We have developed highly efficient blue phosphorescent organic light-emitting devices (OLED) with simplified architectures using blue phosphorescent material. The basis device structure of the blue PHOLED was anode / emitting layer (EML) / electron transport layer (ETL) / cathode. The dopant was partially doped into the host layer for investigating recombination zone, current efficiency, and emission characteristics of the blue PHOLEDs.
양자점 발광 다이오드(QD-LED)의 효율과 안정성 향상을 위해서 QD 발광층에 주입되는 전하의 균형을 이루는 것은 필수이다. 산화 아연(ZnO)은 최신 QD-LED에서 전자수송층(electron transport layer, ETL)을 구성하기 위해 가장 많이 사용되고 있으나, ZnO의 자발적인 전자 주입은 QD-LED의 성능을 크게 열화시키는 과도한 전자 주입을 유발한다. 본 연구에서는 자기조립단분자막(self-assembled monolayer, SAM) 처리를 통해 ZnO의 전자 주입 특성을 조절하여 QD-LED의 성능을 향상시켰다. 전하 균형도를 향상시킨 결과, SAM을 처리한 QD-LED는 SAM을 처리 안한 소자와 비교하여 내부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE)이 25%, 최대 휘도는 200% 향상되었다.
Halide perovskites are promising photovoltaic materials due to their excellent optoelectronic properties like high absorption coefficient, low exciton binding energy and long diffusion length, and single-junction solar cells consisting of them have shown a high certified efficiency of 25.2%. Despite of high efficiency, perovskite photovoltaics show poor stability under actual operational condition, which is the mostly critical obstacle for commercialization. Given that the stability of the perovskite devices is significantly affected by charge-transporting layers, the use of inorganic charge-transporting layers with better intrinsic stability than the organic counterparts must be beneficial to the enhanced device reliability. In this review article, we summarized a number of studies on the inorganic charge-transporting layers of the perovskite solar cells, especially focusing on their effects on the enhanced device reliability.
유기 박막 electoluminescent(EL) 소자를 제작하여 전극의 일함수에 따른 출력휘도의 의존성과 휘도-전압 특성을 측정하였다. 제작된 소자의 구조는 Indium-Tin-Oxide(ITO)/정공수송층/발광층(전자수송층)/금속전극이며, 정공수송층으로는 PMMA+TPD(0.5wt%)와 측쇄 액정 고분자 메트릭스인 MC homopolymer+TPD(0.005wt%)와 (MC/MMA)copolymer+TPD(0.005wt%)을 사용하였으며, 발광층은 $Alq_{3}$을, 금속전극으로는 Ca, Mg, Mg:Ag(10:1) 와 Al을 사용하였다. 출력특성이 전압에 따른 정류특성을 가짐을 보였으며, 소자의 문턱전압은 5볼트이고, 출력 휘도는 10 볼트에서 700 $Cd/m^{2}$이상의 휘도를 보였다.
Transparent indium tin oxide (ITO) anode surface was modified using $O_3$ Plasma and organic ultrathin buffer layers were deposited on the ITO surface using 13.56 MHz RF plasma polymerization technique. The EL efficiency, operating voltage and lifetime of the organic light-emitting device (OLED) were investigated in order to study the effect of the plasma surface treatment and role of plasma polymerized organic ultrathin buffer layer. Poly methylmethacrylate (PMMA) layers were plasma polymerized on the ITO anode as buffer layer between anode and hole transport layer (HTL). The plasma polymerization of the organic ultrathin layer were carried out at a homemade capacitive-coupled RF plasma equipment. N,N'-diphenyl-N,N'(3- methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as HTL, Tris(8-hydroxyquinolinato) Aluminum $(Alq_3)$ as both emitting layer (EML)/electron transport layer (ETL), and aluminum layer as cathode were deposited using thermal evaporation technique. Effects of the plasma surface treatment of ITO and plasma polymerized buffer layers on the OLED performance were discussed.
