• 전기화학회지
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• 제3권3호
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• pp.141-145
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• 2000

전도성이 뛰어난 피롤고분자 피막을 전기화학적으로 중합하고 이를 Gr/ppy(Polypyrrole),X.O.(xylenol orange)형의 수식된 전극을 제작하여 U(VI)의 포집에 이용하였다. 사전피막제인 NBR(nitrile butadiene rubber)을 사용하였을 때 중합속도는 $3.22\times10^{-3}s^{-1}$로 이를 사용하지 않았을 때 보다 1.6배 느린 반응이었다. 포집된 U(VI)의 양은 ppy $1.70Ccm^{-2}$ 당에 $1.55\times10^{-4}g$ 이었으며, 인공해수 중에서 matrix효과는 $6.8\%$로 나타났다. ppy전극이 Gr/ppy, $X.O^{4-}UO^+$형으로 수식됨에 따라서 피막자체의 임피던스가 증가하여 ppy만일 때의 확산에 지배적인 전도과정에서 피막자체의 전자전도와 이온도핑과정이 함께 영향을 받는 결과를 보였다. ppy전극을 X.O.로 수식하여 U(VI)를 포집함에 따라 전기이중층의 용량은 각각 56과 130여 배로 증가하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.381-381
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• 2010

$(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ thin films as gate dielectrics have been proposed to overcome the problems of tunneling current and degradation mobility inachieving a thin equivalent oxide thickness. An extremely thin $SiO_2$ layer is used in order to separate the carrier in MOSFET channel from the dielectric field fluctuation caused by phonons in the dielectric which decreases the carrier mobility. The electronic and optical properties influenced the device performance to a great extent. $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ dielectric films on p-Si (100) were grown by atomic layer deposition method, for which the conduction band offsets, valence band offsets and band gapswere obtained by using X-ray photoelectron spectroscopy and reflection electron energy loss spectroscopy. The band gap, valence and conduction band offset values for $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ dielectric thin film, grown on Si substrate were about 5.34, 2.35 and 1.87 eV respectively. This band alignment was similar to that of $ZrO_2$. In addition, The dielectric function (k, $\omega$), index of refraction n and the extinction coefficient k for the $(ZrO_2)_{0.66}(HfO_2)_{0.34}$ thin films were obtained from a quantitative analysis of REELS data by comparison to detailed dielectric response model calculations using the QUEELS-$\varepsilon$(k, $\omega$)-REELS software package. These optical properties are similar with $ZrO_2$ dielectric thin films.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제13권3호
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• pp.248-252
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• 1992

$ZrO_2-dopedYb_2O_3solid$ solutions containing 1, 3, 5, 7 and 9 mol% $ZrO_2were$ synthesized from spectroscopically pure $Yb_2O_3$ and $ZrO_2$ powders and found to be rare earth C-type structure by XRD technique. Electrical conductivities were measured as a function of temperatures from 700 to $1050^{\circ}C$ and oxygen partial pressures from 1${\times}$$10^-5$ to 2${\times}$ $10^-1$atm. The electrical conductivities depend simply on temperature and the activation energies are determined to be 1.56-1.68 $_eV$. The oxygen partial pressure dependence of the electrical conductivity shows that the conductivity increases with increasing oxygen partial pressure, indicating p-type semiconductor. The $PO_2$ dependence of the system is nearly power of 1/4. It is suggested from the linearity of the temperature dependence of electrical conductivity and only one value of 1/n that the solid solutions of the system have single conduction mechanism. From these results, it is concluded that the main defects of the system are negatively doubly charged oxygen interstitial in low. $ZrO_2doping$ level and negatively triply charged cation vacancy in high doping level and the electrical conduction is due to the electronic hole formed by the defect structure.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제9권6호
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• pp.333-337
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• 1988

