High frequency scattered fields by a double impedence wedge are computed. In the procedure of the computation, arbitrary impedence faces and wedge angles are considered. The diffraction coefficients for the single, double and triple diffraction mechanism are founded. The second-order and third-order diffracted fields are approximated via the extended spectral ray method and the modified Pauli-Clemmow method of the steepest descent. The maliuzhinets function which is very difficult to obtain accurate value is approximated by the Volakis's asymtotic expression. Numerical computations are performed for the various wedge angles and surface impedence values.
We have studied structural charecterization, electrical charge and discharge, and impedence properties for polyacene anode material derived from phenolic resin of novolak type. From the X-ray diffraction results, diffraction patterns for compounds of the three kinds of P-700, P-850, P-1000 were observed for semiirregular structural transition. A electrical charge and discharge data showed that the properties of p-850 was much better than any other samples. From the impedence properties for finding the effect of ions and electron transfer of battery, P-1000 and P-850 of high frequency of real number showed good electrical impedence properties.
In case of multi-cable for one ph current in the same phase cable may be unba according to cable arrangement in underg system. In this paper, we described the way to ba current in each cable of same phase. This solut to make the impedence of each cable equal caculated the impedence of each cable for all ki cable arrangement in accordance with JCS168D finally found the cable arrangement of impedence.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.17
no.1
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pp.90-97
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1992
An estimation method for the amplitude and phase response of transmission line is discussed. and applied to narrow band ISDN subscriber line. The ABCD parameters of line are evaluated from four impedance values: the standard termination impedence at activated and deactivated stares, and the input impedances of line which can be estimated at each state. Estimating input impedence, the “chirp” signal is used as incident signal and noise effect can be reduced by ensemble averaging. These ABCD parameter estimations might be applicable to ether uniform or nonuniform line. Cleary the magnitude and phase response can be obtained from estimated ABCD parameters. The numerical simulation results for N ISDN subscriber line model are included, and the estimation error introduced by deviation in load impedence is also anlyzed.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.15
no.9
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pp.722-728
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1990
A comppact waveguide to microstrip transition to be used for measurements of the performances of the U-band MMIC power amplifier is designed and fabricated. A Tchebyscheff ${\lambda}$/4 impedence transformer is adopted as an impedence converter of the transition. The designed transition is optimized to get Su less then -28dB over the 40-to-48GHZ band using Supper Compact program. The measured results shows that insertion loss and return loss are typically 0.3 and 25dB respectively over 40-to-47GHz.
In this paper, the patient monitor consisting of ECG/Respiration Amplification, Front end CPU, Main CPU, Main Controller, Video Amplifier, Display Controller, Waveform Generator, Bus & Power Supply, 8097 Processor was developed. This patient monitor measures the patient's states in the hospital such as elecctro-cardiography, respiration, blood pressurae and temperature. The control and processing methods based on micro-processor employ the flexibility, extensibility over other conventional system. The followings are incorporated in this system. First, ECG/RESP measures the respiration by impedence pneumography. Second, FECPU utilizes an Intel 8031 microcontroller. Third, Controller function originate from a LSI CRT controller.
Kim, Jong-Sik;Kim, Hung-Rak;Kang, Bong-Gu;Kwon, O-Dae
Proceedings of the KIEE Conference
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1989.11a
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pp.94-97
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1989
It is shown that fundamental plasma characteristic, which are sheath voltage and ion concentration, can be derived from measuring RF impedence. Plasma characteristics from this simple method are verified by direct measuring, to be reasonable. Using these values a new relation between isotropy and the ratio of sheath voltage to ion concentration is derived. For etch in which $CF_4$ is used, anisotropic etch can be achieved in its order $10^{-12}Vcm^3$ and isotropic etch in $10^{-12}Vcm^3$. These results are useful in every asymetric diode type etch system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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