Flexible CIGS thin film solar cell was fabricated using STS430 plate as a flexible substrate in this work. A diffusion barrier layer of $SiO_2$ thin film was deposited on STS430 substrate by PECVD followed by deposition of double layered Mo back contact. After depositing CIGS absorber layer by co-evaporation, CdS buffer layer by chemical bath deposition, ZnO window layer by RF sputtering and Al electrode by thermal evaporation, the solar cell fabrication processes were completed and its performance was evaluated. Corresponding solar cell showed an conversion efficiency of 8.35 % with $V_{OC}$ of 0.52 V, $J_{SC}$ of 26.06 mA/$cm^2$ and FF of 0.61.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.37
no.1
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pp.61-66
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2013
With the development of layered manufacturing, thermally conductive molds or molds embedding conformal cooling channels can be directly fabricated. Although P21 tool steel is widely used as a mold material because of its dimensional stability, it is not efficient for cooling molds owing to its low thermal conductivity. Hence, the use of functionally graded materials (FGMs) between P21 and Cu may circumvent a tradeoff between the strength and the heat transfer rate. As a preliminary study for the layered manufacturing of thermally conductive molds having FGM structures, one-dimensional P21-Cu FGMs were fabricated by using laser-aided direct metal tooling (DMT), and then, material properties such as the thermal conductivity and specific heat that are related to the heat transfer were measured and analyzed.
Reaction Bonded Silicon Carbide(RBSC) has been used for engineering ceramics due to low-temperature fabrication and near-net shape products with excellent structural properties such as thermal shock resistance, corrosion resistance and mechanical strength. Recently, attempts have been made to develop hot gas filter with gradient pore structure by RBSC to overcome weakness of commercial clay-bonded SiC filter such as low fracture toughness and low reliability. In this study a fabrication process of porous RBSC with multi-layer pore structure with gradient pore size was developed. The support layer of the RBSC with multi-layer pore structure was fabricated by conventional Si infiltration process. The intermediate and filter layers consisted of phenolic resin and fine SiC powder were prepared by dip-coating of the support RBSC in slurry of SiC and phenol resin. The temperature of $1550^{\circ}C$ to make Si left in RBSC support layer infiltrate into dip-coated layer to produce SiC by reacting with pyro-carbon from phenol resin.
Kim, Dong-Kyun;Kim, Taeheon;Yoon, Taehwan;Pak, James Jungho
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.65
no.8
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pp.1369-1375
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2016
A rapid progress of the next-generation non-volatile memory device has been made in recent years. Metal/insulator/Metal multi-layer structure resistive RAM(ReRAM) has attracted a great deal of attention because it has advantages of simple fabrication, low cost, low power consumption, and low operating voltage. This paper describes the working principle of the ReRAM device, a review of fabrication techniques, and characteristics of flexible ReRAM devices using graphene oxide as an insulating layer and ReRAM devices using multi-layered insulator. The switching characteristics of the above ReRAM devices have been compared. The oxidized graphene could be employed as an insulator of next generation ReRAM devices.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.33
no.11
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pp.24-32
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2005
The object of this study is to design radar absorbing structures(RAS) with load-bearing ability in X-band. Glass/Epoxy plain-weave composites of excellent specific stiffness and strength, containing multi-walled carbon nanotubes(MWNT) added to induce dielectric loss were fabricated. The observation of microstructure and the permittivity of the composites confirmed that the materials are suitable to be used for radar absorbing material. Genetic algorithm and theory for reflection/transmission of electromagnetic waves in a multi-layered RAS were applied to conduct an optimal design of a RAS composed of the developed composites. We observed that the thickness per ply changes with the number of ply and MWNT contents. The fabrication process was proposed considering the problem and applied to fabricate a designed RAS and the theoretical and measured reflection loss of the RAS were also found in good agreement.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.39.2-39.2
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2011
