• 한국진공학회지
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• 제17권4호
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• pp.346-352
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• 2008

Eu을 이온주입한 GaN 시료에 대하여 Eu의 site들에 대한 연구와 Mg을 같이 도핑하였을 때의 효과를 분석하였다. 빨간색 광원으로 주목받는 620nm 근처의 Eu의 $^5D_0\;{\rightarrow}\;^7F_2$ 전이에 대하여 photoluminescence (PL) 와 PL 여기 분광법을 이용하여 GaN 내에서 Eu 이온이 자리하는 이미 알려진 2 개의 site 이외에도 2 종류의 site들이 있음을 확인하였다. 이들 중 한 site는 Mg의 codoping에 의하여 PL 크기가 약 1.6배 증가하였다. 이는 GaN의 밴드갭보다 작은 trap에 의해 에너지를 전달받는 Er이나 Nd보다 Mg의 도핑에 의한 효과가 매우 작은 것이다. GaN:Eu에서는 Mg과 관련된 trap을 통하지 않고 GaN에서 직접 Eu으로 에너지를 전달하기 때문으로 생각된다.

• 한국표면공학회지
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• 제47권4호
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• pp.192-197
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• 2014

Red-emitting nitride phosphors recently attracted considerable attention because of their high thermal stability and high color rendering index properties. For excellent phosphor of white light-emitting-diode, ternary nitride phosphor of $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ with different $Eu^{2+}$ ion concentration were synthesized by solid state reaction method. In this work, red-emitting nitride $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphor was successfully synthesized by using multi-step high frequency induction heat treatment. The effects of molar ratio of component and experimental conditions on luminescence property of prepared phosphors have been investigated. The structure and luminescence properties of prepared $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphors were investigated by XRD and photoluminescence spectroscopy. The excitation spectra of $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ phosphors indicated broad excitation wavelength range of 300 - 550 nm, namely from UV to visible area with distinct enhanced emission peaks. With an increase of $Eu^{2+}$ ion concentration, the peak position of emission in spectra was red-shifted from 613 to 671 nm. After via multi-step heat treatment, prepared phosphor showed excellent luminescence properties, such as high emission intensity and low thermal quenching, better than commercial phosphor of $Y_3Al_5O_{12}:Ce^{3+}$. Using $Eu_2O_3$ as a raw material for $Eu^{2+}$ dopant with nitrogen gas flowing instead of using commercial EuN chemical for $Sr/SmSi_5N_8:Eu^{2+}$ synthesis is one of characteristic of this work.

• 방사성폐기물학회지
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• 제16권3호
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• pp.347-357
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• 2018

이온성 액체를 이용하여 질산 용액으로부터 Am(III)과 Eu(III)의 추출 거동을 조사하고 이온성 액체의 활용가능성을 살펴보았다. 이온성 액체로는 1-alkyl-3- methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide ([$C_nmim$][$Tf_2N$])을 사용하였고, n-octyl(phenyl) N,N-diisobutyl carbamoylmethyl phosphine oxide (CMPO)와 tri-n-butylphosphate (TBP)를 추출제로 사용하여, Am(III)과 Eu(III)의 추출 분배계수를 질산농도, CMPO, TBP와 같은 변수들의 함수로서 측정하였다. 이온성 액체를 사용함으로써 기존의 n-doodecane (n-DD)과 비교하여 추출 효율이 현저히 증가하였다. 질산 용액의 농도가 높을수록 Am(III)과 Eu(III)의 추출률은 감소하였으며, Eu(III)의 추출률은 Am(III)보다 전반적으로 작았다. 이온성 액체를 이용한 Am(III)과 Eu(III)의 추출 메카니즘은 n-DD와 같은 분자성 유기용매를 사용하는 경우와는 달리 양이온 교환 메카니즘에 의해 일어나는 것으로 판명되었다. 사용한 모든 이온성 액체에 대하여 Am(III)과 Eu(III)의 추출 분배계수는 CMPO의 농도가 높을수록 증가하고, CMPO 농도에 대한 추출 데이터의 직선 기울기 값은 약 3.0으로 이온성 액체를 이용한 Am(III)과 Eu(III)의 추출반응에서 3분자의 CMPO가 복합착물을 형성하는 것으로 나타났다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1998년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.533-538
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• 1998

