• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권9호
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• pp.551-554
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• 2015

This paper was analyzed electrical characteristics of super junction IGBT with super junction field rings. As a result of super junction IGBT with super junction field rings, we obtained 3,300 V breakdown voltage and good thermal characteristics. we obtained shrinked chip size because field ring was decreased than field ring for conventional IGBT, too. And we fabricated super junction IGBT with super junction field rings. As a result of measuring fabricated chip, we obtained 3,300 V breakdown voltage. The fabricated devices were replaced thyristos using high voltage conversion, sufficiently.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권2호
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• pp.344-349
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• 2021

Super Junction구조는 항복전압과 온-상태 전압강하의 트레이드-오프 특성을 개선하고자 제안된 구조이다. 본 논문은 Super Junction IGBT P-Pillar 내부 영역에 Trench SiO₂를 성장시킨 구조를 제안한다. Super Junction구조에 인가되는 전계를 3D로 관찰 시 P-Pillar 내부에 전계가 인가되지 않는 영역을 확인하였다. Pillar영역의 부분저항은 각 Pillar의 크기와 항복전압에 의해 변동되는데 전계가 인가되지 않는 P-Pillar 내부 영역을 Trench 한 후 SiO₂를 성장시켜 P-Pillar의 크기를 감소시킨다. 4.5kV의 동일한 항복전압을 가질 때 온-상태 전압강하 특성이 Field Stop IGBT 대비 약 58%, 기존의 Super Junction IGBT 대비 19% 향상되는 것을 확인하였다.

• 대한방사선치료학회지
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• 제21권1호
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• pp.17-23
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• 2009

목 적: 두경부암의 치료에 있어 상부 두경부의 양측면조사면과 하경부의 전방조사면의 접합부위에 균등한 선량을 조사하는 것은 매우 중요하다. 접합부위의 선량분포개선을 위하여 하경부 전방조사면의 치료시 Field-in-Field technique을 이용하여 부족선량(under dose)과 초과선량(over dose)으로 인한 선량불균등을 개선하고 일반치료와의 비교를 통하여 두경부암치료에 적용하고자 한다. 대상 및 방법: 상부 두경부의 양측면 조사시 빔의 확산으로 일어나는 입사점과 출사점의 선량차이를 알아보기 위하여 인체모형팬톰을 이용하였다. 인체모형팬톰을 전산화단층촬영하고 전산화치료계획에서 관심점의 선량비교를 시행하였고, 하경부 접합부위의 선량비율을 계산하여 이를 보정하였다. 조사면 접합부위의 선량분포를 알아보기 위하여 하경부의 접합부위에 저감도 필름을 놓고 일반적인 치료인 상부 두경부의 양측면조사와 하경부의 전방조사시 선량분포를 측정하였다. 또한, 상부 두경부 양측면 조사에 따른 빔의 확산을 고려한 Field-in-Field technique을 이용하여 하경부 전방조사를 할 때의 접합부위의 선량분포 차이를 측정하여 비교하였다. 접합부위의 관심점 선량을 알아보기 위하여 열형광선량계를 이용하여 인체모형팬톰내의 관심점에서의 선량변화를 비교, 분석하였다. 결 과: 전산화치료계획에서 하경부의 접합부위에 Field-in-Field technique을 적용하여 치료계획시 상부 두경부 양측면 조사와 선량합성을 한 경우 부족선량 영역의 선량이 4.7~8.65% 이상 증가하였다. 초과선량 영역의 선량도 2.75~10.45% 감소하였다. 또한, 저감도 필름을 이용한 측정에서는 부족선량영역에서 11.3% 증가, 초과선량영역에서 5.3% 감소한 것으로 나타났다. 열형광선량계를 이용한 관심점선량측정에서도 Field-in-Field technique 적용시 부족선량을 최소 7.5%에서 최대 17.6%까지 보정해주는 것으로 나타나 불균등한 선량분포를 개선할 수 있었다. 결 론: 전산화치료계획시 빔의 확산을 고려한 Field-in-Field technique을 적용하면 접합부위의 선량보정을 통해 냉점(cold spot)과 온점(hot spot)을 줄일 수 있었으며 특히, 빔의 확산에 따른 입사점의 부족선량을 보정할 수 있었다. 본 실험을 통해 Field-in-Field technique의 임상적용시 경부임파절의 저선량으로 인한 임파절전이에 대한 위험도를 감소시킬 수 있을 것으로 사료된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권1호
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• pp.156-161
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• 2017

