This research proposes a new rectifier circuit to reduce the circulating current of a phase-shifted full bridge converter. The proposed circuit is a structure in which the output inductor of the secondary rectifier circuit is changed to a coupled inductor in the phase-shifted full bridge with the existing center-tapped rectifier. The parts are rearranged after adding a diode. After applying the proposed circuit, the circulating current to the primary current of the transformer and the voltage stress of the rectifier diode on the secondary side of the transformer are reduced. Accordingly, the snubber loss of the rectifier is improved. By reducing the circulating current and snubber loss, the circuit achieves higher efficiency than conventional circuits. In this research, we present the structure of the proposed circuit, its strengths, and the analysis results from experiments. Furthermore, its effectiveness is verified through the experimental results of a prototype converter with an input of 300-400 V and an output of 50 V/1 kW.
This paper is research result for a development of sapphire silicon ingot glowing(SSIG) PWM converter system for 80kW 10kA. The system include 3-phase AC-DC diode rectifier of input voltage AC 380V and 60Hz, DC-AC single phase full bridge PWM inverter of high frequency, AC-DC single-phase full wave rectifier using center-tapped of transformer for low voltage 8.0V and large current 10,000A of output specification, tungsten resistor load 0.1[$m{\Omega}$]. PWM switching frequency for IGBT inverter control set 30kHz. The suggested researching contents are designed data sheets of power converter system, PSIM simulation, operating characteristics and analysis results of developed SSIG system. This paper propose
The two-transformer full bridge (TTFB) PWM converter has two transformers which act as the output inductor as well as the main transformer, i.e. as the forward and the flyback transformer. Although the doubled leakage inductor of the TTFB makes it easier to achieve the zero-voltage switching (ZVS) of the lagging leg switch along the wide load range, it instigates a serious voltage ringing in the secondary rectifier diodes, which would require the dissipative snubber circuit, cause the serious power dissipation, and increase the voltage stress across those diodes. To overcome these problems, a, new lossless diode-clamp rectifier (LDCR) is employed as the output rectifier, which helps the voltage across rectifier diodes to be clamped on a half the output voltage $(V_o/2)$ or the output voltage $(V_o)$. Therefore, no dissipative snubber for rectifier diodes is needed and a high efficiency as well as low noise output voltage can be realized. The operations, analysis and design consideration of proposed converter are presented in this paper. To verify the validity of the proposed converter, experimental results from a 425W, 385-170Vdc prototype for the plasma display panel (PDP) sustaining power module (PSPM) are presented.
Power losses of a 1-stage DC-DC converter and 2-stage DC-DC converter are compared in this paper. A phase-shift full-bridge DC-DC converter is considered as 1-stage topology. This topology has disadvantages in the stress of rectifier diodes because of the resonance between the leakage inductor of the transformer and the junction capacitor of the rectifier diode. 2-stage topology is composed of an LLC resonant full-bridge DC-DC converter and buck converter. The LLC resonant full-bridge DC-DC converter does not need an RC snubber circuit of the rectifier diode. However, there is the drawback that the switching loss of the buck converter is large due to the hard switching operation. To reduce the switching loss of the buck converter, SiC MOSFET is used. This paper analyzes and compares power losses of two topologies considering temperature condition. The validity of the power loss analysis and calculation is verified by a PSIM simulation model.
The purpose of this paper is to analyze losses because of switching devices and the secondary side circuit diodes of 500 W full bridge dc-dc converter by applying gallium nitride (GaN) field-effect transistor (FET), which is one of the wide band gap devices. For the detailed device analysis, we translate the specific resistance relation caused by the GaN FET material property into algebraic expression, and investigate the influence of the GaN FET structure and characteristic on efficiency and system specifications. In addition, we mathematically compare the diode rectifier circuit loss, which is a full bridge dc-dc converter secondary side circuit, with the synchronous rectifier circuit loss using silicon metal-oxide semiconductor (Si MOSFET) or GaN FET, which produce the full bridge dc-dc converter analytical value validity to derive the final efficiency and loss. We also design the heat sink based on the mathematically derived loss value, and suggest the heat sink size by purpose and the heat divergence degree through simulation.
