Highly textured MgO template by ion-beam-assisted deposition(IBAD) was successfully fabricated using a continuous reel-to-reel(R2R) mode. To enlarge the deposition area, the previous IBAD system was modified into the system with 14-pass and five heating zone. Every processing step was carried out using this multi-turn IBAD system. The overall process consists of R2R electropolishing of a hastelloy C276 tape, deposition of $Al_2O_3$ diffusion barrier, $Y_2O_3$ seed layer, IBAD-MgO and homoepi-MgO layer. The IBAD-MgO templates were fabricated using the IBAD system with 216 cm-length deposition zone and 32 cm diameter ion source. The texture of MgO films developed during the IBAD process was monitored by in-situ reflection high energy electron diffraction(RHEED) to optimize the IBAD process. Recently, 100 m long IBAD-MgO tape with in-plane texture of $\Delta{\phi}<10^{\circ}$ was successfully fabricated using the modified IBAD system. In this report, the detailed deposition condition of getting a long length IBAD-MgO template with a good epitaxy is described.
전자총을 사용하여 증착한 보통(conventional) Nb$_2$O$_{5}$ 박막과 Ar 이온빔 보조 증착(ion beam assisted deposition, IBAD)한 Nb$_2$O$_{5}$ 박막의 광학적, 물리적 특성을 조사하여 IBAD의 효과에 대해 연구하였다. IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막과 보통 Nb$_2$O$_{5}$ 박막의 진공-공기간 반사 스펙트럼과 박막 단면의 SEM 측정 결고, IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막은 보통 박막에 비해 조밀한 박막으로 증착되었으며, 분광 광도계를 이용하여 포락선 방법으로 구한 IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막의 평균 굴절률은 보통 Nb$_2$O$_{5}$ 박막 보다 증가하고, 소멸계수는 감소하였다. 이는 IBAD에 의한 이온빔 충격으로 Nb$_2$O$_{5}$ 박막의 미세구조가 변화하여 조밀도가 증가하였기 때문으로 판단된다. 주입 산소 양이 증가함에 따라 IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막과 보통 Nb$_2$O$_{5}$ 박막의 평균 굴절률과 소멸계수는 모두 감소하는 경향을 보였으며, IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막은 이온빔 전류 밀도가 증가함에 따라 평균 굴절률이 증가하였다. 보통 Nb$_2$O$_{5}$ 박막과 IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막은 모두 불균일 굴절률을 나타냈으며, IBAD Nb$_2$O$_{5}$ 박막은 이온빔 전류 밀도가 증가할수록 굴절률의 불균일도는 증가하였다. 증착된 Nb$_2$O$_{5}$ 박막은 XRD 측정 결과 모두 비정질이었으며, IBAD에 의해 박막의 결정 구조는 변하지 않았다.
There are two major approaches to obtain texture template for HTS coated conductor (CC) ---IBAD and RABiTS. CC's with IBAD template showed both longer and higher Ic results so far. IBAD for CC began with YSZ, the processing of which is very slow compared to other processings needed for the fabrication of CC. Because of this very slow processing speed, IBAD with other materials such as Gd$_2$Zr$_2$O$_{7}$(GZO) and MgO have been developed. The processings of IBAD-GZO and IBAD-MgO are known to be up to 3times and 100 times. respectively, as fast as the processing of IBAD-YSZ. IBAD-MgO is very attractive in that the processing is very fast. IBAD-MgO also needs additional buffer layer(s). Many materials are being investigated to be used as a buffer layer on top of the MgO. BaZrO$_3$ (BZO) is a good candidate as the buffer layer on top of the IBAD-MgO because it is chemically stable and does not react with YBCO at high temperatures. It also has good lattice match with MgO. The BZO film has been deposited on single crystal MgO, and YBCO film was deposited on BZO/MgO to investigate the possibility of using BZO as both the buffer and capping layer of the CC.C.
