본 논문에서는 기존 LDO regulator에서 많이 사용 되는 피드백 저항을 Pseudo resistor를 이용하여 동작하기 위한 LDO regulator를 제안한다. 제안 된 Pesudo resistor를 사용한 Feedback network는 기존 피드백 저항보다 면적이 작으면서도 기존 LDO regulator의 역할을 하며, 노이즈를 갖는 LDO regulator의 단점을 보완하고자 제안되었다. 기존 LDO regulator와 비교하여 비슷한 성능을 가짐에도 불구하고, Overshoot를 감소시키고 면적을 줄여 더 높은 효율을 제공할 수 있다. 설계한 회로는 동부 하이텍의 0.18um CMOS 공정을 이용하였다.
SCALDO(Supercapacitor Assisted LDO) 레귤레이터는 기존 LDO(Low Drop-out) 레귤레이터(이하 LDO)의 낮은 효율을 개선하기 위해 연구되고 있는 회로로서, 회로의 입력단과 LDO사이에 슈퍼커패시터를 부착하여 입력과 출력 전압의 차이에 의해 발생하는 불필요한 전력손실을 재사용함으로써 LDO의 효율을 향상시킬 수 있다. 하지만 SCALDO 레귤레이터는 현재 연구 중에 있는 회로로 몇 가지 개선되어야 할 사항들이 남아있다. 그 중 한 가지는 회로의 최초동작 시 LDO에 인가되는 과전압문제이다. 회로의 최초동작 시 슈퍼커패시터가 완전히 방전되어 있어 충전모드 시 입력과 슈퍼커패시터, LDO가 직렬로 연결되는 SCALDO 레귤레이터 특성 상 입력전압이 LDO에 짧은 시간동안 그대로 인가되는데, 입력전압이 출력전압보다 최소 2배 이상 크기 때문에 이는 LDO에 상당히 큰 부담이 될 수 있다. 본 논문에서는 이러한 과전압 문제를 해소하기 위해 회로 동작 전 슈퍼커패시터를 충전시킬 수 있는 사전충전부가 포함된 새로운 SCALDO 레귤레이터를 제안하였으며, 실험을 통해 동작 초기 LDO에 인가되는 과전압이 상당부분 감소됨을 확인하였다.
본 논문에서는 기존 LDO 레귤레이터에서 간단한 피드백 구조를 이용하여 과도응답을 향상시킨 LDO 레귤레이터를 제안한다. 이 제안된 회로는 기존 LDO 레귤레이터에서 나타나는 오버슈트의 응답시간을 감소시켜 더 안정적인 동작을 하도록 하는 피드백 구조를 갖는다. 제안 된 피드백 구조는 큰 면적의 변화 없이 기존 LDO 레귤레이터와 같은 동작을 하며, 출력에서의 노이즈를 갖는 LDO 레귤레이터의 단점을 보완한다. 설계한 회로는 동부 하이텍의 0.18um CMOS 공정을 이용하였다.
본 논문에서는 피드백 감지 회로 구조로 인하여 향상된 load regulation 특성을 개선시킨 LDO를 제안하였다. LDO 레귤레이터 내부 오차증폭기의 출력단과 패스 트랜지스터의 입력단 사이에 제안된 feedback 감지 회로를 추가하여 출력에 들어오는 델타 값의 regulation을 개선시켜 기존의 LDO 레귤레이터보다 개선된 load Regulation 특성의 전압 값을 갖는다. 제안된 회로는 Cadence의 Spectre, Virtuoso 시뮬레이션을 이용하여 삼성 0.13um 공정에서 특성을 시뮬레이션 하였다.
본 논문에서는 전류 제어 회로를 이용하여 load Transient response 특성을 향상시킨 capless LDO(low drop-out) 레귤레이터를 제안하였다. LDO 레귤레이터 내부의 오차증폭기와 패스 트랜지스터 사이에 전류 조절 회로를 두어 전압 라인에 들어오는 전류특성을 개선시켜 기존의 LDO 레귤레이터보다 향상된 transient 응답특성을 갖는다. 제안된 회로는 cadence의 virtuoso, spectre 시뮬레이터를 이용하여 0.18 um 공정에서 특성을 분석하였다. 실험 결과에 따르면, 제안된 회로 구성을 이용한 LDO의 load transient response는 기존 LDO과 비교하여 부하 전류가 rising time인 경우 1.954 us에서 1.378 us, falling time인 경우 19.48 us에서 13.33 us으로 약 29%, 28% 개선된 응답속도를 가진다.