With the steady increase in the demand for flexible devices, mainly in display panels, researchers have focused on finding a novel material that have excellent electrical properties even when it is bended or stretched, along with superior mechanical and thermal properties. Graphene, a single-layered two-dimensional carbon lattice, has recently attracted tremendous research interest in this respect. However, the limitations in the growing method of graphene, mainly chemical vapor deposition on transition metal catalysts, has posed severe problems in terms of device integration, due to the laborious transfer process that may damage and contaminate the graphene layer. In addition, to lower the overall cost, a fabrication technique that supports low temperature and low vacuum is required, which is the main reason why solution-based process for graphene layer deposition has become the hot issue. Nonetheless, a direct deposition method of large area, few-layered, and uniform graphene layers has not been reported yet, along with a convenient method of patterning them. Here, we report an evaporation-induced technique for directly depositing few layers of graphene nanosheets with excellent uniformity and thickness controllability on any substrate. The printed graphene nanosheets can be patterned into desired shapes and structures, which can be directly applicable as flexible and transparent electrode. To illustrate such potential, the transport properties and resistivity of the deposited graphene layers have been investigated according to their thickness. The induced internal flow of the graphene solution during tis evaporation allows uniform deposition with which its thickness, and thus resistivity can be tuned by controlling the composition ratio of the solute and solvent.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.10
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pp.665-671
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2017
Herein, we report the fabrication of low-voltage N-type organic field-effect transistors by using high capacitance fluorinated polymer gate dielectrics such as P(VDF-TrFE), P(VDF-TrFE-CTFE), and P(VDF-TrFE-CFE). Electron-withdrawing functional groups in PVDF-based polymers typically cause the depletion of negative charge carriers and a high contact resistance in N-channel organic semiconductors. Therefore, we incorporated intermediate layers of a low-k polymerto prevent the formation of a direct interface between PVDF-based gate insulators and the semiconducting active layer. Consequently, electron depletion is inhibited, and the high charge resistance between the semiconductor and source/drain electrodes is remarkably improved by the in corporation of solution-processed charge injection layers.
The micro-patterning of multi-layered thin films containing CdS and $Ta_2O_5$ layers on ITO substrate with various structures was successfully obtained by combining three different techniques: chemical solution depositions, sol-gel, and microcontact printing (μCP) methods using octadecyltrichlorosilane (OTS) as the organic thin layer template. $Ta_2O_5$ layer was prepared by sol-gel casting and CdS one obtained by chemical solution deposition, respectively. Parallel and cross patterns of multi-layers with $Ta_2O_5$ and CdS films were fabricated additively by successive removal of OTS layer pre-formed. This study presents the designed architectures consisting of the two types of feature having horizontal dimensions of 170 ㎛ and 340 ㎛ with constant thickness ca. 150 nm of each deposited materials. The thin film lay-out of the cross-patterning is composed of four regions with chemically different layer compositions, which are confirmed by Auger electron microanalysis.
A one-step high-temperature solvothermal approach to the synthesis of monolayer or bilayer $MoS_2$ anchored onto reduced graphene oxide (RGO) sheet (denoted as $MoS_2/RGO$) is described. It was found that single-layered or double-layered $MoS_2$ were synthesized directly without an extra exfoliation step and well dispersed on the surface of crumpled RGO sheets with random orientation. The prepared $MoS_2/RGO$ composites delivered a high reversible capacity of $900mAhg^{-1}$ after 200 cycles at a current density of $200mAg^{-1}$ as well as good rate capability as anode active material for lithium ion batteries. This one-step high-temperature hydrothermal strategy provides a simple, cost-effective and eco-friendly way to the fabrication of exfoliated $MoS_2$ layers deposited onto RGO sheets.
The continued environmental pollution caused by fossil fuel consumption has prompted researchers around the world to develop environmentally friendly energy technologies. Electrochemical energy storage is the significant area of research in this development process, and the research significance of supercapacitors in this field is increasing. Herein, a simple electrodeposition synthetic route was explored to develop the MoP layered cathode material. The layered structure provided a highly ion-accessible surface for smooth and faster ion adsorption/desorption. After Fe was doped into MoP, the morphology of MoP changes and the electrochemical performance was significantly improved. Specific capacitance value of the binder-free FeMoP electrode was found to be 269 F g-1 at 2 A g-1 current density in 6 M aqueous KOH electrolyte. After adding Fe to MoP, an additional redox contribution was observed in the redox conversion from Fe3+ to Fe2+ redox pair, and the charge transfer kinetics of MoP was effectively improved. This research can provide guidance for the development of supercapacitor electrode materials through simple electrodeposition technology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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