• 제목/요약/키워드: Half-bridge driver IC

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공정 및 공급전압 변화에 강인한 하프브리지 구동 IC의 설계 (Design of a Robust Half-bridge Driver IC to a Variation of Process and Power Supply)

  • 송기남;김형우;김기현;서길수;장경운;한석붕
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권10호
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    • pp.801-807
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    • 2009
  • In this paper, we propose a novel shoot-through protection circuit and pulse generator for half-bridge driver IC. We designed a robust half-bridge driver IC over a variation of processes and power supplies. The proposed circuit is composed a delay circuit using a beta-multiplier reference. The proposed circuit has a lower variation rate of dead time and pulse-width over variation of processes and supply voltages than the conventional circuit. Especially, the proposed circuit has more excellent pulse-width matching of set and reset signals than the conventional circuit. Also, the proposed pulse generator is prevented from fault operations using a logic gate. Dead time and pulse-width of the proposed circuit are typical 250 ns, respectively. The variation ratio is 68%(170 ns) of maximum over variation of processes and supply voltages. The proposed circuit is designed using $1\;{\mu}m$ 650 V BCD (Bipolar, CMOS, DMOS) process parameter, and the simulations are carried out using Spectre simulator of Cadence corporation.

LCD/PDP TV 전원장치용 고전압 구동 IC (High Voltage Driver IC for LCD/PDP TV Power Supply)

  • 송기남;이용안;김형우;김기현;서길수;한석붕
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.11-12
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    • 2009
  • In this paper, we propose a high voltage driver IC(HVIC) for LCD and PDP TV power supply. The proposed circuit is included novel a shoot-through protection and a pulse generation circuit for the high voltage driver IC. The proposed circuit has lower variation of dead time and pulse-width about a variation of a process and a supply voltage than a conventional circuit. Especially, the proposed circuit has more excellent pulse-width matching of set and reset signals than the conventional circuit. Also the proposed pulse generation circuit prevent from fault operations using a logic gate. Dead time and pulse-width of the proposed circuit are typical 250 ns, and its variation is maximum 170 ns(68 %) about a variation of a process and a supply voltage. The proposed circuit is designed using $1\;{\mu}m$ 650 V BCD process parameter, and a simulation is carried out using Spectre.

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잡음 내성이 큰 단일 출력 레벨 쉬프터를 이용한 500 V 하프브리지 컨버터용 구동 IC 설계 (Design of the Driver IC for 500 V Half-bridge Converter using Single Ended Level Shifter with Large Noise Immunity)

  • 박현일;송기남;이용안;김형우;김기현;서길수;한석봉
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권8호
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    • pp.719-726
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    • 2008
  • In this paper, we designed driving IC for 500 V resonant half-bridge type power converter, In this single-ended level shifter, chip area and power dissipation was decreased by 50% and 23.5% each compared to the conventional dual-ended level shifter. Also, this newly designed circuit solved the biggest problem of conventional flip-flop type level shifter in which the power MOSFET were turned on simultaneously due to the large dv/dt noise. The proposed high side level shifter included switching noise protection circuit and schmmit trigger to minimize the effect of displacement current flowing through LDMOS of level shifter when power MOSFET is operating. The designing process was proved reasonable by conducting Spectre and PSpice simulation on this circuit using 1${\mu}m$ BCD process parameter.

최소 변동 및 가변 데드 타임을 갖는 고전압 구동 IC 설계 (Design of High Voltage Gate Driver IC with Minimum Change and Variable Characteristic of Dead Time)

  • 문경수;김형우;김기현;서길수;조효문;조상복
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권12호
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    • pp.58-65
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    • 2009
  • 본 논문에서는 캐패시터로 상승 시간과 하강 시간을 조절하고 슈미트 트리거의 스위칭 전압을 이용한 데드 타임 회로를 갖는 고전압 구동 IC (High Voltage Gate Driver IC)를 설계하였다. 설계된 고전압 구동 IC는 기존 회로와 비교하여 온도에 따 른 데드 타임 변동을 약 52% 줄여 하프브리지 컨버터의 효율을 증대시켰으며 캐패시터 값에 따라 가변적인 데드 타임을 가진다. 또한 숏-펄스 (short-pulse) 생성회로를 추가하여 상단 레벨 쉬프트 (High side part Level shifter)에서 발생하는 전력소모를 기존의 회로에 비해 52% 감소 시켰고, UVLO를 추가하여 시스템의 오동작을 방지하여 시스템의 안정도를 향상시켰다. 제안한 회로를 검증하기 위해 Cadence의 Spectre을 이용하여 시뮬레이션 하였고 1.0um 공정을 이용하였다.

