• 한국세라믹학회지
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• 제41권9호
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• pp.637-641
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• 2004

We investigated the effects of SiH$_4$ gas on the surface of Hf-silicate films during the deposition of polycrystalline (poly) Si films and the thermal stability of sputtered Hf-silicate films in poly Si/Hf-silicate structure by using High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Hf-silicate films were deposited by using DC-mag-netron sputtering with Hf target and Si target and poly Si films were deposited at 600$^{\circ}C$ by using Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) with SiH$_4$ gas. After poly Si film deposition at 600$^{\circ}C$, Hf silicide layer was observed between poly Si and Hf-silicate films due to the reaction between active SiH$_4$ gas and Hf-silicate films. After annealing at 900$^{\circ}C$, Hf silicide, formed during the deposition of poly Si, changed to Hf-silicate and the phase separation of the silicate was not observed. In addition, the Hf-silicate films remain amorphous phase.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.117-117
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• 2007

The physical and electrical properties of nitrided Hf-silicate films, incorporated by NO gas annealing, were investigated by XPS, NEXAFS, TEM and C-V measurement. We confirmed the nitrogen incorporation during NO gas annealing treatment effectively enhances the thermal stability of Hf-silicate. The suppression of phase separation was observed in Hf-silicate films with high nitrogen contents. The negative shift of threshold voltage is caused by the incorporation of nitrogen in the hafnium silicate films.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.116-116
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• 2007

We investigated the characteristics of the Hafnium silicate (Hf-silicate) film which is grown by ALD (atomic layer deposition). The Hf-silicate films that were annealed by the RTP. The physical and electrical properties of nitrided Hf-silicate films, incorporated by NO gas and $NH_3$ gas annealing, were investigated by XPS, TEM and I-V measurement. We confirmed the nitrogen incorporation during NO gas annealing treatment effectively enhances the thermal stability of Hf-silicate. The tendency of nitnitridation in NO gas and $NH_3$ is different. Leakage current is improved in post NO gas annealing.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.107-108
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• 2007

In order to investigate the electrical properties of Hf-silicate as a function of annealing temperature, Hf-silicate deposited by atomic layer deposition (ALD) was studied. After Hf-silicate film deposition, annealing was proceeded at $500^{\circ}C\;and\;700^{\circ}C$. The hysteresis of C-V curves and trapping charge densities were decreased after annealing process. As annealing temperature became higher from $500^{\circ}C\;to\;700^{\circ}C$, the capacitance equivalent thickness (CET) was increased from 1.66 nm to 1.76 nm and the leakage current at -1 V was decreased from $1.70{\times}10^{-4}\;to\;5.68{\times}10^{-5}\;A/cm^2$.

• 아시안잔디학회지
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• 제22권2호
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• pp.217-223
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• 2008

본 실험은 규산염(HF) 처리가 골프장 그린의 크리핑 벤트그래스 생육에 미치는 영향을 구명하고자 경기도 용인시 소재 신원컨트리클럽 증식포장에서 2007년 5월부터 2007년 11월까지 수행하였다. 잔디품종은 크리핑 벤트그래스 '펜크로스'이며, 처리내용은 대조구, 규산염(HF) 200배(추천량의 2.5배), 500배(추천량) 및 1,000배(추천량의 0.5배)로 처리하였다. 실험구의 배치는 완전임의배치 법으로 3반복하였으며 뿌리길이, 잔디 분얼경 밀도 및 잔디품질을 각각 조사하였다. 실험결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 뿌리길이는 규산염(HF) 처리구가 대조구보다 평균 $1.5{\sim}1.9cm$ 길었으며 통계적 유의성이 있었다. 특히 잔디생육 불량기인 7월 6일에서 8월 17일의 조사에서는 규산염(HF) 처리구의 뿌리길이는 평균 $7{\sim}8cm$로 대조구 보다 약 2.3cm 더 길었다. 2. 잔디 분얼경 밀도(개/$cm^2$)는 규산염(HF) 처리구가 $18{\sim}22$개로 대조구보다 $0.4{\sim}2.1$개 많은 경향이었으나 통계적 유의성이 없었다. 3. 시각적 잔디 품질 역시 규산염(HF) 처리구가 $5.0{\sim}8.3$으로 대조구보다 $0.3{\sim}1.5$정도 우수하였으나 통계적 유의성은 없었다. 반면 생육적기의 잔디 품질은 대조구와 처리구간 차이가 적은 경향이었다. 이상의 결과를 요약하면 규산염(HF)은 우리나라 골프장 그린에 식재된 크리핑 벤트그래스의 여름철 뿌리길이 생육에는 효과가 있으며, 살포 농도는 200배액에서 1,000배액이 적당한 것으로 판단된다. 그러나 본 실험은 1년 동안 수행된 결과이므로 최근 해마다 변화는 기후에 대한 규산염(HF)의 균일한 효과검정에 관한 연구가 계속되어야 할 것이다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권2호
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• pp.29-35
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• 2004

