• 제목/요약/키워드: Gate Drive IC

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상단락 방지용 모듈을 구동하기 위한 게이트 구동 IC (A Gate Drive IC for Power Modules with Shoot-through Immunity)

  • 서대원;김준식;박시홍
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권7호
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    • pp.580-583
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    • 2009
  • This paper introduces a gate drive IC for power modules with shoot-through immunity. A new approach uses a bootstrap diode as a high-side voltage bias and a level shift function at the same time. Therefore, the gate drive circuit becomes a simple and low-cost without conventional level shift functions such as HVIC(High-Voltage IC), optocoupler and transformer. The proposed gate drive IC is designed and fabricated using the Dongbu-Hitek's 0.35um BD350BA process. It has been tested and verified with IGBT modules.

상단락 방지용 모듈을 구동하기 위한 게이트 구동 IC (A Gate Drive IC for Power Modules with Shoot-Through Immunity)

  • 서대원;김준식;박시홍
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.81-82
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    • 2009
  • This paper introduces a gate drive IC for power modules with shoot-through immunity. A new approach uses a bootstrap diode as a high-side voltage bias and a level shift function at the same time. Therefore, the gate drive circuit becomes a simple and low-cost without conventional level shift functions such as HVIC(High-Voltage IC), optocoupler and transformer. The proposed gate drive IC is designed and fabricated using the Dongbu-Hitek's 0.35um BD350BA process. It has been tested and verified with IGBT modules.

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고전력 절연 게이트 소자의 구동 및 보호용 파워 IC의 설계 (A Design of Gate Drive and Protection IC for Insulated Gate Power Devices)

  • 고민정;박시홍
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권3호
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    • pp.96-102
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    • 2009
  • 본 논문에서는 600V/200A 또는 1200V/150A와 같은 고전력 절연 게이트 소자를 구동 및 보호하기 위한 파워 IC에 대한 연구에 대해서 살펴보았다. 고전력 소자의 구동을 위해서 최대 Sourcing 전류 4A, 최대 Sinking 전류 8A로 설계하였으며, 과전류 보호회로로는 전력소자의 드레인(콜렉터) 전압을 측정하여, Desaturation을 검출하는 방식을 사용하였다. 또한 과전류 보호시 기생 인덕턴스에 의해 발생할 수 있는 과전압을 억제하기 위해서 soft-shutdown 기능을 추가하였다. 제안된 게이트 구동 IC는 동부하이텍의 고전압 BCDMOS 공정인 0.35um BDA350 공정과 PDK를 사용하여 설계 및 제작하여 검증하였다.

Infineon Drive IC solution with 1EDS-SRC(Slew Rate Control)

  • Lee, Clark
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2017년도 전력전자학술대회
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    • pp.598-599
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    • 2017
  • In motor application, High efficiency is important. So Design engineer select small gate resistor for lower switching. But There is side effect with small gate resistor. It makes large dv/dt and system request large EMI filter. It makes price increase. This paper introduce about gate drive IC which have solution both of lower loss and EMI issue.

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최소 변동 및 가변 데드 타임을 갖는 고전압 구동 IC 설계 (Design of High Voltage Gate Driver IC with Minimum Change and Variable Characteristic of Dead Time)

  • 문경수;김형우;김기현;서길수;조효문;조상복
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권12호
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    • pp.58-65
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    • 2009
  • 본 논문에서는 캐패시터로 상승 시간과 하강 시간을 조절하고 슈미트 트리거의 스위칭 전압을 이용한 데드 타임 회로를 갖는 고전압 구동 IC (High Voltage Gate Driver IC)를 설계하였다. 설계된 고전압 구동 IC는 기존 회로와 비교하여 온도에 따 른 데드 타임 변동을 약 52% 줄여 하프브리지 컨버터의 효율을 증대시켰으며 캐패시터 값에 따라 가변적인 데드 타임을 가진다. 또한 숏-펄스 (short-pulse) 생성회로를 추가하여 상단 레벨 쉬프트 (High side part Level shifter)에서 발생하는 전력소모를 기존의 회로에 비해 52% 감소 시켰고, UVLO를 추가하여 시스템의 오동작을 방지하여 시스템의 안정도를 향상시켰다. 제안한 회로를 검증하기 위해 Cadence의 Spectre을 이용하여 시뮬레이션 하였고 1.0um 공정을 이용하였다.

부트스트랩 회로를 적용한 3-레벨 NPC 인버터의 저속 운전을 위한 PWM 스위칭 전략 (A PWM Control Strategy for Low-speed Operation of Three-level NPC Inverter based on Bootstrap Gate Drive Circuit)

  • 정준형;구현근;임원상;김욱;김장목
    • 전력전자학회논문지
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    • 제19권4호
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    • pp.376-382
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    • 2014
  • This paper proposes the pulse width modulation (PWM) control strategy for low-speed operation in the three-level neutral-point-clamped (NPC) inverters based on the bootstrap gate drive circuit. As a purpose of the cost reduction, several papers have paid attention to the bootstrap circuit applied to the three-level NPC inverter. However, the bootstrap gate driver IC cannot generate the gate signal to the IGBT for low-speed operation, because the bootstrap capacitor voltage decreases under the threshold level. For low-speed operation, the dipolar and partial-dipolar modulations can be the effective solution. However, these modulations have drawbacks in terms of the switching loss and THD. Therefore, this paper proposes the PWM control strategy to operate the inverter at low-speed and to minimize the switching loss and harmonics. The experimental results are presented to verify the validity on the proposed method.

