Joowon Suh;Sangyeob Lim;Hyung-Ha Jin;Young-Bum Chun;Suk Hoon Kang;Heung Nam Han
Journal of Powder Materials
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v.30
no.5
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pp.431-435
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2023
An irradiation hardening of Inconel 718 produced by selective laser melting (SLM) was studied based on the microstructural observation and mechanical behavior. Ion irradiation for emulating neutron irradiation has been proposed owing to advantages such as low radiation emission and short experimental periods. To prevent softening caused by the dissolution of γ' and γ" precipitates due to irradiation, only solution annealing (SA) was performed. SLM SA Inconel 718 specimen was ion irradiated to demonstrate the difference in microstructure and mechanical properties between the irradiated and non-irradiated specimens. After exposing specimens to Fe3+ ions irradiation up to 100 dpa (displacement per atom) at an ambient temperature, the hardness of irradiated specimens was measured by nano-indentation as a function of depth. The depth distribution profile of Fe3+ and dpa were calculated by the Monte Carlo SRIM (Stopping and Range of Ions in Matter)-2013 code under the assumption of the displacement threshold energy of 40 eV. A transmission electron microscope was utilized to observe the formation of irradiation defects such as dislocation loops. This study reveals that the Frank partial dislocation loops induce irradiation hardening of SLM SA Inconel 718 specimens.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.11a
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pp.191-194
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1998
In this paper, the physical and conductivity properties due to the electron beam irradiation for low density polyethylene using insulating materials of the distribution cable and ultra-high voltage cable are studied. The specimens of the low density polyethylene of thickness 100[$\mu\textrm{m}$] irradiated as each 1 [Mrad], 2[Mrad], 4[Mrad], 8[Mrad], 16[Mrad] and virgin are used in this experiment. In order to measure the conductivity properties, the micro electrometer is used, the range of temperature and app1ying voltage are 20 to 120[$^{\circ}C$], from 100 to 1000[V] respectively So. as a result of the conductivity properties, it is confirmed that the conductivity is increased nearly to 50[$^{\circ}C$], and is not changed until the crystalline melting point from the temperature over 60[$^{\circ}C$] because of the defects of morphology and the formation of many trap centers by means of electron beam irradiation
Park, Jeong-Ki;Lee, Woo-Sun;Lee, Jae Hong;Seo, Yong-Jin;Kim, Nam-Oh;Kim, Hyung-Gon
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.05b
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pp.57-60
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2001
This study describes the effect of $\tau$ -ray irradiation on the properties of insulation materials for low voltage cables in a nuclear power plant. The radiation effects were characterized by measuring OIT, FTIR, electrical properties of the irradiated specimens. As a result, they showed the decrease of OIT and the increase of chemical structural defects with the increase of $\tau$ -ray amount
Kim, Jihyun;Ren, F.;Schoenfeld, D.;Pearton, S.J.;Baca, A.G.;Briggs, R.D.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.4
no.2
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pp.124-127
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2004
W/n-GaN Schottky diodes were irradiated with $^{60}Co\;{\gamma}-rays$ to doses up to 315Mrad. The barrier height obtained from current-voltage (I-V) measurements showed minimal change from its estimated initial value of ${\sim}0.4eV$ over this dose range, though both forward and reverse I-V characteristics show evidence of defect center introduction at doses as low as 150 Mrad. Post irradiation annealing at $500^{\circ}C$ increased the reverse leakage current, suggesting migration and complexing of defects. The W/GaN interface is stable to high dose of ${\gamma}-rays$, but Au/Ti overlayers employed for reducing contact sheet resistance suffer from adhesion problems at the highest doses.
Radiation effects on materials are inherently multiscale phenomena in view of the fact that various processes spanning a broad range of time and length scales are involved. A multiscale modeling approach to embrittlement of pressure vessel steels is presented here. The approach includes an investigation of the mechanisms of defect accumulation, microstructure evolution and the corresponding effects on mechanical properties. An understanding of these phenomena is required to predict the behavior of structural materials under irradiation. We used molecular dynamics (MD) simulations at an atomic scale to study the evolution of high-energy displacement cascade reactions. The MD simulations yield quantitative information on primary damage. Using a database of displacement cascades generated by the MD simulations, we can estimate the accumulation of defects over diffusional length and time scales by applying kinetic Monte Carlo simulations. The evolution of the local microstructure under irradiation is responsible for changes in the physical and mechanical properties of materials. Mechanical property changes in irradiated materials are modeled by dislocation dynamics simulations, which simulate a collective motion of dislocations that interact with the defects. In this paper, we present a multi scale modeling methodology that describes reactor pressure vessel embrittlement in a light water reactor environment.
