Growing international concern about environmental issues in recent years has led to new proposals for strengthening exhaust emission standards and fuel economy requirements throughout the world. The low emission vehicle(LEV) standards drawn up by the California Air Resources Board(CARB) in the U.S.A are noticeably stringent To cope with this regulation, a reduction of HC emission is the most important challenge for the automotive industry because HC emission levels are severer than any other components emission levels. In this paper, the apparatus for visulalizing the wall film flow in a intake manifold and the spark plug with optical fiber for detecting the signal from diffusion flame are developed to mal,e the HC formation mechanism clear. High speed camera system is also used to elucidate the correlation wall film flow and the diffusion flame. Using these methods, the effect of fuel injection systems such as injection direction, spray angle, atomised injection on HC emission levels is investigated. Consequently, the optimal fuel injection conditions for minimizing the wall film flow and reducing the HC emission are found through this research.
Measurements of NO and NOx emission of laminar partially premixed LPG/air flames with and without acoustic excitation are reported. The NOx emission at the tailpipe of a combustion chamber is determined by chemiluminescent analyser. The NOx measurements are taken in flames with several different center tube equivalance ratio( ø$\sub$o/), and overall equivalace ratio(ø$\sub$o/) for a fixed fuel flowrate. The NOx emission decrease to reach a minimum value at an optimum ø$\sub$c/ 2. Theø$\sub$c/ 2 flame gives a compromise of thermal NO and prompt NO mechanism. In the case of excitation. the visual shape of the flame is changed from laminar flame to turbulent-like flame. With increasing levels of excitation amplitude, an optimum value of the NO and NOx emission exists. A shorter flame caused by the enhanced upstream mixing due to acoustic excitation results in the reduction of NO and NOx emission in the present flames. The reduction of flame length affects the shorter residence time of center tube mixture, and significantly influences the NOx reduction.
Jo, Young-Soo;Seon, Kwang-Il;Shinn, Jong-Ho;Yang, Yujin;Lee, Dukhang;Min, Kyoung-wook
천문학회보
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제42권2호
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pp.76.3-76.3
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2017
We compare vertical profiles of the extraplanar $H{\alpha}$ emission to those of FUV and NUV emission for 39 nearby edge-on galaxies to investigate the origin of the extraplanar $H{\alpha}$ emission. A strong correlation between scale heights of the extraplanar $H{\alpha}$ and UV emissions is found. This may indicate that the diffuse extraplanar $H{\alpha}$ emission either co-exists with the extraplanar dust or originates from the similar mechanism as the diffuse extraplanar UV emission such as scattering of $H{\alpha}$ photons at diffuse extraplanar dust. The scale heights of the extraplanar $H{\alpha}$ and UV emissions are also compared with size, star formation rate, and star formation rate surface density of the host galaxies to figure out what is the most important parameter associated with the extraplanar emission.
한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.658-661
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2002
Chemical species during growth of carbon nanotubes (CNTs) in direct current-plasma enhanced chemical vapor deposition were studied in details using $C_3H_4-NH_3$ and $CO-NH_3$ mixtures through optical emission spectroscopy (OES). In the $C_3H_4-NH_3$ system, the relative intensities of CN (388.3 nm) and CH (431.4 nm) decreased and that of $C_2$ (436 nm) increased, leading to $sp^2$-graphization into the CNT structure, leading to improvement of field emission property of CNTs. In the $CO-NH_3$ system, the trend is completely reversed. Attributing to the atomic oxygen for helping the graphitization of carbon, CNTs could be grown under the flow rate of CO (180 sccm)-$NH_3$ (10 sccm). Through these results, we suggest the growth mechanism in our system.
The field emission characteristics of defective diamond films grown by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) have been studied. X-ray diffraction, the poor crystal quality and/or small grain sizes of the diamond phase and the inclusion of the non-diamond carbon phases in these films have been condirmed by raman spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the reflectance measurements. The degrees of the film defectiveness and the emission characteristics were dependent on the methane concentration. Current-versus-voltage measurements have demonstrated that the defective diamond films have good electron emission characteristics. characteristics strongly suggests the defect-related electron-emission mechanism. The defective diamond films deposited on Si substrates show the field emission current density of 1$\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$ and 1mA/$\textrm{cm}^2$ have been measured at electric fields as low as 4.5V/$\mu\textrm{m}$ and 7.6V/$\mu\textrm{m}$, respectively. We also observed the similar emission characteristics from the defective diamond film deposited on Cr/Si substrate and could decrease the deposition temperature to $600^{\circ}C$.