Ar 이온빔 보조 증착법(IBAD)으로 제작한 $TiO_2$ 박막의 광학적 특성을 연구하였다. 포락선 방법으로 측정한 단층 IBAD TiO2 박막의 굴절률은 이온빔을 사용하지 않은 보통 $TiO_2$ 박막보다 증가하여 bulk의 값에 보다 가까웠으며, 진공과 공기 중에서 투과 파장 영역의 이동을 측정하여 조사한 단층 IBAD 박막의 조밀도는 보통 박막보다 현격히 증가하였다. 이온빔 보조 증착법으로 $(TiO_2/SiO_2)$ 다층 박막 간섭필터를 제작하였고, 진공과 공기 중에서 각각 간섭 필터의 최고 투과 파장의 이동을 측정하였다. IBAD 간섭 필터의 파장 이동량은 보통 간섭필터에 비해 무시할 수 있을 정도로 작아 IBAD 박막의 조밀도가 증가하고 광학적으로 안정된 것을 알 수 있었다. 또한 IBAD $TiO_2$ 박막과 보통 $TiO_2$ 박막 모두 원소 조성비는 정상이었으며 결정 구조는 비정질이었다.
Ion-beam assisted deposition (IBAD) technology has been successfully applied to high-temperature superconductor coated conductors (CC) as textured substrates. Since the coated conductors were proposed as a potential framework for utilizing the superior transport characteristics of $YBa_2Cu_3O_7$ and related cuprate oxides, several methods including rolling-assisted bi-axial textured substrates (RABiTS) and inclined substrate deposition (ISD), as well as IBAD, have been attempted. As of 2016, most companies that are trying to commercialize CC adapt IBAD technology except for American Superconductors who use RABiTS predominantly. For the materials in the IBAD process, initial efforts to use yttria-stabilized zirconia (YSZ) or related fluorites in Fujikura in Japan have quickly given way to MgO which technique was developed by Stanford University in the USA. In this review, we present a historical overview of IBAD technology, in particular, for the application of CC. We describe the key scientific understanding of nucleation, the texturing mechanism, and the growth of large bi-axial grains and discuss some potential new IBAD materials and systems for large-scale production.
Nano adhesion and friction between a Sj$_3$N$_4$ AFM tip and thin silver films were experimentally studied. Tests were performed to measure the nano adhesion and friction in both AFM(atomic force microscope) and LFM(lateral force microscope) modes in various ranges of normal load. Thin silver films deposited by IBAD (ion beam assisted deposition) on Si-wafer (100) and Si-wafer of different surface roughness were used. Results showed that nano adhesion and friction decreased as the surface roughness increased. When the Si surfaces were coated by pure silver, the adhesion and friction decreased. But the adhesion and friction were not affected by the thickness of IBAD silver coating. As the normal force increased, the adhesion forces of bare Si-wafer and IBAD silver coating film remained constant, but the friction forces increased linearly. Test results suggested that the friction was mainly governed by the adhesion as long as the normal load was low.
Deposition condition of YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$ (YBCO) films on moving IBAD templates (CeO$_2$/IBAD-YSZ/SS) was studied in a hot-wall type metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process using single liquid source. The reel velocity was 40 cm/hr and the source mole ratios of Y(tmhd)$_3$:Ba(tmhd)$_2$:Cu(tmhd)$_2$ were 1:2.3:3.1 and 1:2.1:2,9, Two different types of IBAD templates with thin CeO$_2$ and thick CeO$_2$ layers were used, The YBCO films were successfully deposited at the deposition temperatures of 780~89$0^{\circ}C$ ; the a-axis growth was observed together with the c-axis growth up to 83$0^{\circ}C$. while the c-axis growth became dominant above 83$0^{\circ}C$. The top surface of the c-axis film was fairly dense and included a small amount of the a-axis growth, although the peaks of the a-axis grains were not observed in XRD pattern, The YBCO film deposited on IBAD template with thin CeO$_2$ layer showed low critical current of 2.5 A/cm-width. while the YBCO film deposited on IBAD template with thick CeO$_2$ layer showed higher critical current of 50 A/cm-width. This result indicates that thick CeO$_2$ layer is thermally more stable than thin CeO$_2$ layer at the high deposition temperature of the MOCVD process.s.