This work presents a novel structure for junction-less tunneling field effect transistor (JL-TFET) with a floating gate over the source region. Introduction of floating gate instead of fixed metal gate removes the limitation of fabrication process suitability. The proposed device is based on a heavily n-type-doped Si-channel junction-less field effect transistor (JLFET). A floating gate over source region and a control-gate with optimized metal work-function over channel region is used to make device work like a tunnel field effect transistor (TFET). The proposed device has exhibited excellent ID-VGS characteristics, ION/IOFF ratio, a point subthreshold slope (SS), and average SS for optimized device parameters. Electron charge stored in floating gate, isolation oxide layer and body doping concentration are optimized. The proposed JL-TFET can be a promising candidate for switching performances.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.276-281
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• 2012

Power semiconductor devices are widely used as high voltage applications to inverters and motor drivers, etc. The blocking voltage is one of the most important parameters for power semiconductor devices. Generally most of field effect concentrations shows on the edge of power devices. Can be improve the breakdown characteristic using edge termination technology. In this paper, considering the variables that affect the breakdown voltage and optimization of parameters result for 600 V Super Junction MOSFET Field ring.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권6호
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• pp.300-304
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• 2004

We have proposed the junction termination design employing shallow trench filled with silicon dioxide and field limiting ring (FLR). We have designed trenches between P+ FLRs to decrease the junction termination radius without sacrificing the breakdown voltage characteristics. We have successfully fabricated and measured improved breakdown voltage characteristics of the Proposed device for 1200 V-class applications. The junction termination radius of the proposed device has decreased by 15%-21% compared with that of the conventional FLR at the identical breakdown voltage. The junction termination area of the proposed device has decreased by 37.5% compared with that of the conventional FLR. The breakdown voltage of the proposed device employing 7 trenches was 1156 V, which was 80% of the ideal parallel-plane .junction breakdown voltage.

• 전기학회논문지
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• 제58권5호
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• pp.989-993
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• 2009

Triple junction which consists of three media(electrode, insulator, and gas) should be considered in designing of high voltage equipments due to the electric field enhancement. In this paper, positive lightning impulse breakdown voltage is predicted based on the streamer theory for simplified insulator models and 72.5kV spacer with varying the triple junction geometry and gas pressure, and the results are compared to the experimental results. The electric field coefficient concept is also applied in order to evaluate the partial discharge inception voltage and the surface flashover voltage from the streamer inception voltage. The application of this method using the constant electric field coefficient of 1.3 and 0.66 is possible for evaluating the triple-junction insulation of the simplified insulator and the 72.5kV spacer respectively. The error rate is under 10%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.286-289
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• 2003

In the case of high voltage devices, junction termination plays an important role in determining the breakdown voltage of the device. The mesa junction termination has been demonstrated to yield nearly ideal breakdown voltage for 6H-SiC p-n junctions. However, such an approach may not be attractive because of the nonplanar surface, which is difficult to passivate. Moreover, In case of 4H-SiC, ideal breakdown voltage could not be achieved using mesa junction termination. For 4H-SiC planar junction termination technique is more useful one rather than mesa junction termination. In this paper, breakdown characteristics of the 4H-SiC device with planar junction termination, such as FLR(Field Limiting Ring), FP(Field Plate) and JTE(Junction Termination Extension), is presented. In the case of the FLR, breakdown voltage of 1800V is obtained. And breakdown voltage of 1000V and 1150V is also obtained for the case of FP and JTE case, respectively.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.68-69
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• 2002

Magnetic tunnel junctions은 최근 자기저항용 재료나 MRAM용 소자로 사용하기 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. Magnetic tunnel junction을 저자계, 저전력용 소자로 사용되기 위해서는, 작은 switching field 값과 uniform한 switching field 분포를 가져야 한다. Micromagnetic simulation을 통하여 free layer의 두께와 포화 자화 값이 감소함에 따라서 switching field가 감소함을 알 수 있었다. 본 연구에서는 얇은 free layer를 사용하여 magnetic tunnel junction을 제조하고, 얇은 free layer가 자기저항에 미치는 영향에 대하여 알아보았다. (중략)

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.235-238
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• 2007

2차원 소자 시뮬레이터인 TMA 메디치를 이용하여 필드링와 깊은 접합 필드링에 대해 연구하였다. 이온 주입될 위치를 미리 트랜치 식각을 시킴으로써 항복전압 특성을 향상시킬 수 있었다. 시뮬레이션 결과 기존 필드링의 항복전압대비 깊은 접합 필드링 항복전압은 약 30%의 증가를 보였다. 깊은 접합 필드링은 같은 면적을 차지하는 조건하에서 설계 및 제작이 비교적 용이하고, 표면 전하의 영향도 적은 것으로 나타났다. 본 논문에서는 여러 분석을 통해 깊은 접합 필드링의 향상된 특성을 논하였다.