넓은 범위의 ZVS동작을 갖는 LCD Backlight 구동용 Dual Half Bridge Inverter (Zero Voltage Switching(ZVS) Dual Half-Bridge Inverter with Wide Input Voltage Range for LCD Backlight Driver)

  • 정영진;한상규;노정욱;홍성수;사공석진;권기현;이효범
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2007년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.144-146
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    • 2007
  • 본 논문에서는 고효율 LCD Backlight 구동을 위해 주로 사용하던 Phase shift Full bridge 방식을 대신할 수 있는 Dual Half Bridge Inverter를 제안하였다. 제안된 회로는 일반적인 Push-Pull 인버터 구동용 제어 IC의 출력 신호 2개로 스위치 4개를 제어할 수 있으며 넓은 범위의 ZVS(zero voltage switching)을 보장하여 소자 발열 및 효율 상승의 이점을 가진다. 제안된 Inverter Topology를 소개하며 동작모드 해석과 시뮬레이션 및 실험을 통한 검증결과를 제시 한다.

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어드레스 오방전 보상 저가형 플라즈마 디스플레이 패널 TV 구동 시스템 (Cost Effective Plasma Display Panel TV Driving system with an address misfiring compensation circuit)

  • 이강현;이대식
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제18권3호
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    • pp.1-8
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    • 2013
  • 본 논문에서는 최근 3D 콘텐츠의 증가로 다시 주목을 받고 있는 PDP TV를 위한 저가형 구동 시스템을 제안한다. PDP TV의 경우 기체 방전을 이용하여 영상을 표시하는 장치로서 진공 상태의 패널에 수많은 전압을 가하여 플라즈마 상태로 만든 다음 영상 신호에 의하여 영상 및 밝기가 표현된다. 이러한 PDP TV는 많은 전압을 가하기 위하여 3개 전극에 각각 필요한 구동회로 보드가 붙게 되는데, 대 전력을 다루기 때문에 보드 사이즈와 사용되는 소자가 큰 가격을 차지하고 있다. 본 논문에서는 기존의 3개의 보드로 이루어진 구동 시스템을 오방전을 보상하기 위한 어드레스 에너지 회수 구동회로를 포함한 2개 보드로 이루어진 새로운 저가형 PDP TV 구동회로를 제안하고 이를 42인치 HD PDP TV를 통해 검증한다.

잡음 내성이 향상된 300W 공진형 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동 IC 설계 (Design of the Noise Margin Improved High Voltage Gate Driver IC for 300W Resonant Half-Bridge Converter)

  • 송기남;박현일;이용안;김형우;김기현;서길수;한석붕
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권10호
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    • pp.7-14
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    • 2008
  • 본 논문에서는 $1.0{\mu}m$ BCD 650V 공정을 이용하여 향상된 잡음 내성과 높은 전류 구동 능력을 갖는 고전압 구동 IC를 설계하였다. 설계된 고전압 구동 IC는 500kHz의 고속 동작이 가능하고, 입력 전압의 범위가 최대 650V이다. 설계된 IC에 내장된 상단 레벨 쉬프터는 잡음 보호회로와 슈미트 트리거를 포함하고 있으며 최대 50V/ns의 높은 dv/dt 잡음 내성을 가지고 있다. 또한 설계된 숏-펄스 생성회로가 있는 상단 레벨 쉬프터의 전력 소모는 기존 회로 대비 40% 이상 감소하였다. 이외에도 상 하단 파워 스위치의 동시 도통을 방지하는 보호회로와 구동부의 전원 전압을 감지하는 UVLO(Under Voltage Lock-Out) 회로를 내장하여 시스템의 안정도를 향상시켰다. 설계된 고전압 구동 IC의 특성 검증에는 Cadence사의 spectre 및 PSpice를 이용하였다.

$1{\mu}m$ BCD 650V 공정을 이용한 300W 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동IC의 설계 (Design of the High Voltage Gate Driver IC for 300W Half-Bridge Converter Using $1{\mu}m$ BCD 650V process)

  • 송기남;박현일;이용안;김형우;김기현;서길수;한석붕
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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    • pp.463-464
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    • 2008
  • As the demands of LCD and PDP TV are increasing, the high performance HVICs(High Voltage Gate Driver ICs) technology is becoming more necessary. In this paper, we designed the HVIC that has enhanced noise immunity and high driving capability. It can operate at 500KHz switching frequency and permit 600V input voltage. High-side level shifter is designed with noise protection circuit and schmitt trigger. Therefore it has very high dv/dt immunity, the maximum being 50V/ns. The HVIC was designed using $1{\mu}m$ BCD 650V process and verified by Spectre and PSpice of Cadence inc. simulation.

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