추출제 Cyanex 301에 대한 NaN $O_3$ 매질에서 Am과 Eu의 추출 및 상호분리 거동에 대해 고찰하였다. Cyanex 301에 대한 Am과 Eu의 추출거동은 매우 유사하여 상호 분리할 수 없었으나 Cyanex 301을 8M NaOH로 비누화 처리하여 NaN $O_3$ 용액 매질에서 Eu에 대한 미량의 Am의 분배계수를 측정한 결과 Am에 대한 선택적 추출성이 높게 나타났다. Cyanex 301의 비누화을, 수용상의 pH 및 Eu 농도가 높아질수록 Am과 Eu의 상호 분리계수인 S $F_{AM}$Eu/는 930까지 증가되었으나 Cyanex 301에 옥탄올을 첨가할 경우에는 S $F_{Am}$ Eu/는 32.3까지 감소하였으며, Am과 Eu의 추출에 미치는 NaN $O_3$ 농도 영향은 없는 것으로 나타났다. Cyanex 301에 추출된 Am과 Eu은 pH가 4인 lM NaN $O_3$ 용액으로는 97.7% 그리고 0.05M DTPA/1.5M Lactic acid에 의해서 99% 이상 역추출되었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.31-36
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• 1999

질소 화합물의 새로운 형광체를 개발하기 위하여 $CaSiN_2:Eu,\;CaSiN_2:Tb$ 형광체를 합성한 후, 빛 발광 (photoluminescence, PL) 및 전계 발광(electroluminescence, EL) 특성을 평가하였다. $Ca_3N_2$, $Si_3N_4$ 및 $EuF_3$ 또는 $TbF_3$의 미분말을 혼합, 성형 및 소결하여 질소 화합물 형광체를 합성하였다. 합성된 $CaSiN_2:Eu,\;CaSiN_2:Tb$ 형광체의 PL 특성이 각각 Eu, Tb 이온에 의한 고유한 발광 파장과 일치하여 형광체로의 활용 가능성을 확인하였다. 스퍼터링 방법으로 제작된 $CaSiN_2:Eu$ 박막 전계 발광(thin-film electroluminescence, TFEL) 소자의 문턱 전압과 280 V에서의 발광 휘도는 각각 90 V, 1.62 $cd/m^2$ 임을 알 수 있었다. 또한 change-voltage(Q-V) 및 transferred charge-phosphor Field($Q_t-F_p$)의 전기적 특성도 함께 측정되었다.

• 분석과학
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• 제10권6호
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• pp.433-438
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• 1997

Triton X-100 계면할성제 존재하에서, $Eu^{3+}$-thenoyltrifluoroacetone(TTA)계의 형광세기의 n-octanol 영향에 관해 연구하였고, n-octanol의 정량을 위한 최적 조건을 규명하였다. 이 착물계에서 들뜨기 파장을 345nm로 주사했을 때, $Eu^{3+}$ 이온의 최대 형광파장은 619nm에서 나타났다. n-octanol의 검정곡선은 $1{\times}10^{-5}M{\sim}1{\times}10^{-7}M$의 범위에서 직선적인 관계를 얻었고, 검출한계는 $1{\times}10^{-9}M$이었다. 이 방법을 이용하여 합성시료를 분석한 결과 분석오차내에서 기지값과 일치하였으며, 상대표준편차는 약 3.5%였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권4호
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• pp.280-287
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• 2013

Plate-type phosphor is a promising substitute in overcoming the issues related to the powder phosphor paste mixed with resin. In this research, $Ca-{\alpha}-SiAlON:Eu^{2+}$ plate phosphor ($Ca_xSi_{12-(m+n)}Al_{m+n}O_nN_{16-n}:Eu_y$) was investigated for the varied compositions (m,n) of the host crystal with the fixed Eu content (y). Densification was promoted for the compositions with increasing 'm' values for the m=2n relationship. Dictated by the Eu concentration inside the phosphor crystal, photoluminescence intensity was stronger in ${\alpha}2$ specimen (m = 3.0, n = 1.5) containing the second phases when compared to ${\alpha}1$ specimen (m = 1.5, n = 0.75) comprising a single-phase ${\alpha}$-SiAlON. The concentration of Eu in the non-emitting amorphous interfacial glass phase was 2~4 times of the designed Eu concentration inside the ${\alpha}$-SiAlON crystal.

