• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.250-250
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• 2013

본 연구에서는 차세대 상변화메모리(PCRAM)와 초고속 소자(FET) 등의 응용을 위하여 사용되고 있는 Ge 소재를 제조하기 위해새롭게 전구체를 개발하고 이를 CVD (Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용하여 증착실험을 실시하였다. 새롭게 개발된 Ge 전구체 (isopropyl germane)는 기존 Ge 전구체보다 합성비용이 경제적이며 공정이 간단하고 상업적 생산에도 적합하다는 장점을 갖고 있다. Ge 박막의 증착은 증착압력, 증착온도, reactive gas (H2) 유량, carrier gas(Ar) 유량, 기판(Si, Pt 등) 등을 변수로 하여 실험하였다. 증착된 박막에 대하여 FE-SEM, XRD 등을 통하여 기본적인 물성분석을 실시하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1274-1276
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• 1997

We have investigated the crystallization properties of $Te_x(Sb_{85}Ge_{15})_{100-x}$ (x=0.3, 0.5, 1.0 at.%) thin films as observing the reflectance change, XRD and SEM. The reflectance difference(${\Delta}R$) between amorphous and crystalline phases appears appoximately 20%, in all films, at 780nm(diode laser wavelength). In the case of $Te_{0.5}(Sb_{85}Ge_{15})_{99.5}$ thin film, especially, ${\Delta}R$ is about 30%. Also, amophous-to-crystalline phase change is observed at all films. Therefore, $Te_{0.5}(Sb_{85}Ge_{15})_{99.5}$ thin film can be evaluated as attractive optical recording material with low loss and high contrast ratio.

• 한국철학논집
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• 제27호
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• pp.293-326
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• 2009

중국철학을 대표하는 가장 영향력 있는 학파는 유가(儒家)와 도가(道家)이다. 두 학파는 각기 다른 방식을 통해 현실의 갖가지 문제를 해결하고자 했고 이러한 문제의식 아래 상이한 이론체계를 세운다. 다만 중국철학의 발전을 살펴보면 이러한 상이한 이론을 하나의 체계 속에 엮으려는 다양한 시도가 전개되었다. 대표적으로 위진(魏晋)시기 현학(玄學)에서는 자연(自然)과 각수(名敎)의 관계를 토론하며 유도(儒道) 두 학파의 관계 설정에 골몰한다. 동진(東晋)시기의 지식인들은 바로 전대(前代)의 이러한 정신을 이어서, 직접적 방식으로 유도(儒道) 두 학파의 관계 설정에 대한 다양한 이론을 펼친다. 본 논문은 동진(東晋)시기 유도(儒道)관계론의 대표적 학자로 원굉(袁宏)과 갈홍(葛洪)의 이론을 살펴본다. 원굉(袁宏)은 명교(名敎)의 효용성과 가치를 충분히 긍정하면서, 다만 명교(名敎)의 근본과 근거 찾기에 골몰하여 전대(前代) 자연(自然)과 명교(名敎)의 관계 문제를 적극적으로 수용한다. 동시에 한 걸음 더 나아가 '도본유용(道本儒用)'의 관점을 제시한다. 갈홍(葛洪)은 신선도교(神仙道敎)의 입장에서 유도(儒道) 두 학파의 관계 및 두 학파 이론의 직접적 비교를 통해 '도본유말(道本儒末)'의 이론을 정립한다. 이들의 이론은 근본과 작용, 근본과 말단의 관계 설정으로 유가와 도가 두 학파의 관계를 설정하는 동시에, 자연(自然)과 명교(名敎)의 관계 문제를 보다 심층적 방식으로 이론적 접근을 꾀함으로써, 향후 중국철학에서 유가와 도가의 상호 보완이라는 문제의식에 상당한 공헌을 했다고 평가할 수 있다.

• 동의신경정신과학회지
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• 제24권3호
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• pp.281-292
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• 2013

Objectives : A growing body of evidence has suggested that the dysfunction of glutamatergic systems plays a pivotal role in major depressive disorder (MDD). This study was performed to investigate the antidepressant-like effects of the ethanolic extract of Gastrodia elata Bl (GE) in mouse models and to investigate the role of ${\alpha}$-amino-3-hydroxy-5-methyl-4-isoxazole-propionic acid (AMPA) receptors in producing these antidepressant-like effects. Methods : The forced swim test (FST) and tail suspension test (TST) were used to investigate GE's behavioral effects in mice. Additional biochemical and behavioral experiments with NBQX, an AMPA receptor antagonist, were undertaken to determine whether the antidepressant-like properties of GE are involved in AMPA receptor throughput. Results : Oral administration of GE extract (1,600 mg/kg) 1h prior to testing significantly reduced the immobility times in the FST and TST. These antidepressant-like effects of GE extract were increased dose-dependently. Pre-treatment with NBQX significantly attenuated the reduction in immobility time induced by the GE extract in the FST and TST. Conclusions : The ethanolic extract of GE may exert antidepressant-like effects with involvement of AMPA receptor.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.133-136
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• 2001

