials provide an unprecedented opportunity in designing new material systems because the lack of dangling bonds on the vdW surfaces enables the creation of high-quality heterointerfaces without the constraint of atomically precise commensurability. In particular, the ability to build artificial heterostructures, combined with the recent advent of transition metal dichalcogenides, allows the fabrication of unique semiconductor heterostructures in an ultimate thickness limit for fundamental studies as well as novel device applications. In this talk, we will present the characterization of the electronic and optoelectronic properties of atomically thin p-n junctions consisting of vertically stacked WSe2 and MoS2 monolayers. We observed gate-tunable diode-like current rectification and a photovoltaic response across the p-n interface. Unlike conventional bulk p-n junctions, the tunneling-assisted interlayer recombination of the majority carriers is responsible for the tenability of the charge transport and the photovoltaic response. Furthermore, we will discuss the enhanced optoelectronic characteristics in graphene-sandwiched vdW p-n junctions.

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Ultra Thin Film Barrier Layer for Plastic OLED

  • Kopark, Sang-Hee;Oh, Ji-Young;Hwang, Chi-Sun;Yang, Yong-Suk;Chu, Hye-Yong
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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    • pp.44-47
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    • 2004
  • Fabrication of barrier layer on PES substrate and plastic OLED device by atomic layer deposition are carried out. Simultaneous deposition of 30nm of $AlO_x$ film on both sides of PES gives film MOCON value of 0.0615g/$m^2$.day (@38$^{\circ}C$, 100% R.H). Introduction of conformal $AlO_x$ film by ALD resulted in enhanced barrier properties for inorganic double layered film including PECVO $SiN_x$. Preliminary life time to 91% of initial luminance (1300 cd/$m^2$ ) for 100nm of PECVD $SiN_x$/30nm of ALD $AlO_x$ coated plastic OLED device was 260 hours.

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고분자-세라믹 나노 컴포지트의 제작과 전기적 특성 (The Fabrication of polymer-nanoclay composite and electric properties)

  • 노현지;이성갑;남성필;안병립;원우식;우형관;박상만
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.257-258
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    • 2009
  • Nanocomposites of a epoxy resin are synthesized and evaluated the present study investigated. The effect of nanoclay additives on the properties of diglycidyl ether or bisphenol A(DGEBA) epoxy resin. DGEBA was mixed with 3~7 wt% organically modified layered silicate, Cloisite 30B for three hours. The average grain size of the specimens decreased with adding Cloisite 30B. The dielectric constant showed between 3.2 ~ 3.5 and the dielectric loss showed between 3.2 ~ 5.7 % in all specimens.

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3.5-Inch QCIF AMOLED Panels with Ultra-low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor on Plastic Substrate

  • Kim, Yong-Hae;Chung, Choong-Heui;Moon, Jae-Hyun;Lee, Su-Jae;Kim, Gi-Heon;Song, Yoon-Ho
    • ETRI Journal
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    • 제30권2호
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    • pp.308-314
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    • 2008
  • In this paper, we describe the fabrication of 3.5-inch QCIF active matrix organic light emitting display (AMOLED) panels driven by thin film transistors, which are produced by an ultra-low-temperature polycrystalline silicon process on plastic substrates. The over all processing scheme and technical details are discussed from the viewpoint of mechanical stability and display performance. New ideas, such as a new triple-layered metal gate structure to lower leakage current and organic layers for electrical passivation and stress reduction are highlighted. The operation of a 3.5-inch QCIF AMOLED is also demonstrated.

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리튬이온 2차 전지용 이중층 탄소재료의 제조 (Fabrication of Double-layered Carbon Materials for Li-ion Battery)

  • 임연수;정승훈;김희석
    • 한국세라믹학회지
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    • 제38권3호
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    • pp.293-299
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    • 2001
  • 이중층 탄소재료가 콜타르핏치와 메조페이스 핏치, 인조흑연, 천연흑연과 코크스를 사용하여 제조되었다. 콜타르 핏치는 톨루엔이나 경유와 같은 유기용매에 용해되어 코팅재로 사용되었다. 메조페이스 핏치, 인조흑연, 천연흑연 및 코크에 대한 콜타르 핏치의 코팅은 X선 회절분석과 CHN 분석을 통해 확인하였다. 코팅된 탄소재료를 질소분위기의 800-100$0^{\circ}C$에서 열처리한 후 리튬이온 전지의 음극으로 사용하기 위하여 2$600^{\circ}C$에서 열처리하였다. 이중층 탄소재료의 성능평가는 동전형태의 반쪽전지를 통해 수행되었는데, 평가는 음극으로서의 충전과 방전을 통해 수행되었다. 이런 충.방전 능력은 탄소재료의 열처리 온도의 변화나 전구체의 종류에 따라 달리 나타났지만 코팅방법의 차이에 의해서는 큰 차이가 없었다. 열처리를 80$0^{\circ}C$에서 한 경우가 100$0^{\circ}C$에서 한 경우보다 높은 충.방전 능력을 나타내었고, 2$600^{\circ}C$에서 흑연화된 것보다 탄화된 재료들이 높은 충.방전 능력을 나타내었다. 결론적으로, 음극재료의 성능은 결정화도, 조성 및 탄소재료의 미세구조에 따라 달라짐을 알 수 있었다.

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Hydroxyapatite 와 titanium의 경사 기능 재료 제조 (Fabrication of functionally graded materials of hydroxyapatite and titanium)

  • 김성진;박지환;조경식;박노진
    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권3호
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    • pp.144-148
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    • 2002
  • 수산화아파타이트/티타늄 복합체를 스파크 플라즈마 소결(SPS) 장치를 이용하여 4층 경사 기능 재료 (FGM)로 제조하였다. 수산화아파타이트/티타늄 복합체의 최대 밀도와 이축 강도는 $1200^{\circ}C$에서 8분 동안의 SPS 조건에서 얻었다. 그러나, 수산화아파타이트는 $1100^{\circ}C$에서 사칼슘인산염(TetCP)으로 분해되었고, 티탄산칼숨 화합물 ($CaTiO_3$)이 형성되었다. 수산화아파타이트에 티타늄을 첨가하면 수산화아파타이트가 저온에서 쉽게 분해되었다.