• Nuclear Engineering and Technology
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• 제53권9호
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• pp.2982-2989
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• 2021

One of the consequences of the 475 ℃ embrittlement of duplex stainless steels is the reduction of the resistance to localized corrosion. Therefore, the detection of this type of embrittlement before the material exhibits significant loss in toughness, and corrosion resistance is important to ensure the structural integrity of critical components under corrosion threats. In this research, conductivity measurements are performed using the alternating current potential drop (ACPD) technique with using a portable four-point probe as a nondestructive evaluation (NDE) method for detecting the embrittlement in a 2507 (UNS S32750) super duplex stainless steel (SDSS) aged at 475 ℃ from as-received condition to 300 h. The electric conductivity results were compared against two electrochemical tests namely double loop electrochemical potentiokinetic reactivation (DL-EPR) and critical pitting temperature (CPT). Mechanical tests and the microstructure characterized using scanning electron microscopy (SEM) imaging are conducted to track the progress of embrittlement. It is shown that the electric conductivity correlates with the changes in impact energy, microhardness, and CPT corrosion tests result demonstrating the feasibility of the four-point probe as a possible field-deployable method for evaluating the 475 ℃ embrittlement of 2507 SDSS.

• 한국재료학회지
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• 제10권9호
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• pp.601-606
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• 2000

Ni mono-silicide는 선폭이 0.15$\mu\textrm{m}$이하에서도 전기저항이 커지는 현상이 없고 Ni와 Si이 1:1로 반응하기 때문에 얇은 실리사이드의 제조가 가능하고 도펀트의 재분포 현상을 감소시킬수 있다. 따라서 0.15$\mu\textrm{m}$급 이하 디바이스에 사용이 기대되는 NiSi의 제조를 위한 Ni 박막의 증착조건 확보와 열처리 조건에 따른 NiSi의 기초 물성조사를 수행하였다. Ni mono-silicide는 sputter의 물리적 증착방법으로 Ni 박박을 증착후 관상로를 상용하여 $150~1000^{\circ}C$ 온도 범위에서 제조하였다. 그후 SPM을 이용하여 각 시편의 표면조도를 측정하였고, 미세구조와 성분분석은 EDS가 장착된 TEM을 사용하여 측정하였다. 각 열처리 온도별 생성상의 전기적 성질은 4 point probe로 측정하였다. 본 연구의 결과, SPM은 비파괴 방법으로 NiSi가 NiSi$_2$로 변태되었는지 확인할 수 있는 효과적인 공정모니터링 방법임을 확인하였고, $800^{\circ}C$이상 공온 열처리에 잔류 Ni의 산화방지를 의해 산소분압의 제어가 $Po_2$=1.5$\pm$10(sup)-11색 이하가 되어야 함을 알 수 있었으며, 전지적 특성실험으로부터 본 연구에서 제조된 박막의 NiSi$\longrightarrow$NiSi$_2$ 상태변온도는 $700^{\circ}C$라고 판단되었다.

• 한국음향학회지
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• 제13권3호
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• pp.41-50
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• 1994

이 연구에서는 3차원 음향 인텐시티를 동시에 측정할 수 있는 프로브를 이용하여 음향 인텐시티를 측정할 때 필연적으로 발생하는 오차를 컴퓨터의 수치계산으로 검토하였다. 이 3차원 음향 인텐시티 프로브는 Suzuki등에 의해 제안된 4개의 마이크로폰으로 구성된 것이고, 수치계산에서는 이상적인 점음원과 유한 크기를 가지는 면음원에 대해서 프로브의 각 축방향 및 임의의 방향에 대한 측정오차를 근거리 음장에서 분석하였다. 그 결과, 점음원의 경우 측정거리가 프로브를 구성하는 마이크로폰 사이의 간격보다 약 2.5배 이상 떨어진 거리에서 오차 1dB 이하의 정밀한 측정을 할 수 있었고, 유한 크기의 면음원의 경우, 면음원의 한 변의 길이가 0.02m이상일 때 근거리 음장의 측정오차가 크게 감소하기 시작하여, 한 변의 길이가 0.2m일 때 측정거리가 마이크로폰 사이의 간격보다 0.67배로 근접하여 측정하여도 1dB 이하의 정밀한 측정이 가능한 것으로 평가되어 이 프로브의 근거리 음장 측정의 유효성이 확인되었다.

• 한국음향학회지
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• 제29권8호
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• pp.476-482
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• 2010

전체 192개의 압전소자 중 64개를 동시 구동하여 빔을 형성하는 중심주파수 3.5 MHz인 선형배열 의료용 초음파프로브를 대상으로 일부의 압전소자가 결함으로 인해 동작하지 않을 때의 과도음장 및 점 표적에 대한 초음파 B-모드 영상을 시뮬레이션하여 정상 초음파프로브의 것과 비교 분석하였다. 그 결과, 결함소자의 수가 한 개에서 네 개로 증가함에 따라 주엽이 만드는 음장의 최대음압준위 및 그 -3 dB 폭은 정상일 때에 비해 선형적으로 감소하나, 초점심도는 거의 변화가 없고, 부엽에 의한 음장의 음압준위 상승으로 인해 주엽과 부엽과의 음압 차이는 감소하는 경향을 보였다. 이와 같은 음압준위의 변화는 점 표적에 대한 B-모드 영상에 영향을 주어 표적의 좌우에 허상을 만들며, 축 방향의 공간분해능은 거의 일정하나 측 방향으로는 다소 감소하는 경향을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.929-930
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• 2007