본 연구에서는 LSCF/GDC (20 : 80 vol%) 복합 분리막 표면에 LSC/GDC (50 : 50 vol%) 활성층을 코팅한 후 활성층의 열처리 온도, 두께, 침투법을 이용한 STF 도입이 산소투과 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 활성층 도입은 복합 분리막의 산소 투과 유속을 급격히 증진시켰으며 이는 활성층 성분인 LSC/GDC (50 : 50 vol%)가 전자 전도성 및 표면 산소 분해 반응을 증진시켰기 때문이었다. 활성층의 열처리 온도가 $900^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$로 증가한 경우, 산소 투과 유속은 증가하였고 이는 분리막과 활성층 사이 그리고 활성층의 결정입간 접촉이 증진하여 산소이온과 전자 흐름을 증진시켰기 때문으로 설명되었다. 코팅층의 두께가 약 $10{\mu}m$에서 약 $20{\mu}m$로 증가한 경우, 산소 투과 유속은 오히려 감소하였는데 이는 코팅층의 두께가 증가할수록 기공을 통한 공기 중의 산소 유입이 어려워지기 때문으로 설명되었다. 또한, 코팅층에 침투법을 이용하여 STF를 도입한 경우가 STF를 도입하지 않은 경우 보다 높은 산소 투과 유속을 보였는데 이는 도입된 STF가 산소 분해하는 표면 반응 속도를 촉진시키기 때문이다. 본 연구로부터 LSC/GDC (50 : 50 vol%) 활성층 코팅 및 특성 제어는 LSCF/GDC (20 : 80 vol%) 복합 분리막의 산소투과 증진에 매우 중요함을 확인하였다.
본 고에서는 최근 주목받고 있는 적층형 유기 전계발광소자의 일반적 형태와 발광특성등에 대해 알아보고자 한다. 현재 완전한 유기 전계발광소자의 개발을 위해 캐리어 수송재 즉, 정공수송재와 전자수송계의 캐리어 수송능력을 증가시키기 위해서 여러가지 새로운 물질들이 연구되고 있으며, 고효율의 발광특성을 얻어내기 위한 발광재료의 개발과 동작시의 안정성을 향상시키기 위한 소자구조의 개선에 대해서도 연구가 국내외적으로 활발히 진행되고 있다. 특히, 조만간 일본에서 30cd/m$^{2}$의 휘도를 갖는 적층형 유기 전계발광 소자가 상용화 될것으로 알려져있어 이를 계기로 고휘도, 고효율의 유기 전계발광 소자의 개발이 가까운 시일내에 이루워지리라 전망된다.
We studied about luminance characteristics of blue organic electroluminecent device as thickness ratio. The device is fabricated TPD(N,N'-dyphenyl-N-N'-bis(3-methyphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine) as hole transport layer and Butyl -PBD(1,1,4,4-Tetraphenyl-1,3-butadiene) as emission layer and electron transport layer. Total thickness is 1000${\AA}$ as HTL and ETL, each devices has 500${\AA}$:500${\AA}$. 400${\AA}$:600${\AA}$ and 600${\AA}$:400${\AA}$ of TPD : Butyl-PBD. We obtained the maximum brightness about 175cd/㎡ 500${\AA}$: 500${\AA}$ thickness devices as HTL:ETL
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1401-1403
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2005
We present that the carrier balance can be improved by doping a hole transport layer of 4,4'- bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl (${\alpha}$-NPD) with a hole blocking material of 2,9-dimethyl- 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP). The doping leads to disturb hole transport, which can enhance the balance of electron s and holes concentration in the emitting layer, aluminum tris(8 -hydroxyquinoline) (Alq3), resulting in enhanced electroluminescence (EL) quantum efficiency for the device with the doped ${\alpha}$-NPD.
We successfully fabricated OLED(Organic Light Emitting Diodes) with Al cathodes electrode deposited by the DC magnetron sputtering. The effects of a controlled Al cathode layer of an Indium Tin Oxide (ITO)/blended single polymer layer (PVK Bu:PBD:dye)/Al light emitting diodes are described. The PVK (Poly(N-vinylcarbazole)) and Bu-PBD (2-(4-biphenyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole) are used hole transport polymer and electron transport molecule respectively. We found that both current injection and electroluminescence output are significantly different with a variable DC sputtering power. The difference is believed to be due to the influence near the blended polymer layer/cathode interface that results from the DC power and H$\sub$2//O in a chamber. And DC sputtering deposition is an effective way to fabricate Al electrodes with pronounced orientational characteristics without damage occurring to metal-organic interface during the sputtering deposition.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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