• 한국항해항만학회지
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• 제26권3호
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• pp.295-302
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• 2002

현재의 디지털 통신시스템은 매우 다양한 디지털 변조방식을 채택하고 있다. 이러한 통신시스템에서는 인접채널에 대한 간섭을 최대한 줄이기 위해서 필연적으로 선형 전력증폭기를 요한다. 선형 전력증폭기는 매우 다양한데 그 중에서 전방궤환 전력증폭기는 구조상 광대역이면서 선형화 정도가 매우 우수하다. 전방궤환 전력중폭기에 사용되는 지연선로의 손실로 인하여 전체효율이 감소한다. 본 논문에서는 이러한 지연선로를 손실이 매우 작은 지연필터를 사용함으로써 효율과 선형성을 동시에 개선하였다. 측정된 결과 ACLR이 약 17.43dB 개선되었으며 이것은 지연필터를 사용함으로써 2.54dB 더 개선되었음을 나타낸다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1518-1526
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• 1993

위성통신 채널에서 고출력 신호 발생을 위한 증폭기는 일반적으로 비선형성에 의한 왜곡이 존재하며, 이는 시스템의 성능을 크게 저하시킨다. 본 논문에서는 이러한 비선형 왜곡을 보상해 주기 위해 LMS 알고리듬을 이용한 새로운 데이타 predistortion 방법을 제안한다. 16-QAM 방식의 경우, constellation 각각의 심볼들에 predistorter를 개별적으로 달아 주어 처리했던 기존의 방식과는 달리, 같은 크기를 갖는 심볼들에 대해서는 동일 메모리를 사용하여 크기차와 위상차에 의해 고출력 증폭기의 입력을 사전왜곡 하므로써 적은 수의 디지탈 메모리(3개의 predistorter)와 빠른 수렴 속도를 갖는 보다 향상된 적응 데이터 predistorter를 제안하였다. 기존의 방법과 비교하므로써 본 논문에서 제안된 방법의 우수성을 보인다.

• 전기의세계
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• 제31권5호
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• pp.383-390
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• 1982

The high power glass laser system was designed and constracted which consisted of a TEM$\_$00/ mode Q-switching oscillator, a pulse shaping, system, two-stage pre-amplifiers, five-stage main amplifiers, a Faraday rotator, and a uni-guide slit. The laser output of 3OGW with the pulsewidth of 2 nsec was obtained by performing the amplifiing experiment in this system. When the laser light with the pulsewidth of 10 nsec was amplified, the large factor of amplification was obtained in the beginning of pulse, but the factor of amplification decreased gradually in the later part of pulse. Therefore, the laser light which has short pulsewidth of-2nsec must be amplified in order to obtain the larger factor of amplification. When the laser beam from the high power glass laser system was irradiated to plasma, the reflected laser light from plasma which occured inevitably could be attenuated to the order of 10$\^$-4/ by using the Faraday rotator and the uni-guide slit.

• 센서학회지
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• 제6권2호
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• pp.145-154
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• 1997

회로 시뮬레이션과 국부적 탐색을 갖는 시뮬레이티드 아닐링을 사용한 새로운 탐색 전략에 기초하여 고성능 연산 증폭기의 설계 자동화를 위한 기법을 제안하였다. 임의의 연산 증폭기 구조와 성능 규격에 대해서, 이산 설계 변수들을 갖는 비용 함수의 이산 최적화를 통해 연산 증폭기의 설계가 이루어진다. 설계 시간의 단축을 위해서 전용 회로 시뮬레이터와 몇 가지 휴리스틱을 사용하였다. 스마트 센서와 10 비트 25 MS/s 파이프라인 A/D 변환기에 사용 가능한 저전력 고속 전차동 CMOS 연산 증폭기의 설계를 통해서, 제안된 기법을 사용하여 개발된 설계 도구는 적은 설계 지식과 설계 노력을 가지고 고성능 연산 증폭기를 설계하는데 사용될 수 있음을 보였다.

• 전자통신동향분석
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• 제37권5호
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• pp.11-21
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• 2022

GaN (Gallium-Nitride) is a promising candidate material in various radio frequency applications due to its inherent properties including wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. Notably, AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor exhibits high operating voltage and high power-density/power at high frequency. In next-generation radar systems, GaN power transistors and monolithic microwave integrated circuits (MMICs) are significant components of transmitting and receiving modules. In this paper, we introduce technological trends for C-/X-/Ku-band GaN MMICs including power amplifiers, low noise amplifiers and switch MMICs, focusing on the status of GaN MMIC fabrication technology and GaN foundry service. Additionally, we review the research for the localization of C-/X-/Ku-band GaN MMICs using in-house GaN transistor and MMIC fabrication technology. We also discuss the results of C-/X-/Ku-band GaN MMICs developed at Defense Materials and Components Convergence Research Department in ETRI.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.251-257
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• 2014