본 논문에서는 부하전류에 따라 LDO(Low Drop Out) 레귤레이터의 효과적인 동작과 파괴 방지를 위해 ESD(Electro Static Discharge) 보호회로를 내장한 LDO 레귤레이터를 제안한다. 제안하는 LDO 레귤레이터는 additional feedback current 회로구조를 이용하여 LDO 레귤레이터의 출력전압에 따라 더욱 효과적으로 패스 트랜지스터의 게이트 노드 전압을 조절할 수 있다. 또한 기존의 ESD 보호소자에 P+ bridge를 추가하여 SCR 루프 상의 전류 이득을 감소시켜 홀딩 전압을 약 2V 가량 높인 새로운 구조를 내장하여 ESD 상황에 대해 높은 신뢰성을 가질 것으로 예상된다.
본 논문에서는 셀프-캐스코드 구조를 이용한 LDO 레귤레이터를 제안하였다. 셀프-캐스코드 구조의 소스 측 MOSFET의 채널 길이를 조절하고, 드레인 측 MOSFET의 바디에 순방향 전압을 인가함으로써 최적화하였다. 오차 증폭기 입력 차동단의 셀프-캐스코드 구조는 높은 트랜스컨덕턴스를 가지도록, 출력단은 높은 출력 저항을 가지도록 최적화하였다. 제안 된 LDO 레귤레이터는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하였고, SPECTERE를 이용하여 시뮬레이션 되었다. 제안 된 셀프-캐스코드 구조를 이용한 LDO 레귤레이터의 로드 레귤레이션은 0.03V/A로 기존 LDO의 0.29V/A보다 급격하게 개선되었다. 라인 레귤레이션은 2.23mV/V로 기존 회로보다 약 3배 향상되었다. 안정화 속도는 625ns로 기존 회로보다 346ns 개선되었다.
본 논문은 낮은 출력 저항을 버퍼를 사용하여 주파수 보상을 수행한 LDO 선형 레귤레이터에 관한 것이다. 주파수 보상을 위해 제안하는 버퍼는 두 개의 shunt 피드백 루프를 사용하여 출력 저항을 최소화함으로써 이를 통해 LDO 선형 레귤레이터 전체의 부하 및 입력 전압에 따른 레귤레이션 성능을 개선할 수 있고 저전압에서도 낮은 출력 저항을 유지함으로 휴대기기 응용에 있어서도 적합하다. 또한 외부 디지털 제어를 통한 LDO 선형 레귤레이터의 출력 전압을 가변함으로써 외부 MCU와의 인터페이스를 개선하기 위한 기준 전압 제어 기법을 나타내었다. 구현된 LDO 선형 레귤레이터는 2.5V~4.5V의 입력 전압에 대하여 동작하며 최대 300mA의 부하 전류를 0.6~3.3V의 출력 전압에 대하여 제공할 수 있다.
본 논문에서는 push-pull 감지 회로 구조로 인해 load transient 특성을 개선시킨 LDO를 제안하였다. LDO 레귤레이터 패스 트랜지스터의 입력단과 내부 오차증폭기의 출력단 사이에 제안된 push-pull 감지 회로 구조로 인한 전압 델타 값의 응답 특성을 개선시켜 종래의 LDO 레귤레이터보다 load transient 특성에서 우수한 효과를 가진다. 기존의 LDO 레귤레이터보다 rising time에서는 약 244 ns, falling time에서는 약 90 ns 만큼의 향상된 응답속도를 가진다. 제안된 회로는 Cadence사의 Spectre, Virtuoso 시뮬레이션 tool을 사용하여 samsung 0.13um 공정으로 특성 및 결과를 시뮬레이션 하였다.
본 논문에서는 고속 PMIC(Power Management Integrated Circuit) 회로를 위한 저전압 입력 보호기능을 가지는 모바일용 LDO(Low Drop-Out) 레귤레이터를 설계하였다. 설계된 LDO 레귤레이터는 밴드갭 기준전압회로, 오차 증폭회로, 파워 트랜지스터 등으로 이루어진다. LDO 레귤레이터는 3.3 V 전원전압으로부터 2.5 V 출력을 갖도록 설계되었으며, 저전압 입력보호 기능을 하는 UVLO 회로는 전원부와 파워 트랜지스터 사이에 삽입된다. 또한 UVLO는 3.3 V 구동전압에서, 하강시 1.2 V 에서 LDO 레귤레이터 동작을 멈추게 하고, 구동전압 상승 시 2.5 V 에서 LDO 레귤레이터가 정상 동작한다. $0.35{\mu}m$ 5 V 저전압 CMOS 공정을 사용하여 모의실험 한 결과, 설계한 LDO 레귤레이터는 0.713 mV/V의 라인레귤레이션을 가지고, 부하전류가 0 mA에서 40 mA로 변할 때 $8.35{\mu}V/mA$의 로드레귤레이션을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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