In this paper, a three-phase induction machine-based wind power generation scheme is proposed. This scheme uses a low-cost diode bridge rectifier circuit connected to an induction machine via an ac load voltage regulator (AC-LVR) to regulate dc power transfer. The AC-LVR is used to regulate the DC load voltage of the diode bridge rectifier circuit which is connected to the three-phase self-excited induction generator (SEIG). The excitation of the three-phase SEIG is supplied by the static VAR compensator (SVC). This simple method for obtaining a full variable-speed wind turbine system by applying a back-to-back power converter to a wound rotor induction generator is useful for wind power generation at widely varying speeds. The dynamic performance responses and the experimental results of connecting a 5kW 220V three-phase SEIG directly to a diode bridge rectifier are presented for various loads. Moreover, the steady-state simulated and experimental results of the PI closed-loop feedback voltage regulation scheme prove the practical effectiveness of these simple methods for use with a wind turbine system.
This paper is research result for a development of solar cell silicon ingot glowing(SCSIG) PWM converter system for 120[kW] 3[kA]. The system include 3-phase AC-DC rectifier diode converter of input voltage AC 460[V] and 60[Hz], DC-AC single phase full bridge PWM inverter of high frequency, AC-DC single-phase full wave rectifier using center-tapped of transformer for low voltage 50[V] and large current 3,000[A], carbon resistor load 0.2 [$m{\Omega}$]. PWM switching frequency for IGBT inverter control set 15KHz. The suggested researching contents are designed data sheets of power converter system, PSIM simulation, operating characteristics and analysis results of developed SCSIG system.
PDP 유지전원단을 위한 고효율을 갖는 새로운 페이지 쉬프트 풀브릿지 컨버터를 제안한다. 제안된 컨버터는 Rectifier로 Voltage Doubler를 사용함으로서, 큰 사이즈의 Output Inductor가 없게 되어 간단한 구조를 가지게 되며 Rectifier Diodes의 전압 스트레스가 출력전압으로 클램핑되어서 스너버회로가 필요없다는 장점을 가지게 된다. 또한 넓은 영전압 스위칭 구간을 가지며, 트랜스포머의 기생성분인 Leakage 인덕터와 Voltage doubler의 캐패시터간의 공진을 이용함으로서 전류가 작은 RMS값을 가지게 되어서 낮은 도통손실과 Rectifier Diode의 전류 스트레스 또한 낮다는 장점을 가지게 된다. 본 논문을 통해 제안된 컨버터의 동작원리와 해석, 실험을 수행하였다.
Two AC-DC PWM full-bridge converters that can input current to improve input power factor while performing dc-dc conversion are investigated in this paper. Both converters are simple in that they are similar to the standard PWM full-bridge converter with a diode rectifier/LC low-pass filter input, and both can operate with a simple method of PWM control. In the paper, the operation of the converters is explained and their steady-state characteristics are discussed. The feasibility of the converters and their ability to meet EN61000-3-2 Class D Standards for electrical equipment are shown with results obtained from experimental prototypes. The performance of both converters in terms of dc bus voltage level, input power factor and efficiency is compared and discussed.
Ha, Sung-Hyun;Kim, Chang-Il;Kim, Soo-Wook;Nam, Jing-Rak;Mun, Sang-Pil
조명전기설비학회논문지
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제22권3호
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pp.15-26
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2008
This paper proposes a new sinusoidal rectifier which improves input factor and input current waveform without complicated switching modulation such as pulse width or a complicated feed back control. The proposed rectifier consists of a pair of capacitors connected in series, a full bridge diode rectifier, a pair of inductors, and a pair of switching devices connected in series. While the configuration of the sinusoidal rectifier is simple in itself, it effectively reduces the reactive power and harmonics involved(IEC555-2 SC77A90 Class C) in input line current. The excellent properties of the new sinusoidal rectifier are verified by theoretical analysis and experimental results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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