Spinel $CoFe_2O_4$ solid solutions containing up to 50 mol% CoO were synthesized with spectroscopically pure CoO and ${\alpha}-Fe_2O_3$ polycrystalline powders. The spinel structures of the $CoFe_2O_4$ solid solutions were analyzed from XRD patterns and the Mossbauer spectra showed that the quenched $CoFe_2O_4$ had a partially inversed spinel structure ($Co_{0.23}Fe_{0.77}$) < $Co_{0.77}Fe_{1.23}$ > $O_4$, while the slowly cooled $CoFe_2O_4$ was completely inversed spinel ($Co_{0.04}Fe_{0.96}$) <$Co_{0.96}Fe_{1.04}$ > $O_4$. The $CoFe_2O_4$ specimens containing 10, 20, 30 and 40 mol% CoO turned to be a mixture of corundum and spinel structures. Electrical conductivities were measured as a function of temperature from 300 to $900^{\circ}C$ under oxygen partial pressures from $10^{-3}$ to 1 atm. The temperature dependencies of the electrical conductivity show different behaviors in the low- and high-temperature regions. The average activation energies are 0.23 eV and 0.80 eV in the low- and high-temperature regions, respectively. It is suggested that $Co^{2+} {\to} CO^{3+} + e^-$ and $Fe^{2+} {\rightleftharpoons} Fe^{3+} + e^-$ are the main conduction mechanisms responsible for the electronic conduction in the low- and high-temperature regions, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권11호
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• pp.949-955
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• 2009

In this study, we investigated the effects of Cr dopant (1.0 at% $Cr_2O_3$ sintered at $1000^{\circ}C$ for 1 h in air) on the bulk trap (i.e. defect) and interface state levels of ZnO using dielectric functions ($Z^*$, $M^*$, $Y^*$, $\varepsilon^*$, and $tan{\delta}$), admittance spectroscopy (AS), and impedance-modulus spectroscopy (IS & MS). For the identification of the bulk trap levels, we examine the zero-biased admittance spectroscopy and dielectric functions as a function of frequency and temperature. Impedance and electric modulus spectroscopy is a powerful technique to characterize grain boundaries of electronic ceramic materials as well. As a result, three kinds of bulk defect trap levels were found below the conduction band edge of ZnO in 1.0 at% Cr-doped ZnO (Cr-ZnO) as 0.11 eV, 0.21 eV, and 0.31 eV. The overlapped defect levels ($Zn^{..}_i$ and $V^{\cdot}_0$) in admittance spectra were successfully separated by the combination of dielectric function such as $M^*$, $\varepsilon^*$, and $tan{\delta}$. In Cr-ZnO, the interfacial state level was about 1.17 eV by IS and MS. Also we measured the resistance ($R_{gb}$) and capacitance ($C_{gb}$) of grain boundaries with temperature using impedance-modulus spectroscopy. It have discussed about the stability and homogeneity of grain boundaries using distribution parameter ($\alpha$) simulated with the Z"-logf plots with temperature.

• 전자공학회논문지
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• 제52권3호
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• pp.59-66
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• 2015

본 논문에서는 4bit SAR-ADC(Successive Approximation ADC) 기반의 LDO(Low Drop-Out Regulator)와 파워 트랜지스터의 사이즈 선택을 통하여 DC-DC 벅 컨버터의 효율을 개선하는 방법을 제안한다. 제안하는 회로는 부하 전류에 따라서 파워 트랜지스터 사이즈를 선택하여 DC-DC 벅 컨버터의 효율을 개선한다. 이를 위해, 우리는 스위칭 손실과 전도 손실이 교차하는 지점을 파워 트랜지스터의 적절한 사이즈로 선택하였다. 또한, standby mode 또는 sleep mode로 동작 시에는 효율을 개선하기 위해 LDO로 동작하도록 하였다. 제안하는 회로는 4bit로 파워 트랜지스터 사이즈(X1, X2, X4, X8)를 선택하였고, 저부하에서 단일 사이즈를 이용한 기존의 방식보다 최대 25%의 효율 개선을 얻을 수 있었다. 입력 전압은 5V, 출력 전압은 3.3V, 최대 부하 전류는 500mA이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권1호
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• pp.7-12
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• 2017

This work takes place in the context of the development of a transport phenomena simulation based on group III nitrides. Gallium and boron nitrides (GaN and BN) are both materials with interesting physical properties; they have a direct band gap and are relatively large compared to other semiconductors. The main objective of this paper is to study the effect of boron content on the electron transport of the ternary compound $B_xGa_{(1-x)}N$ and the effect of the temperature of this alloy at x=50% boron percentage, specifically the piezoelectric, acoustic, and polar optical scatterings as a function of the energy, and the electron energy and drift velocity versus the applied electric field for different boron compositions ($B_xGa_{(1-x)}N$), at various temperatures for $B_{0.5}Ga_{0.5}N$. Monte carlo simulation, was employed and the three valleys of the conduction band (${\Gamma}$, L, X) were considered to be non-parabolic. We focus on the interactions that do not significantly affect the behavior of the electron. Nevertheless, they are introduced to obtain a quantitative description of the electronic dynamics. We find that the form of the velocity-field characteristic changes substantially when the temperature is increased, and a remarkable effect is observed from the boron content in $B_xGa_{(1-x)}N$ alloy and the applied field on the dynamics of holders within the lattice as a result of interaction mechanisms.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.426.1-426.1
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• 2014