Junesic Park;Byung-Gun Park;Hani Baek;Gwang-Min Sun
Nuclear Engineering and Technology
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v.55
no.1
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pp.201-208
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2023
The dependence of the electrical characteristics on the fast neutron fluence of an epitaxial 4H-SiC Schottky barrier diode (SBD) was investigated. The 30 MeV cyclotron was used for fast neutron irradiation. The neutron fluences evaluated through Monte Carlo simulation were in the 2.7 × 1011 to 1.45 × 1013 neutrons/cm2 range. Current-voltage and capacitance-voltage measurements were performed to characterize the samples by extracting the parameters of the irradiated SBDs. Neutron-induced defects in the epitaxial layer were identified and quantified using a deep-level transient spectroscopy measurement system developed at the Korea Atomic Energy Research Institute. As the neutron fluence increased from 2.7 × 1011 to 1.45 × 1013 neutrons/cm2, the concentration of the Z1/2 defects increased by approximately 20 times. The maximum defect concentration was estimated as 1.5 × 1014 cm-3 at a neutron fluence of 1.45 × 1013 neutrons/cm2.
The n-type and p-type silicon samples were exposed by 40.0, 3.98 MeV proton beams ranging between 0 to $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$. Coincidence Doppler Broadening Positron Annihilation Spectroscopy (CDBPAS) were applied to study of defect characteristics of p type and n type silicon samples. In this investigation the numerical analysis of the spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the gamma spectrum and the total counts of whole gamma spectrum. The S-parameter values strongly depend on the irradiated proton beam that indicated the defects generate more, rather than the energy intensity. 40 MeV irradiated proton beam in the n-type silicon at $20.0{\times}10^{13}protons/cm^2$ was larger defects than 3.98 MeV irradiated proton beam. It was analysis between the proton irradiation beams and the proton intensities of the irradiation. Because of the Bragg peak, SRIM results shows mainly in a certain depth of the sample to form the defect by the proton irradiation, rather than the defects to appear for the entire sample.
Effects of electron beam (EB) irradiation on the mechanical strength of Cu (conducting sheath) and Nb (diffusion barrier) of Cu/Nb/MgB2 superconducting was investigated. Wire- and tape-type Cu/Nb/MgB2 samples were irradiated at E-beam energy of 2.5 MeV and 5 mA and a maximum E-beam dose was 5×1017 e/m2. The hardness value of Cu and Nb region was measured by the Vickers micro-hardness method. In the case of the wire sample, the hardness of Cu and Nb increased proportionally as the dose was increased up to 5×1017 e/m2, whereas in the case of the tape sample, the hardness increased up to a dose of 0.5×1017 e/m2, and decreased slightly 5×1017 e/m2. The hardness increase of Cu and Nb is believed to be due to the decrease of the deformability of Cu and Nb due to the defects formed inside the materials by E-beam irradiation.
Ji Ho Shin ;Byeong Seo Kong;Chaewon Jeong;Hyun Joon Eom;Changheui Jang;Lin Shao
Nuclear Engineering and Technology
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v.55
no.2
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pp.555-565
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2023
Despite many advantages as structural materials, austenitic stainless steels (SSs) have been avoided in many next generation nuclear systems due to poor void swelling resistance. In this paper, we report the results of heavy ion irradiation to the recently developed advanced radiation resistant austenitic SS (ARES-6P) with nanosized NbC precipitates. Heavy ion irradiation was performed at high temperatures (500 ℃ and 575 ℃) to the damage level of ~200 displacement per atom (dpa). The measured void swelling of ARES-6P was 2-3%, which was considerably less compared to commercial 316 SS and comparable to ferritic martensitic steels. In addition, increment of hardness measured by nano-indentation was much smaller for ARES-6P compared to 316 SS. Though some nanosized NbC precipitates were dissociated under relatively high dose rate (~5.0 × 10-4 dpa/s), sufficient number of NbC precipitates remained to act as sink sites for the point defects, resulting in such superior radiation resistance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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