A ZnO varistor with reference voltage 250V/mm was fabricated through the control of particle size in slurry and the variation of sintering conditions. It was found that to measure the flatness of the V-I characteristic curve in the small-current region and the flatness of the V-I characteristic curve in a large-current region was improved nonlinearity of the fabricated ZnO varistor. According to the IEC 60099-4 was measured the accelerated aging test and high current test of the distribution class surge varistor which is excellent in respect to the property of ZnO varistor.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.233-236
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1999
To investigate the effect of interference current between pairs and quasi-particles, we have calculated the change I-V characteristic curve of resistively and capacitively shunted Josephson junction with external microwave by simulation of modified Stewart-McCumber model. Such rf-induced constant-voltage steps and the immunity against to noise were found to be changed in the presence of interference current.
This study investigated the process of thermal-induced growth of micro-crack developed at the crystalline solar cell using EL image, determined the output characteristic according to the pattern of micro-crack, analyzed the I-V characteristic according to the pattern of crack growth, and predicted the output value using simulation. The purpose of this study was, therefore, to investigate the process of thermal-induced growth of micro-crack developed at the early stage of PV module completion using EL image, to analyze the resulting decrement of output and predict the output value using simulation. It was observed that the crack grew increasingly by the thermal condition, and accordingly the lowering of output was accelerated. The output values of crack patterns with various direction were predicted using simulation, resulting in close I-V curve with only around 4% of error rate. It is considered that it is possible to predict the electric characteristic of solar cell module using only pattern of micro-crack occurred at solar cell based on our results.
In this paper, we analyze the I-V curve and hot-spot phenomenon caused by solar cells' serial and parallel connected circuit. The mis-match loss of parallel interconnection with low Isc string decrease lower than serially interconnected one and temperature caused by hot-spot does. Also, mis-match loss of parallel interconnection with low Voc string increase more than serially interconnected one. The string having low Voc happened hot-spot phenomenon when open circuit. The bad solar cell in string gives revere bias to good solar cell and make hot-spot phenomenon. If we consider the mis-match loss, when designing PV module and array. the efficiency of PV system might increase.
Photovoltaic(PV) power generation system [1-2] has been extensively studied and watched with keen interest as a clean and renewable power source. So hardware and software studies strongly indicate the feasibility of commercially producing a low cost, user-friendly solar cell curve tracer. Generally, V-I curve tracer indicates only the commonly used solar cell parameters. However, with the conventional V-I curve tracer it is almost impossible to abstract the more detail parameters of solar cell ; A, Rs, and Rsh, which satisfies the user, who aims at the analysis of the development PV power generation system; advanced simulation. In this paper, the proposed method gives us the satisfactory results to abstract the detail parameters of solar cell ; A, Rs, and Rsh
KIEE International Transaction on Electrical Machinery and Energy Conversion Systems
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제4B권2호
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pp.86-91
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2004
PV power generation, which directly converts solar radiation into electricity, contains numerous significant advantages. It is inexhaustible and pollution-free, silent, contains no rotating parts, and has size-independent electricity conversion efficiency. The positive environmental effect of photovoltaics is that it replaces the more polluting methods of electricity generation or that it provides electricity where none was available before. This paper highlights a novel simple method to abstract the entire parameters of the solar cell. In development, design and operation of PV power generation systems, a technique for constructing V-I curves under different levels of solar irradiance and cell temperature conditions using basic characteristic values of the PV module is required. Everyone who has performed manual acquisition and analysis of solar cell I versus V data would agree that the job is tedious and time-consuming. A better alternative is to use an automated curve tracer to print out the I versus V curves and compute the four major parameters; $V_{oc}$, $I_{sc}$, FF, and . Generally, the V-I curve tracer indicates only the commonly used solar cell parameters. However, with the conventional V-I curve tracer it is almost impossible to abstract the more detailed parameters of the solar cell; A, $R_{s}$ and $R_{sh}$ , which satisfies the user, who aims at the analysis of the development of the PV power generation system, that being advanced simulation. In this paper, the proposed method provides us with satisfactory results to enable us to abstract the detailed parameters of the solar cell; A, $R_s$ and $R_{sh}$.>.
A microplasma current switch (MPCS) for a device operated in a current mode like organic light-emitting diodes (OLEDs), which features matrix addressability and current switching, is presented as well as its architecture and operational principle. The MPCS utilizes the intrinsic memory and conductivity of plasmas to achieve matrix addressability and current switching. We have fabricated a $100\;mm\;{\times}\;100\;mm$ MPCS panel in which its cell pitch is $1080\;{\mu}m\;{\times}\;1080\;{\mu}m$. The matrix addressability and current switching were verified. In addition, the current-voltage (I-V) characteristic of the unit cell was measured when plasmas were ignited. In principle, the scheme of the MPCS is equivalent to that of a double Langmuir probe diagnosing plasma parameters except for their relative dimensions to a plasma volume. Accordingly, the I-V characteristic was analyzed by a double Langmuir probe theory, and the plasma density and electron temperature were estimated from the I-V curve using a collisional double Langmuir probe theory.
The current-voltage modeling plays an important role in characterizing photovoltaic systems. A solar cell has a nonlinear characteristic with various parameters influenced by the external environments such as the irradiance and the temperature. In order to accurately predict current-voltage characteristics at low irradiance, the artificial neural networks are applied to effectively quantify nonlinear behaviors. In this paper, a multi-layer perceptron scheme that can make accurate predictions is employed to learn complex formulas for large amounts of continuous data. The simulated results of artificial neural networks model show the accuracy improvement by using MATLAB/Simulink.
This system can predict the maximum output about all illumination levels so that the PV system designer can design the system having the best efficiency. For the output prediction exact about the solar cell, that is the device the basis most in the PV system, the basis has to be in order to try this way. The solution based on Lambert W-function are presented to express the transcendental current-voltage characteristic containing parasitic power consuming parameters like series and shunt resistances. A simple and efficient method for the extraction of a single current-voltage (I-V) curve under the constant illumination level is proposed. With the help of the Lambert W function, the explicit analytic expression for I is obtained. And the explicit analytic expression for V is obtained. This analytic expression is directly used to fit the experimental data and extract the device parameters. The I-V curve of the solar cell was expressed through the modeling using Lambert W-function and the numerical formula where there is the difficulty could be logarithmically expressed This method expresses with the I-V curve through the modeling using Lambert W-function which adds other loss ingredients to the equation2 as to the research afterward. And the solar cell goes as small and this I-V curve can predict the power penalty in the system unit.
Current-voltage characteristic models of superconducting material are suggested by many researchers. These current-voltage characteristic models are important because they can be used for design or simulation of superconductor devices. But widely used current-voltage models of superconductor wire still have some limitations. For example, a standard E-J power model has no parameters related with stabilizer's resistance in superconductor wire. In this paper, a current-voltage characteristic modeling method for high temperature superconductor (HTS) tape with considering the effect of stabilizer is introduced. And a current-voltage characteristic of a HTS tape is measured under different stabilizer conditions. Those measured current-voltage characteristics of the HTS tape modeled with proposed modeling method and the modeling results are compared.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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