박막재료 및 반도체의 면저항 측정에는 주로 Four Point Probe(FPP) 원리를 이용한 측정기를 사용하고 있다. FPP에 의한 측정방식은 single 및 dual configuration method가 있으며, dual configuration은 single configuration에 비해 probe spacing 변화나 시료의 가장자리 효과 등에서 측정편차가 적은 장점이 있어서 dual configuration 기술을 사용하는 추세이다. 개발된 휴대용 면저항 측정기는 dual configuration원리를 적용하여 제작되었으며, 박막재료의 면저항을 누구나 쉽고 정확하게 측정할 수 있도록 설계되었다. 또한 시료의 크기가 핀 간격에 비해 5배 이상 크면 보정계수를 거의 무시할 수 있는 장점이 있어 작은 시료라도 정확한 면저항을 측정할 수 있다. 이측정기의 측정 불확도는 지시값의 1 % 이하이고, 측정범위는 (2$\sim$2000)$\Omega/sq$이다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2001년도 ICCAS
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• pp.163.2-163
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• 2001

Confocal scanning microscopy (CSM) has been reported as an excellent method using the optical probe in scanning probe microscopy (SPM). Transmission or reflection confocal scanning microscopy (TCSM, RCSM) has been used in the three-dimensional reconstruction of specimen or the non-destructive measurement in vivo. The axial movement of the primary focal point having the information of specimen gives a good measurement performance with the great sensitivity. Application of the confocal theory and astigmatism to displacement measurement sensor uses the aperture as the pinhole or slit after collecting lens relating to confocal response in non-contact measurement; and astigmatic lens using four-segments detector as short-range sensor, long-range one combining the grating and rotary one hating the rotary directional grating. The aperture type can play an ...

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 춘계종합학술대회
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• pp.303-306
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• 2001

본 연구는 테라헤르츠 시간영역 분광법 (THz time-domain spectroscopy : THz-TDS)을 이용하여 광학 및 전기 전자 재료로 널리 사용되는 이산화규소의 흡수율과 도전율을 각각 테라헤르츠 주파수 영역에서 측정하였다. 입자 형태로 구성된 이산화규소의 재료는 기존의 접촉식인 Hall 측정이나 4-point probe 측정으로는 그 전기적 특성 분석이 불가능하지만, THz-TDS 방법은 비접촉식 방법으로 전기적 특성뿐만 아니라 광학적 특성 분석도 가능하다. 또한 기존의 전기적 폭정 장치는 DC 영역에서만 가능하지만, 본 방법은 테라헤르츠 주파수 영역에 따른 그 특성을 분석 할 수 있다. 특히 도전율은 금속 및 반도체와 달리 테라헤르츠 주파수가 증가함에 따라 증가하였는데, 이러한 결과는 Drude 이론을 따르지 않음을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제5권1호
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• pp.54-61
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• 1996

Indium-tin oxide (ITO) films were deposited on the glass substrate by the reactive -ionized cluster beam deposition(ICBD) method. In the oxygen atmosphere, indium cluster formed through the nozzle is ionized by the electron bombardment and is accelerated to be deposited on the substrate. And tin is simultaneoulsy evaporated from the boron-nitride crucible. The chracteristics of films were examined by the X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), glancing angle X-ray diffractrion(GXRD) and the electrical properties. were measured by 4-point-probe and Hall effect measurement system . From the XPS spectrum , it was found that indium and tin atoms combined with the oxygen to form oxide$(In_2O_3, SnO_2)$. In the case of films with high tin-concentration, the GXRD spectra show that the main $In_2O_3$ peak of (222) plane, but also sub peaks((440) peak etc.) and $SnO_2$ peaks were detected. From that results, itis concluded that the heavily dopped tin component (more than 14 at. %) disturbs to form $In_2O_3$(222) phase. Four-point-probe and Hall effect measurement show that, in the most desirable case, the transmittance of the films is more then 90% in visible range and its resistivity is $$\rho$=3.55 \times10^{-4}\Omega$cm and its mobility is $\mu$=42.8 $\textrm{cm}^2$/Vsec.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.373-373
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• 2012

We fabricated conductive zinc oxide (ZnO) thin film at low temperature by UV-enhanced atomic layer deposition. The atomic layer deposition relies on alternate pulsing of the precursor gases onto the substrate surface and subsequent chemisorption of the precursors. In this experiment, diethylzinc (DEZ) and $H_2O$ were used as precursors with UV light. The UV light was very effective to improve the conductivity of the ZnO thin film. The thickness, transparency and resistivity were investigated by ellisometry, UV-visible spectroscopy and Four-point probe.

• 한국진공학회지
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• 제4권S1호
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• pp.81-86
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• 1995

Aluminum has been deposited selectively on TiN surfaces in the presence of Si, SiO2 from Dimethyethylamine Alane(DMEAA). The film properties of the deopsited AI film were determined by various methods(SEM, Auger, UV-photospectrometer, Four point-probe, XRD). The effect of in-situ H2 plasma precleaning was studied. The effect of gap distance, pressure and temperature on the properties(crystallinity, resistance, grain size, morphology) of AI film and on the growth rates was investigated. It was found that the plasma precleaning promotes the growth rate and there exists optimum thmperature for maximum growth rate.