Gate 구동 회로를 집적한 TFT-LCD에서 a-Si:H TFT Instability의 영향 (Effect of a-Si:H TFT Instability on TFT-LCD Panel with Integrated Gate Driver Circuits)

  • 이현수;이준신;이종환
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.172-175
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    • 2005
  • a-Si TFT는 TFT-LCD의 화소 스위칭(swiching) 소자로 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 a-Si을 이용하여 gate drive IC를 기판에 집적하는 기술이 연구, 적용되고 있는데 이때 가장 큰 제약은 문턱 전압의 이동이다. 펄스(pulse)형태로 인가되는 gate 전압에 의한 문턱 전압 이동은 a-Si:H gate에 인가되는 펄스의 크기, duty cycle, drain pulse의 크기 및 동작 온도에 기인하며 실험결과를 통해 입증된다. 초기의 DC Stress 측정 Data를 이용하여 문턱전압이동을 모델링/시뮬레이션한 결과 a-Si:H gate 회로설계 및 펄스 조건에 따라 stress시간에 따른 gate의 출력 파형 예측이 가능하고 상온에서 Von=21V를 인가한 결과, 약 4년후에서 시프트레지스터 출력 파형이 열화되기 시작한다.

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High-Performance Metal-Substrate Power Module for Electrical Applications

  • Kim, Jongdae;Oh, Jimin;Yang, Yilsuk
    • ETRI Journal
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    • 제38권4호
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    • pp.645-653
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    • 2016
  • This paper demonstrates the performance of a metal-substrate power module with multiple fabricated chips for a high current electrical application, and evaluates the proposed module using a 1.5-kW sinusoidal brushless direct current (BLDC) motor. Specifically, the power module has a hybrid structure employing a single-layer heat-sink extensible metal board (Al board). A fabricated motor driver IC and trench gate DMOSFET (TDMOSFET) are implemented on the Al board, and the proper heat-sink size was designed under the operating conditions. The fabricated motor driver IC mainly operates as a speed controller under various load conditions, and as a multi-phase gate driver using an N-ch silicon MOSFET high-side drive scheme. A fabricated power TDMOSFET is also included in the fabricated power module for three-phase inverter operation. Using this proposed module, a BLDC motor is operated and evaluated under various pulse load tests, and our module is compared with a commercial MOSFET module in terms of the system efficiency and input current.

IGBT full-bridge dc-dc 변환기를 이용한 전동지게차의 주행제어 시스템 개발 (A Design of the drive speed control system using IGBT full-bridge dc-dc converter for the battery fork-lift truck.)

  • 전순용;박성기
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.1176-1178
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    • 1992
  • This paper shows enhanced working performance of the battery fork-lift truck by developing the IGBT full bridge dc-dc convertor using one-chip micro-processor. The PWM pulse is generated from a 16 bit one-chip micro-processor for the speed control of DC motor. In order to ensure the operation of IGBT and motor pecewisely, IGBT gate drive circuit was designed by using current limiting IC and hige voltage limit IC. And also It is able to regenerative braking.

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Sensorless Sine-Wave Controller IC for PM Brushless Motor Employing Automatic Lead-Angle Compensation

  • Kim, Minki;Heo, Sewan;Oh, Jimin;Suk, Jung-Hee;Yang, Yil Suk;Park, Ki-Tae;Kim, Jinsung
    • ETRI Journal
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    • 제37권6호
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    • pp.1165-1175
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    • 2015
  • This paper presents an advanced sensorless permanent magnet (PM) brushless motor controller integrated circuit (IC) employing an automatic lead-angle compensator. The proposed IC is composed of not only a sensorless sine-wave motor controller but also an isolated gate-driver and current self-sensing circuit. The fabricated IC operates in sensorless mode using a position estimator based on a sliding mode observer and an open-loop start-up. For high efficiency PM brushless motor driving, an automatic lead-angle control algorithm is employed, which improves the efficiency of a PM brushless motor system by tracking the minimum copper loss under various load and speed conditions. The fabricated IC is evaluated experimentally using a commercial 200 W PM brushless motor and power switches. The proposed IC is successfully operated without any additional sensors, and the proposed algorithm maintains the minimum current and maximum system efficiency under $0N{\cdot}m$ to $0.8N{\cdot}m$ load conditions. The proposed IC is a feasible sensorless speed controller for various applications with a wide range of load and speed conditions.