We explain optical and electrical properties of top and bottom-emission structured alternating-current powder electroluminescent devices (ACPELDs) with Ga-doped ZnO(GZO) transparent electrode. The top-emission ACPELDs were layered as the metal electrode/dielectric layer/emission layer/top transparent electrode and the bottom-emission ACPELDs were structured as the bottom transparent electrode/emission layer/dielectric layer/metal electrode. The yellow-emitting ZnS:Mn, Cu phosphor and the barium titanate dielectric layers were layered through the screen printing method. The GZO transparent electrode was deposited by the sputtering, its sheet resistivity is $275{\Omega}/{\Box}$. The transparency at the yellow EL peak was 98 % for GZO. Regardless of EL structures, EL spectra of ACPELDs were exponentially increased with increasing voltages and they were linearly increased with increasing frequencies. It suggests that the EL mechanism was attributed to the impact ionization by charges injected from the interface between emitting phosphor layer and the transparent electrode. The top-emission structure obtained higher EL intensity than the bottom-structure. In addition, charge densities for sinusoidal applied voltages were measured through Sawyer-Tower method.
열 화학기상법으로 만든 GaN와 GaP 나노와이어에서 전계 방출과, 산소와 아르곤 분위기에서 안정성에 대해 조사하였다. GaN 나노와이어의 경우 산소 분위기에서 전계 방출이 급격하게 줄었으나, GaP에서는 그렇지 않았다. 두 나노와이어 모두 아르곤 분위기에서는 큰 변화가 없었다. GaP 나노와이어의 외부에 존재하는 산화물 층이 전자 방출 안정성에 크게 기여한 것으로 생각된다. 나노와이어에서 방출된 전자의 에너지 분포를 통해 반도체 나노와이어는 탄소 나노튜브와 그 전계 방출 메카니즘이 다름을 유추할 수 있었다.
The cost-effective reduction of greenhouse gas(GHG) emission to avert the most severe impacts of climate change remains one of the widely accepted priorities for global action. In order to facilitate cost-effective abatement strategies, the Kyoto Protocol introduced three mechanisms, or flexible instruments, the Emissions Trading(ET), the Joint Implementation(JI) and the Clean Development Mechanism(CDM). The CDM enables Annex I countries to the Kyoto Protocol to partially meet cost-effectively their emission reduction commitments by undertaking GHG mitigation Projects in developing countries, which do not have any GHG abatement obligations and where the emission reductions are cheaper. One of the major barriers hampering the wide spread implementation of CDM is the high transaction costs associated with the initial identification of promising CDM projects. This paper presents development of a pre-validation program of CDM. The developed program may provide a useful aid to potential investors and project developers as a supportive pre-evaluation tool, and may become an effective tool for the promotion of renewable energy and fuel switching projects.
Stoichiometric, uniform, amorphous ZrO$_2$ films with an equivalent oxide thickness of ∼1.5nm and a dielectric constant of ∼18 were deposited by an atomic layer controlled deposition process on silicon for potential application in meta-oxide-semiconductor(MOS) devices. The conduction mechanism is identified as Schottky emission at low electric fields and as Poole-Frenkel emission at high electric fields. the MOS devices showed low leakage current, small hysteresis(〈50mV), and low interface state density(∼2*10e11/cm2eV). Microdiffraction and high-resolution transmission electron microscopy showed a localized monoclinic phase of ${\alpha}$-ZrO$_2$ and an amorphous interfacial ZrSi$\_$x/O$\_$y/ layer which has a correspondign dielectric constant of 11
The bubble behavior and the radiation mechanism from a laser-induced collapsing bubble were investigated theoretically using the Keller-Miksis equation for the bubble wall motion and analytical solutions for the vapor inside bubble. The calculated time dependent bubble radius is in good agreement with observed ones. The half-width of the luminescence pulse at the collapse point, which was calculated under assumption that the light emission mechanism is black body radiation from the vapor bubble agreed well with observed value of several nanoseconds. The gas content inside the vapor bubble was too small to produce the light emission due to bremsstrahlung.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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