Nano adhesion and friction between a $Si_{3}N_{4}$ AFM(atomic force microscope) tip and thin silver films were experimentally studied. Tests were performed to measure the nano adhesion and friction in both AFM and LFM(lateral force microscope) modes in various range of normal loads. Thin silver films deposited by IBAD (ion beam assisted deposition) on Si-wafer (100) and other Si-wafers of different surface roughness were used. Results showed that nano adhesion and friction decreased with the surface roughness. When the Si surfaces were coated by pure silver, the adhesion and friction decreased. But the adhesion and friction were not affected by the thickness of IBAD silver coating. As the normal force increased, the adhesion forces of bare Si-wafer and IBAD silver coating film remained constant, but the friction forces increased linearly. Test results suggested that the friction was mainly governed by the adhesion as long as the load was low.
연구목적: 본 연구에서는 양극산화 임플란트 표면에 서로 다른 두 가지 방법, Ion beam-assisted deposition (IBAD)법과 Sol-gel법으로 Ca-P 코팅한 임플란트 시편에 골모세포를 배양하였을 때 세포의 증식, 분화, 형태에 어떠한 영향을 미치는지 조사하고자 한다. 연구재료 및 방법: 지름 10 mm, 두께 2 mm 인 상업용 순수 titanium grade IV 재질의 디스크를 제작하였고, 모든 시편은 acetone, 70% ethanol, 증류수에서 각각 10분씩 세척 후 건조하였다. 모든 표면은 300 V의 constant voltage하에서 양극 산화 (anodized)시킨다. 실험군은 양극산화 임플란트 표면에 각각 IBAD법과 Solgel법으로 Ca-P 코팅하였다. 각 표면의 미세표면 거칠기(Ra)를 측정하였고, SEM을 통해 표면의 형상을 관찰하였다. 골모세포을 배양한 후 각 표면군의 세포 증식, ALP 활성도 및 RT-PCR를 통한 골세포 분화 능력 검증을 하였으며, SEM을 통해 세포의 형상도 확인하였다. 통계분석은 SPSS (version 12.0) 프로그램을 이용하여 Kruskal-Wallis Test로 각 군의 유의성을 검증하였다 ($\alpha$=0.05). 결과: IBAD법으로 Ca-P 코팅한 표면이 Sol-gel법으로 Ca-P 코팅한 표면보다 표면 거칠기 (Ra) 값이 더 크게 나타났다 (P<.05). IBAD법으로 Ca-P 코팅한 표면이 Sol-gel법으로 Ca-P 코팅한 표면 보다 세포 증식이 더 활발하고 골세포 조기 분화 정도를 확인 할 수 있는ALP 활성도 또한 더 높게 나타났다 (P<.05). SEM 관찰 결과IBAD법으로 Ca-P 코팅한 표면에 골모세포들이 친화성을 띄면서 안정적으로 부착되었다. 결론: IBAD법으로 Ca-P 코팅한 표면이 Sol-gel법으로 Ca-P 코팅한 표면보다 더 우수한 세포 반응을 보였다. IBAD법으로 Ca-P 코팅한 표면의 세포들은 증식이 잘 이루어지고 잘 분화된 골모세포 형상을 보이고 ALP 활성도 또한 높아 골 형성을 증가시켜 높은 골-임플란트 접촉을 보일 것이다.
YBCO coated conductors have been fabricated with a newly developed oxide-precursor-based MOD process. The precursor solution was synthesized with low cost YBCO powders as starting materials and YBCO coated conductors have been deposited on IBAD substrate ($CeO_2$/IBAD-YSZ/SS). YBCO coated conductor prepared by dip coating shows transport $I_c$ of 15A/cm-w at 77 K. Microstructural and crystallographic analyses indicate that YBCO layer was grown in epitaxy with substrate and exhibited well-developed dense microstructure. Also discussed are processing and analysis of YBCO coated conductor by slot-die web coating method. It was shown that this oxide-based MOD process provides a low cost route to coated conductor with high $J_c$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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