• 제목/요약/키워드: Impedence

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두 개의 임피던스 ?지에 의한 산란 특성 해석 (Analysis of Scattering Characteristics by the Double Impedence Wedge)

  • 서용원;장정민이민수이상설
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.363-366
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    • 1998
  • High frequency scattered fields by a double impedence wedge are computed. In the procedure of the computation, arbitrary impedence faces and wedge angles are considered. The diffraction coefficients for the single, double and triple diffraction mechanism are founded. The second-order and third-order diffracted fields are approximated via the extended spectral ray method and the modified Pauli-Clemmow method of the steepest descent. The maliuzhinets function which is very difficult to obtain accurate value is approximated by the Volakis's asymtotic expression. Numerical computations are performed for the various wedge angles and surface impedence values.

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페놀 수지로부터 유도된 Polyacene계 부극의 특성 (Properties of Polyacene Anode Derived from Phenolic Resin)

  • 오원춘;김범수;이영훈;황인수;이병의
    • 분석과학
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    • 제12권6호
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    • pp.504-508
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    • 1999
  • 노블락형 페놀 수지로 부터 유도된 polyacene계 부극재에 대한 구조적 특성, 충방전 특성 및 임피던스 특성에 대하여 연구하였다. X-선 회절법에 의하여 구조변이를 확인한 결과, p-700, p-850, p-1000 화합물들은 반규칙성의 구조를 가짐을 확인할 수 있었다. 전기적 충전방전 특성을 알아본 결과 P-850의 경우는 나머지 두개의 경우보다 원활한 충전 방전 특성을 나타내었다. 또한 이들의 구조적인 특성 및 전기적인 충방전 특성과 관련하여 임피던스 특성을 알아본 결과 구조분석에서는 P-1000와 p-850의 경우는 원활한 전기적 특성이 나타남을 알 수 있었다.

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동상다조 포설시 케이블 배치에 대한 고찰 (Consideration of cable arrangement for the same phase multi-cable installa)

  • 오종옥;한기종;이승현
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1134-1136
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    • 1998
  • In case of multi-cable for one ph current in the same phase cable may be unba according to cable arrangement in underg system. In this paper, we described the way to ba current in each cable of same phase. This solut to make the impedence of each cable equal caculated the impedence of each cable for all ki cable arrangement in accordance with JCS168D finally found the cable arrangement of impedence.

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활성/비활성 상태에서의 종단과 입력 임피던스 변화를 이용한 전송선로의 전달함수 추정 (Estimation for the Transfer Function of Transmission Line using the Temination and Input Impedances at Activated/Deactivated states)

  • 이종헌;진용옥
    • 한국통신학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.90-97
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    • 1992
  • 이 논문은 전송선로의 진폭과 위상응답을 선로의 입력측에서 추정하는 방법에 대해서 논의하고 협대역 ISDN 가입자 선로의 경우에 적용한 것이다. 활성과 비활성 상태의 표준 단말 임피던스와 선로의 입력측에서 추정할 수 있는 입력 임피던스로부터 선로의 ABCD 파라메터를 구할 수 있는 계산식을 유도한다. 입력 임피던스함수 추정을 위해 "chirp" 신호를 입자 전압신호로 사용하며, 이때 잡음의 영향은 앙상블 평균을 취하여 감소 시킨다. 이러한 ABCD 파라메터 추정 방법은 균일선로와 복합선로에 동일하게 적용될 수 있으며, 추정된 결과로부터 진폭 및 위상응답을 구할 수 있다. 협대역 ISDN 가입자 선로의 모델을 결정하여 모의실험한 결과를 제시하며 단말 임피던스의 편차에 의한 추정오차를 분석하였다.

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도파관-마이크로스트립간의 트랜지션 설계

  • 이문수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제15권9호
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    • pp.722-728
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    • 1990
  • U-대역 MMIC 전력증폭기 특성 측정에 사용될 도파관-마이크로스트립간의 트랩지션을 설계 제작하였다. 광대역 정합특성을 얻기 위해 릿지 도파관을 사용한 ${\lambda}$/4 Tchebyscheff 임피던스 변환기를 트랜지션 임피던스 변환부에 적용하였다. 설계된 Transition은 Supper-Compact을 사용하여 40GHZ-48GHZ 대역에서 Su이 -28dB 이하가 되도록 최적설계하였다. 40GHZ-47GHZ 범위에서 측정된 Transition Insertion Loss는 약 0.3dB Return Loss는 25dB 로 나타났다.

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Microprocessor를 이용한 Patient Monitor 개발(II) (Development of the Patient Monitor Using Microprocessor(II))

  • 김남현;김정래;허재만
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제16권1호
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    • pp.101-106
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    • 1995
  • In this paper, the patient monitor consisting of ECG/Respiration Amplification, Front end CPU, Main CPU, Main Controller, Video Amplifier, Display Controller, Waveform Generator, Bus & Power Supply, 8097 Processor was developed. This patient monitor measures the patient's states in the hospital such as elecctro-cardiography, respiration, blood pressurae and temperature. The control and processing methods based on micro-processor employ the flexibility, extensibility over other conventional system. The followings are incorporated in this system. First, ECG/RESP measures the respiration by impedence pneumography. Second, FECPU utilizes an Intel 8031 microcontroller. Third, Controller function originate from a LSI CRT controller.

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건식식각장치에서 임피던스 측정과 비등방성 식각에 대한 연구 (A STUDY OF RF IMPEDENCE MEASUREMENT AND ANISOTROPIC ETCHING)

  • 김종식;김흥락;강봉구;권오대
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.94-97
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    • 1989
  • It is shown that fundamental plasma characteristic, which are sheath voltage and ion concentration, can be derived from measuring RF impedence. Plasma characteristics from this simple method are verified by direct measuring, to be reasonable. Using these values a new relation between isotropy and the ratio of sheath voltage to ion concentration is derived. For etch in which $CF_4$ is used, anisotropic etch can be achieved in its order $10^{-12}Vcm^3$ and isotropic etch in $10^{-12}Vcm^3$. These results are useful in every asymetric diode type etch system.

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