• 전자통신동향분석
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• 제39권3호
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• pp.98-106
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• 2024

Advanced packaging is emerging as a core technology owing to the increasing demand for multifunctional and highly integrated semiconductors to achieve low power and high performance following digital transformation. It may allow to overcome current limitations of semiconductor process miniaturization and enables single packaging of individual devices. The introduction of advanced packaging facilitates the integration of various chips into one device, and it is emerging as a competitive edge in the industry with high added value, possibly replacing traditional packaging that focuses on electrical connections and the protection of semiconductor devices.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제18권2호
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• pp.35-41
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• 2011

Recently, board level solder joint reliability performance of IC packages during drop impact becomes a great concern to semiconductor and electronic product manufacturers. The handheld electronic products are prone to being dropped during their useful service life because of their size and weight. The IC packages are susceptible to solder joint failures, induced by a combination of printed circuit board (PCB) bending and mechanical shock during impact. The board level drop testing is an effective method to characterize the solder joint reliability performance of miniature handheld products. In this paper, applying the JEDEC (JESD22-B111) standard present a finite element modeling of the FBGA. The simulation results revealed that maximum stress was located at the outermost solder ball in the PCB or IC package side, which consisted well with the location of crack initiation observed in the failure analysis after drop reliability tests.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권3호
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• pp.1-7
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• 1999

본 연구에서는 900MHz대역 수신기용으로 선행 개발되어진 RF 칩세트를 장착한 RF 특성평가 보드를 개발하였으며, 환경평가시험을 수행하였다. 선행 개발되어진 RF-IC 칩에는 저잡음증폭기, 하향변조 주파수혼합기, AGC Amp, SW-CAP 필터 등을 포함하고 있으며, 이에 따른 정합회로와 RF/IF SAW 필터, 듀플렉서 필터 및 전원공급회로를 RF 특성평가보드에 첨가하여 제작하였다. 공급전원은 2.7에서 3.6V이며, RF 보드의 소모전류는 42mA로 나타났으며, 동작 주파수는 RF 입력이 925~960MHz으로 제작, 측정되었다. 측정결과 일반적인 900MHz용 디지털 이동통신단말기의 RF 수신특성과 유사하게 양호한 결과를 보였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.96-100
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• 1990

코디에라이트($2MgO,2Al_{2}O_{3},5SiO_{2}$)는 다층 IC 기관용 재료로써 최근에 큰 관심을 갖고 연구되어지고 있다. 졸겔법에 의해서 합성된 코디에라이트 기판위에 구리층을 만들고 동시 소성 분위기와 소성 온도 변화르 통해서 접합면의 형태변화를 분석함으로써 접합력이 우수한 소성 조건을 찾아보았다. 수분을 함유한 Ar가스( $Ar+H_{2}O$) 분위기에서 동시 소성하는 경우 좋은 접합 특성을 보여 주었으며 특히 접합 특성 향상에 승온 속도가 큰 영향을 미친다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제8권1호
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• pp.19-25
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• 2001

본 연구에서는 디지털 셀룰러용 IF Frequency Synthesizer의 설계, 시뮬레이션 결과 및 측정 결과를 기술하였으며, 공정 및 소자 라이브러리는 AMS사의 0.8 $\mu\textrm{m}$ BiCMOS를 사용하였다. IF Frequency Synthesizer부는 IF 전압제어발진기, 위상검파기, 8분배기, 차지 펌프 및 루프 필터(Loop Filter) 등을 포함하고 있다. 공급전원은 2.7에서 3.6 V이며, IF VCO의 조절전압은 0.5~2.7V이고, 소비전류는 11 mA로 설계결과와 측정결과가 유사한 결과를 보였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제5권1호
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• pp.111-118
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• 1998