모터의 일종으로서 엑츄에이터는 전기 에너지를 운동 에너지로 변환하기 위하여 전류를 이용하여 동작하는 메커니즘을 제어하는 시스템이다. 전압을 가청 신호로 변환하는 기능을 갖는 오디오 액츄 에이터로서는 스피커와 증폭기가 흔히 사용된다. 산업 현장에서는 고출력 고양질의 전력 시스템이 필요하다. 이러한 시스템들이 품질이 좋은 출력을 생성하기 위하여 오디오 시스템의 출력 임피던스를 제어해야 만 한다. 우리는 이 논문에서 가변 부하가 연결되어 있는 능동 증폭기 시스템을 구동하기 위한 적응 특성을 전력 공급기를 제시한다. 전기 신호를 오디오 신호로 변환하는 스피커의 저항값이 변동함에 따라 능동 증폭기에 대한 전력 공급 장치는 부하값의 변동에 적응하여 스피커에 최대 전력을 공급하며, 피크전류의 급격한 변동과 과잉전류의 흐름으로부터 증폭기를 보호하게 된다.

• 센서학회지
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• 제33권1호
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• pp.12-17
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• 2024

Floating inverter amplifiers (FIAs) have recently garnered considerable attention owing to their high energy efficiency and inherent resilience to input common-mode voltages and process-voltage-temperature variations. Since the voltage gain of a simple FIA is low, it is typically cascaded or cascoded to achieve a higher voltage gain. However, cascading poses stability concerns in closed-loop applications, while cascoding limits the output swing. This study introduces a gain-enhanced FIA that features cross-coupled body biasing. Through simulations, it is demonstrated that the proposed FIA designed using a 28-nm complementary metal-oxide-semiconductor technology with a 1-V power supply can achieve a high voltage gain (> 90 dB) suitable for dynamic open-loop applications. The proposed FIA can also be used as a closed-loop amplifier by adjusting the amount of positive feedback due to the cross-coupled body biasing. The capability of achieving a high gain with minimum-length devices makes the proposed FIA a promising candidate for low-power, high-speed sensor interface systems.

• 한국항행학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.319-324
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• 2018

본 논문은 RF 전력 반도체를 사용한 고출력 전력증폭기를 구현한 것으로 기존의 플라즈마 발생 장치에 사용되는 마그네트론 방식의 고출력 증폭기 문제점인 낮은 효율과 짧은 수명, 유지 보수의 어려움 그리고 높은 운용비용 등을 개선하기 위한 것이다. 구현된 고출력 전력증폭기는 2.45 GHz ISM (industrial scientific medical) 대역에서 공간 결합방식을 이용한 저 손실, 고출력 레디알 결합기와 반도체로 3 kW급 출력을 얻기 위해서 300 W 급 전력 증폭기 16개의 증폭기로 구성되어 있다. 또한, 이 증폭기는 개별적인 증폭기에 수냉 방식의 구조를 적용하여 고출력에 따른 발열문제를 극복하였다. 소형 시스템으로 구성된 이 전력증폭기는 원하는 출력에서 50%의 높은 효율을 얻었다.

• ETRI Journal
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• 제25권3호
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• pp.195-202
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• 2003

This paper proposes a new LDMOSFET structure with a trenched sinker for high-power RF amplifiers. Using a low-temperature, deep-trench technology, we succeeded in drastically shrinking the sinker area to one-third the size of the conventional diffusion-type structure. The RF performance of the proposed device with a channel width of 5 mm showed a small signal gain of 16.5 dB and a maximum peak power of 32 dBm with a power-added efficiency of 25% at 2 GHz. Furthermore, the trench sinker, which was applied to the guard ring to suppress coupling between inductors, showed an excellent blocking performance below -40 dB at a frequency of up to 20 GHz. These results confirm that the proposed trenched sinker should be an effective technology both as a compact sinker for RF power devices and as a guard ring against coupling.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.18-23
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• 1992

Recently, SSPAs(Solid-State Power Amplifiers) with high linearity and efficiency replace TWTAs (Traveling-Wave-Tube Amplifiers) in satellite transponders. In this paper, a power amplifier with maximum output power is designed and constructed using GaAs FET(MGF-1302) as a test model for the development of SSPAs. For conjugate matching of input and output network, transimission lines and stubs are optimized using microwave CAD program, LINMIC+. Power amplifier is realized on the teflon substrate($\in$S1rT=2.45) with a bandwidth of 1GHz at a center frequency of 8GHz. Maximum stable gain of simulation and simulation and experimental result is obtained 9.23, 7.65 dB, respectively.