• 한국재료학회지
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• 제21권5호
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• pp.250-254
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• 2011

We have synthesized bluish-green, highly-efficient $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ and $(Ba,Sr)Si_2O_2N_2:Eu^{2+}$ phosphors through a conventional solid state reaction method using metal carbonate, $Si_3N_4$, and $Eu_2O_3$ as raw materials. The X-ray diffraction (XRD) pattern of these phosphors revealed that a $BaSi_2O_2N_2$ single phase was obtained. The excitation and emission spectra showed typical broadband excitation and emission resulting from the 5d to 4f transition of $Eu^{2+}$. These phosphors absorb blue light at around 450 nm and emit bluish-green luminescence, with a peak wavelength at around 495 nm. From the results of an experiment involving Eu concentration quenching, the relative PL intensity was reduced dramatically for Eu = 0.033. A small substitution of Sr in place of Ba increased the relative emission intensity of the phosphor. We prepared several white LEDs through a combination of $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$, YAG:$Ce^{3+}$, and silicone resin with a blue InGaN-based LED. In the case of only the YAG:$Ce^{3+}$-converted LED, the color rendering index was 73.4 and the efficiency was 127 lm/W. In contrast, in the YAG:$Ce^{3+}$ and $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$-converted LED, two distinct emission bands from InGaN (450 nm) and the two phosphors (475-750 nm) are observed, and combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. The range of the color rendering index and the efficiency were 79.7-81.2 and 117-128 lm/W, respectively. The increased values of the color rendering index indicate that the two phosphor-converted LEDs have improved bluish-green emission compared to the YAG:Ce-converted LED. As such, the $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ phosphor is applicable to white high-rendered LEDs for solid state lighting.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.25-27
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• 2007

$Eu^{2+}$-doped $Ca_2Si_5N_8$ was grown on Si(100) substrate using metal-organic deposition (MOD) method and post-annealed at $900^{\circ}C$ in various atmosphere. Luminescence properties of these thin films were investigated with variations of $Eu^{2+}$-doped concentrations and annealing atmosphere. Thin film was formed with clean surface and uniform thickness of about 72 nm. From the measurements of luminescence properties of thin films, film must be post-annealed in nitrogen or mixture of nitrogen and hydrogen atmosphere to emit a sufficient light. For $Ca_{1.5}Eu_{0.5}Si_5N_8$ thin film annealed at $900^{\circ}C$ in nitrogen atmosphere, excitation band from 380 to 420 nm was detected with the maximum intensity at 404 nm and two broad emission bands from 530 to 630 nm were observed. These broad excitation and emission bands must be attributed to the nitrogen incorporations into the films. From the results, $Ca_{2-x}Eu_xSi_5N_8$ thin film has probability for next generation thin film lighting applications such as light emitting diode (LED) or electro-luminescence (EL).

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권12호
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• pp.31-36
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• 1999

박막 전계발광소자의 새로운 형광체를 개발하기 위하여 $Mg._5Zn._5SiN_2:Tb$ 및 $Mg._5Zn._5SiN_2:Eu$ 형광체를 합성한 후, 각각 및 발광 및 음극선 발광 특성을 조사하였다. 합성된 각각의 형광체의 빛 발광 스펙트럼과 음극선 발광 스펙트럼은 동일하였으며, Tb 도는 Eu 발광 중심체의 고유한 발광 기구에 의해서 발광하는 것으로 확인되었다. 전자빔 증착 장비로 제작된 $Mg._8Zn._2SiN_2:Eu$ 박막 전계발광소자의 CIE 색 좌표는 x=0.47, y=0.46, 문턱 전압은 47V 및 최대 전압 80V에서의 휘도는 23.5 cd/cm^2$를 나타내었다. 또한 박막 전계발광소자의 capacitance-voltage 특성과 charge-voltage 특성 등의 전기적 특성도 함께 측정되었다.