65 nm급 게이트 유전체로의 $HfO_2$의 적용을 위해 hydrogen-terminate된 Si 기판과 ECR $N_2$ plasma를 이용하여 SiNx를 형성한 기판 위에 MOCVD를 이용하여 $HfO_2$를 증착하였다. $450^{\circ}C$에서 증착시킨 박막의 경우 낮은 carbon 불순물을 가지며 비정질 matrix에 국부적인 결정화와 가장 적은 계면층이 형성되었으며 이 계면층은 Hf-silicate임을 알 수 있었다. 또한 $900^{\circ}C$, 30초간 $N_2$분위기에서 RTA 결과 $HfO_2/Si$의 single layer capacitor의 경우 계면층의 증가로 인해 EOT가 열처리전(2.6nm)보다 약 1 nm 증가하였다. 그러나 $HfO_2/SiNx/Si$ stack capacitor의 경우 SiNx 계면층은 열처리후에도 일정하게 유지되었으며 $HfO_2$ 박막의 결정화로 열처리전(2.7nm)보다 0.3nm의 EOT 감소를 나타내었으며 열처리후에도 $4.8{\times}10^{-6}A/cm^2$의 매우 우수한 누설전류 특성을 가짐을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권5호
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• pp.370-373
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• 2011

We investigated the effects of low temperature ($500^{\circ}C$) $O_2$ annealing on the characteristics of hafnium silicate ($HfSi_xO_y$) films deposited on a Si substrate by atomic layer deposition (ALD). We found that the post deposition annealing under oxidizing ambient causes the oxidation of residual Hf metal components, resulting in the improvement of electrical characteristics such as flat band voltage shift (${\Delta}V_{fb}$) by hysteresis without oxide capacitance reduction. We suggest that post deposition annealing under oxidizing ambient is necessary to improve the electrical characteristics of $HfSi_xO_y$ films deposited by ALD.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2001년도 창립10주년 제20회 학술발표회
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• pp.150-150
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• 2001

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 춘계총회,특별강연,심포지움,연구발표회
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• pp.20.1-20.1
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• 2000

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권3호
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• pp.127-130
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• 2011

We investigated the effects of $O_2$ annealing (i.e., temperature and time) on the characteristics of hafnium silicate ($HfSi_xO_y$) films deposited on a Si substrate by atomic layer deposition process (ALD). We found that the post deposition annealing under oxidizing ambient causes the oxidation of residual Hf metal components, resulting in the improvement of electrical characteristics (e.g., hysteresis window and leakage current are decreased). In addition, we observed the annealing temperature is more important than the annealing time for post deposition annealing. Based on these observations, we suggest that post deposition annealing under oxidizing ambient is necessary to improve the electrical characteristics of $HfSi_xO_y$ films deposited by ALD. However, the annealing temperature has to be carefully controlled to minimize the regrowth of interfacial oxide, which degrades the value of equivalent oxide thickness.