In this paper, we investigated the diffraction efficiency of polarization holography using by amorphous $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ multi-layer thin films by He-Ne laser. Multi-layer structures were formed by alternating a layer of meta1(Ag) and chalcogenide( $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ ). The holographic grating in these thin flims has been formed using a linealy polarized He-Ne laser light (633nm). The diffraction efficiency was investigated the two sample of $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}-7$ layers and $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}-15$ layers. As the results, we found that the diffraction efficiency of $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}-7$ layers and $Ag/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}-15$ layers were 1.7% and 2.5% respectively.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권2호
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• pp.45-50
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• 2020

We investigated the Si_1-xGe_x surface properties when dry cleaning the films using NF₃ / H₂O remote plasma. After the dry cleaning process, it was found that about 80-250 nm wide bumps were formed on the SiGe surface regardless of Ge concentration in the rage of x = 0.1 ~ 0.3. In addition, effects of the dry cleaning processing parameters such as pressure, substrate temperature, and H₂O flow rates were examined. It was found that the surface bump is significantly dependent on the flow rate of H₂O. Based on these observations, we would like to provide additional guidelines for implementing the dry cleaning process to SiGe materials.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.133-136
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• 2001

In this paper, we investigated the diffraction efficiency of polarization holography using by amorphous Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/ multi-layer thin films by He-Ne laser. Multi-layer structures were formed by alternating a layer of metal(Ag) and chalcogenide(As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/). The holographic grating in these thin films has been formed using a lineally polarized He-Ne laser light (633nm). The diffraction efficiency was investigated the two sample of Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-7 layers and Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-15 layers. As the results, we found that the diffraction efficiency of Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-7 layers and Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/-15 layers were 1.7% and 2.5% respectively

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권8호
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• pp.491-496
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• 2014

The resistive switching characteristics of resistive random access memory (ReRAM) based on amorphous $Ge_{0.5}Se_{0.5}$ thin films have been demonstrated by using Ti/Ag nanocrystals/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt structure. Ag nanocrystals (Ag NCs) were spread on the amorphous $Ge_{0.5}Se_{0.5}$ thin film and they played the role of metal ions source. As a result, comparing the conventional Ag/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt structure, this Ti/Ag NCs/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt ReRAM device exhibits the highly uniform bipolar resistive switching (BRS) characteristics, such as the operating voltages, and the resistance values. At the same time, a stable DC endurance(> 100 cycles), and the excellent data retention (> $10^4$ sec) properties were found from the Ti/Ag NCs/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt structured ReRAM device.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.118-119
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• 2006

In the present work, we investigate the basic physical and thermal properties and electrical resistance change due to phase change in chalcogenide-based $Ge_1Se_1Te_2$ and $Ge_2Se_2Te_5$ thin films. The phase transition from amorphous to crystalline states, and vice versa, of $Ge_1Se_1Te_2$ and $Ge_2Se_2Te_5$ thin films by applying electrical pulses have been studied. The reversible phase transition between the amorphous and crystalline states, which is accompanied by a considerable change in electrical resistivity, is exploited as means to store bits of information.

• 한국철학논집
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• 제42호
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• pp.165-195
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• 2014

이 글의 목표는 양웅(揚雄)과 갈홍(葛洪)의 '현(玄)' 개념을 우주구조에 관한 이론을 중심으로 살펴보는 것이다. 고대 중국의 우주구조론은 '천(天)'에 대한 이해로부터 출발하여, 천체의 구조, 천지의 구조 및 위치관계 등의 문제를 통해 한대(漢代)에 그 이론이 체계적으로 정립되었다. 다만 중국 전통시기의 우주구조에 관한 논의는 대부분 천문(天文)과 역법(曆法)을 통해 발전했듯이, 인간의 관점에서 인간사를 해명하기 위해 전개되었다. 양웅과 갈홍 또한 이러한 맥락에서 각자의 우주구조론 체계를 정립하는데, 그 특징은 다음과 같다. 첫째, 양웅은 우주구조론가운데 개천설(蓋天說)을 비판하며 혼천설(渾天說)을 수용하여 발전시켰고, 갈홍은 혼천설을 지지하는 가운데 선야설(宣夜說)의 일부 논의를 수용하였다. 둘째, 양웅과 갈홍의 우주구조론은 그들의 우주생성론의 이론적 출발점이다. 천체의 구조와 천지의 위치관계를 다루는 우주구조론을 중심으로, 그들은 각자 우주만물 생성의 근원과 생성과정에 대한 논의를 전개한다. 이 과정에서 두 학자 모두 '현(玄)' 개념을 중심축으로 하여 우주론 체계를 건립하였다. 셋째, 양웅과 갈홍의 우주구조론은 그들 철학체계를 지탱하는 이론적 전제가 된다. 양웅은 우주구조에 관한 논의를 통해 천도(天道)와 인사(人事)의 관계를 모색하고, 갈홍은 우주구조론을 활용하여 신선도교 이론체계를 정립한다. 이처럼 양웅과 갈홍의 우주구조론은 우주생성론과 함께 우주론체계의 중요 구성 요소가 되며, 두 학자 모두 '현' 개념 중심의 우주구조론과 우주생성론을 바탕으로 각자의 철학체계를 정립하였다.