본 연구에서는 차세대 집적회로 device의 배선재료로서 사용될 가능성이 높은 Cu 금속을 무전해 도금으로 증착시킨 후 집적회로 공정에 필요한 열적 안정성에 대하여 고찰하 였다. MOCVD방법으로 Si 기판위에 TaN 박막을 확산 방지막으로 증착시킨 다음 무전해도 금으로 Cu막을 증착시켜 Cu/TaN/Si 구조의 다층박막을 제조하여 H2 환원 분위기에서 열처 리시킴으로서 열처리 온도에 따른 Cu 박막의 특성과 확산방지막 TaN와의 계면반응 특성에 대하여 고찰하였다. 활성화 처리와 도금용액의 조절을 적절히 행함으로서 MOCVD TaN 박 막위에 적당한 접착력을 지닌 Cu 박막층을 무전해 도금법을 사용하여 성공적으로 증착시킬 수 있었다. XRD, SEM 분석결과에 의하면 H2 환원분위기에서 열처리시켰을겨우 35$0^{\circ}C$~ $600^{\circ}C$ 범위에서 결정립 성장이 일어나 Cu 박막의 미세구조 특성이 개선됨을 알수 있었다. 또한 XRD, AES 분석에 의하여 열처리 온도에 따른 계면반응 상태를 조사해본 결과 $650^{\circ}C$ 온도에서는 Cu 원자가 TaN 확산방지막을 통과하여 Si 기판내로 확산함으로서 계면에서 Cu-Si 중간화합물을 형성하였다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
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• pp.177-179
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• 2002

A1$_2$ $O_3$기판재료의 $K_{IC}$ 증가를 위한 재료설계를 시도하였다. 먼저 A1$_2$ $O_3$기판을 구성하는 A1$_2$ $O_3$다층구조물에 적절한 다공성 중간층을 삽입하는 샌드위치 구조물을 제조하였다. 제조된 A1$_2$ $O_3$구조물의 미세구조를 관찰하였고, Vickers 경도와 three-point bending test를 통해서 단일조성 구조물과 샌드위치 구조물의 경도와 인성 측정치를 비교하였다. 다공층을 삽입한 A1$_2$ $O_3$샌드위치 구조물의 Single-Edge Notched Beam이 단일 조성의 구조물에 비해 파괴강도와 인성이 향상되는 결과를 얻었다.

• 전자공학회지
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• 제17권6호
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• pp.53-60
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• 1990

본 글은 완성된 circuit를 thick-film hybrid IC화 하기 위하여 고려하여야 할 사항인 설계의 기본개념, 기판 재질의 소개 및 특성, 도체, 저항, 유전체 paste를 소개하고 제조 기술 분야에서는 기본공정인 인쇄, 소성, 트리밍, packaging에 대하여 기술하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권4호
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• pp.9-17
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• 2017

In these days, MEMS (micro-electro-mechanical system) devices become the crucial sensor components in mobile devices, automobiles and several electronic consumer products. For MEMS devices, the packaging determines the performance, reliability, long-term stability and the total cost of the MEMS devices. Therefore, the packaging technology becomes a key issue for successful commercialization of MEMS devices. As the IoT and wearable devices are emerged as a future technology, the importance of the MEMS sensor keeps increasing. However, MEMS devices should meet several requirements such as ultra-miniaturization, low-power, low-cost as well as high performances and reliability. To meet those requirements, several innovative technologies are under development such as integration of MEMS and IC chip, TSV(through-silicon-via) technology and CMOS compatible MEMS fabrication. It is clear that MEMS packaging will be key technology in future MEMS. In this paper, we reviewed the recent development trends of the MEMS packaging. In particular, we discussed and reviewed the recent technology trends of the MEMS bonding technology, such as low temperature bonding, eutectic bonding and thermo-compression bonding.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 International Symposium
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• pp.3-17
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• 2003

.Package Trend -> Memory : Lighter, Thinner, Smaller & High Density => SiP, 3D Stack -> MPU : High Pin Counts & Multi-functional => FCBGA .Interposer Trend -> Via - Unfilled Via => Filled Via - Staggered Via => Stacked Via -> Emergence of All-layer Build-up Processes -> Interposer Material Requirement => Low CTE, Low $D_{k}$, Low $D_{f}$, Halogen-free .New Technology Concept -> Embedded Passives, Imprint, MLTS, BBUL etc.