For high performance thin film solar cells, texturing surface, enhancing the optical absorptionpath, is pretty important. Textured ZnO:Al transparent oxide layer of high haze is commonly used in Si thin film solar cells. In this paper, novel deposition method for aluminum doped zinc oxide (ZnO:Al) on glass substrates is presented to improve the haze property. The broccoli structure of ZnO:Al layer was formed on chemically etched glass substrates, which showed high haze value on a wide wavelength range.The etching condition of the glass substrates can change not only the haze values of the ZnO:Al of in-situ growth but alsothe electrical and optical properties of the deposited ZnO:Al films.The etching mechanism of the glass substrate affecting on the surface morphology of the glass will be discussed, which resulted in variation of texture of ZnO:Al layer. The optical properties of substrate morphology were also analyzed with EDS and FTIR results. As a result, the high haze value of 85.4% was obtained in the wavelength range of 300 nm to 1100 nm. Furthermore, low sheet resistance of about 5~18 ohm/sq was achieved for different surface morphologies of the ZnO:Al films.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.37-43
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• 2017

본 논문에서는 고출력 전자기파 (Electromagnetic pulses, EMP) 영향에 의해 발생하는 반도체 부품의 물리적 상호작용에 대한 원리와 고장 발생 메커니즘의 연구를 위해 선행된 연구 내용을 고찰하였다. 반도체 부품에서의 전자기파 전이 과정은 3층 (공기/유전체/도체) 구조로 설명할 수 있으며, 복소반사계수에 의하여 이론적으로 흡수되는 에너지를 예상할 수 있다. 반도체 부품에 전달된 과도한 고출력 전자기파로 인한 반도체 부품의 주요 고장 원인은 전자기파 커플링에 의한 부품 소재의 줄 열에너지의 발생이다. 전기장에 의한 유전가열과 자기장에 의한 맴돌이손실에 의해 반도체 칩의 P-N 접합 파괴, 회로패턴의 burn-out과 리드 프레임과 칩을 연결하는 와이어의 손상 등이 발생한다. 즉, 반도체 부품에 전달된 전자기파는 반도체 내부 물질과 상호작용을 하며, 쌍극자분극과 이온 전도도 현상이 동시에 발생하여, 칩 내부의 P-N 접합 부분에 과도한 역전압이 형성되어 P-N 접합 파괴를 유발한다. 향후 고 신뢰성을 요구하는 전기전자시스템에 대한 EMP 내성을 향상하기 위한 반도체 부품 수준의 연구가 필요하다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.72-81
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• 2018

본 논문에서는 영구자석형 동기전동기를 구동하는 인버터에서 사용할 수 있는 정현파 전류 운전 방식과 120도 운전 방식 및 150도 운전 방식에 대하여 각각 시뮬레이션을 수행하고 이것들의 운전 특성을 비교 분석한다. 이 운전 방식들은 통전각과 전동기의 상전류에 형태로 구분이 된다. 종래에는 인버터의 효율 향상을 위하여 정현파 전류 운전 방식과 120도 운전 방식 간의 전환 방법에 중점을 둔 연구가 많았으나, 본 논문에서는 이들 각각의 운전 방식에 대한 운전 특성을 비교 분석하여 그것들의 장점을 다양한 전환 방법으로 응용할 수 있도록 하는데 중점을 둔다. 이를 위하여 각각의 운전 방식에 대하여 전동기의 발생 토크, 속도 응답 특성, 상전류 THD에 대하여 시뮬레이션을 수행하였다. 그 결과로 정현파 전류 운전 방식이 3가지 운전 방식들 중에서 전체적으로 가장 좋은 성능을 보였고, 120도 운전 방식은 150도 운전 방식에 비하여 속도 응답 특성이 다소 우수하였으며, 150도 운전 방식은 120도 운전 방식에 비하여 상전류 THD가 낮은 것을 확인하였다.