• 전기전자학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.239-242
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• 2024

본 논문에서는 기존의 ESD 보호소자보다 Self-bias를 통하여 전류구동 능력을 향상시킨 ESD 보호소자를 제안하였다. 새로운 제안 구조는 LRSCR구조 기반이며 N+ 확산 영역을 추가하였으며 게이트와 P+ 확산영역을 연결하여 저항을 감소시킨다. 그 결과, 제안된 ESD 보호소자는 11.8V의 트리거 전압과 5.9V의 홀딩 전압을 나타내는 것으로 확인되었다. 저전압용 5V 애플리케이션에 사용될 수 있으며 우수한 전류구동능력을 가지고있을 것으로 기대된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제26권3호
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• pp.520-523
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• 2022

본 논문에선 기존의 ESD 보호소자보다 간단한 구조의 ESD 보호소자를 제안하였다. 제안하는 새로운 구조는 N+확산영역을 추가하고 브릿지영역과 연결함으로써 추가 NPN 기생 바이폴라 트랜지스터를 동작시켜 전류이득을 낮춘다. 그 결과 제안된 ESD 보호소자는 10.8V의 트리거 전압 및 6.1V의 홀딩전압을 갖는 것을 확인하였다. 이는 5V 어플리케이션에 신뢰성을 가질 것으로 기대되며 높은 감내특성을 가질 것으로 예상된다.